OLED显示面板及其制作方法技术

本申请提供一种OLED显示面板及其制作方法，其包括基板、保温层、缓冲层、驱动薄膜晶体管和存储电容，基板包括用于设置起到驱动OLED器件发光作用的驱动薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管对应的存储电容的设置区域；保温层形成在设置区域上；缓冲层形成在基板上；驱动薄膜晶体管形成在缓冲层对应于设置区域的位置上；存储电容形成在缓冲层对应于设置区域的位置上。本申请通过在基板上的设置区域设置保温层，防止了非晶硅膜层在退火处理进行结晶时热量快速散失，使得驱动薄膜晶体管和存储电容处的非晶硅膜层充分结晶，增大晶粒和提高了晶粒的均一性，从而提高了驱动薄膜晶体管电性的均一性。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板及其制作方法
本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
技术介绍
随着在传统的低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePolycrystallineSiliconThinFilmTransistors，LTPS-TFT)的制作过程中，在基板上会连续沉积3个膜层的缓冲层，分别为SiNx膜层、SiOx膜层、非晶硅膜层(amorphoussilicon，a-Si)，接着利用准分子镭射退火(ExcimerLaserAnneal，ELA)对a-Si进行退火结晶形成LTPS，但是形成的LTPS晶粒大小均一性较差，晶界较多，导致开关薄膜晶体管(SwitchTFT)和驱动薄膜晶体管(DriveTFT)的电性均一性较差，尤其严重影响DriveTFT的电性均一性，而DriverTFT直接影响有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)器件的发光特性，进行严重影响LTPS的良率。
技术实现思路
本申请实施例提供一种OLED显示面板及其制作方法，以解决现有的LTPS-TFT中LTPS晶粒大小均一性差，晶界较多，导致DriveTFT的电性均一性差的技术问题。本申请实施例提供一种OLED显示面板，其包括：基板，包括用于设置起到驱动OLED器件发光作用的驱动薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管对应的存储电容的设置区域；保温层，包括至少一层保温子层，形成在所述设置区域上；缓冲层，形成在所述基板上，并覆盖所述保温层；所述驱动薄膜晶体管，形成在所述缓冲层对应于所述设置区域的位置上；以及所述存储电容，形成在所述缓冲层对应于所述设置区域的位置上；其中，所述驱动薄膜晶体管和存储电容均包括形成在所述缓冲层上的多晶硅层，所述保温层用于提高非晶硅在结晶成为多晶硅层时热量的稳定性。在本申请的OLED显示面板的第一实施例中，所述保温层由一层保温子层构成。在本申请的OLED显示面板的第二实施例中，所述保温层包括设置在所述基板上的第一保温子层和设置在所述第一保温子层上的第二保温子层，所述第一保温子层的材质和所述第二保温子层的材质不同。在本申请的OLED显示面板的第二实施例中，所述缓冲层包括覆盖所述第二保温子层上的第一缓冲子层，其中，所述第一缓冲子层的材质是SiNx，所述第一保温子层的材质是SiOx，所述第二保温子层的材质是SiOxNy。在本申请的OLED显示面板的第二实施例中，在所述第二保温子层中，氧元素的含量大于氮元素的含量。在本申请的第三实施例中，所述OLED显示面板包括起到开关作用的开关薄膜晶体管，所述基板对应于所述开关薄膜晶体管的区域上设置有所述保温层。在本申请的OLED显示面板中，所述保温层的厚度介于50纳米～100纳米之间。在本申请的OLED显示面板中，所述保温层的材料是SiOx和SiOxNy中的一种或两种材料的组合。本申请还涉及一种OLED显示面板的制作方法，其包括：S1：提供一基板，所述基板包括用于设置起到驱动OLED器件发光作用的驱动薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管对应的存储电容的设置区域；S2：在所述基板的设置区域形成一保温层，用于防止非晶硅在结晶时热量快速流失；S3：在所述基板上依次形成缓冲层和非晶硅层；S4：对所述非晶硅层进行镭射退火处理，以形成多晶硅层，并图案化所述多晶硅层；S5：在所述多晶硅层上依次形成绝缘层、栅极金属层、层间介电层、源漏金属层和钝化层，以形成所述驱动薄膜晶体管和所述存储电容；S6：在所述钝化层上依次形成平坦层、阳极、像素定义层和隔间部。在本申请的OLED显示面板的制作方法中，在所述S2的步骤包括：S21：在所述基板上采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积一层SiOx膜，并采用光刻工艺形成第一保温子层；S22：在所述第一保温子层上采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积一层SiOxNy膜，并采用光刻工艺形成第二保温子层。在本申请的OLED显示面板的制作方法中，在步骤S21中，沉积所述SiOx膜，温度介于400℃～440℃之间，能量介于10kw～20kw之间，压强介于40Pa～80Pa之间，反映气体SiH4和N2O的气体比为1:100到1:50之间，反映时间20s～40s之间；沉积所述SiOxNy膜时，温度介于400℃～440℃之间，能量介于10kw～20kw之间，压强介于40Pa～80Pa之间，SiH4：N2O：NH3的气体比为1:100:80到1:100:120之间，反映时间20s～40s之间。在本申请的OLED显示面板的制作方法中，在所述第二保温子层中，氧元素的含量大于氮元素的含量。在本申请的OLED显示面板的制作方法中，所述保温层的厚度介于50纳米～100纳米之间。相较于现有技术的OLED显示面板及其制作方法，本申请的OLED显示面板及其制作方法通过在基板上的设置区域设置保温层，防止了非晶硅膜层在退火处理进行结晶时热量快速散失，使得驱动薄膜晶体管和存储电容处的非晶硅膜层充分结晶，增大晶粒和提高了晶粒的均一性，从而提高了驱动薄膜晶体管电性的均一性，进而提高了OLED器件发光均一性；解决了现有的LTPS-TFT中LTPS晶粒大小均一性差，晶界较多，导致DriveTFT的电性均一性差的技术问题。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。图1为本申请的OLED显示面板的第一实施例的结构示意图；图2为本申请的OLED显示面板的第二实施例的结构示意图；图3为本申请的OLED显示面板的第三实施例的结构示意图；图4为本申请的OLED显示面板的制作方法的实施例的流程图；图5为本申请的OLED显示面板的制作方法的实施例的步骤S2的流程图。具体实施方式请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。请参照图1，图1为本申请的OLED显示面板的第一实施例的结构示意图。本第一实施例的OLED显示面板100，其包括基板11、保温层12、缓冲层13、驱动薄膜晶体管1a、存储电容1b、平坦层15、阳极16、像素定义层17和间隔部18。基板11包括用于设置起到驱动OLED器件发光作用的驱动薄膜晶体管1a和驱动薄膜晶体管1a对应的存储电容1b的设置区域11a。保温层12包括至少一层保温子层，保温层12形成在设置区域11a上。缓冲层13形成在基板11上，并覆盖保温层12。驱动薄膜晶体管1a形成在缓冲层13对应于设置区域11a的位置上。存储电容1b形成在缓冲层13对应于设置区域11a的位置上。其中，驱动薄膜晶体管1a和存储电容1b均包括形成在缓冲层13上的多晶硅层141，保温层12用于提高非晶硅在结晶成为多晶硅层141时热量的稳定性。本第一实施例的OLED显示面板通过在基板11上的设置区域11a设置保温层12，防止了非晶硅膜层在退火处理进行结晶时热量快速散失，使得驱动薄膜晶体管1a和存储电容1b处的非晶硅膜层141充分结晶，增大晶粒和提高了晶粒的均一性，从而提高了驱动薄膜晶体管1a本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：基板，包括用于设置起到驱动OLED器件发光作用的驱动薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管对应的存储电容的设置区域；保温层，包括至少一层保温子层，形成在所述设置区域上；缓冲层，形成在所述基板上，并覆盖所述保温层；所述驱动薄膜晶体管，形成在所述缓冲层对应于所述设置区域的位置上；以及所述存储电容，形成在所述缓冲层对应于所述设置区域的位置上；其中，所述驱动薄膜晶体管和存储电容均包括形成在所述缓冲层上的多晶硅层，所述保温层用于提高非晶硅在结晶成为多晶硅层时热量的稳定性。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：基板，包括用于设置起到驱动OLED器件发光作用的驱动薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管对应的存储电容的设置区域；保温层，包括至少一层保温子层，形成在所述设置区域上；缓冲层，形成在所述基板上，并覆盖所述保温层；所述驱动薄膜晶体管，形成在所述缓冲层对应于所述设置区域的位置上；以及所述存储电容，形成在所述缓冲层对应于所述设置区域的位置上；其中，所述驱动薄膜晶体管和存储电容均包括形成在所述缓冲层上的多晶硅层，所述保温层用于提高非晶硅在结晶成为多晶硅层时热量的稳定性。2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述保温层包括设置在所述基板上的第一保温子层和设置在所述第一保温子层上的第二保温子层，所述第一保温子层的材质和所述第二保温子层的材质不同。3.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述缓冲层包括覆盖所述第二保温子层上的第一缓冲子层，其中，所述第一缓冲子层的材质是SiNx，所述第一保温子层的材质是SiOx，所述第二保温子层的材质是SiOxNy。4.根据权利要求3所述的OLED显示面板，其特征在于，在所述第二保温子层中，氧元素的含量大于氮元素的含量。5.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述保温层的厚度介于50纳米～100纳米之间。6.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述保温层的材料是SiOx和SiOxNy中的一种或两种材料的组合。7.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括起到开关作用的开关薄膜晶体管，所述基板对应于所述开关薄膜晶体管的区域上设置有...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁武，李松杉，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42