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本发明公开了一种选择性发射极和选择性发射极电池的制备方法，该选择性发射极的制备方法包括以下步骤：将掩膜板覆盖在制绒后的硅片上，送入到扩散炉中进行高掺杂深扩散和低掺杂浅扩散，在硅片电极区域和非电极区域分别形成高掺杂深扩散区和低掺杂浅扩散区，退...
该专利属于湖南红太阳光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南红太阳光电科技有限公司授权不得商用。

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