电致发光器件、其制备方法及显示装置制造方法及图纸

提供一种电致发光器件，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板表面的发光元件；以及封装所述发光元件的封装层；其中，所述封装层包括依次层叠的第一封装薄膜、过渡层和第二封装薄膜；所述过渡层包括完全碳化的高分子薄膜和经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层。还提供该电致发光器件的制备方法。本发明专利技术通过在现有的薄膜封装的基础上增加过渡层，过渡层包括完全碳化的高分子薄膜和经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层，改善OLED器件的散热不良、避免氧气和水汽进一步腐蚀OLED发光元件。

【技术实现步骤摘要】
电致发光器件、其制备方法及显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种OLED器件、其制备方法及显示装置。
技术介绍
有机发光(OLED)显示器件具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、对比度高、宽视角、工作温度范围宽、生产工艺简单等优点以及美好的前景，可适用于穿戴电子设备、智能手机、柔性显示，因而在产业界和科学界备受关注。目前，OLED器件大规模应用的瓶颈主要在于OLED器件使用寿命较短，而这也成为OLED器件领域的研究热门。影响OLED器件寿命的问题主要有两个方面：散热不良和发光元件中电极和/或有机层失效。散热不良由OLED器件内部的热量引起，包括界面势垒、有机层传输电阻、非辐射跃迁等产生的热量。对于封装良好的器件，基本上只存在有机层传输电阻产生的内部热量。尤其在高电流密度下，热量会影响激子的形成，从而影响器件的使用寿命。电极/有机层失效由氧气和水汽引起，由于阴极材料一般为Al、Mg等活泼金属，容易与进入器件内部的氧气和水汽发生电极化学反应而产生的一些微量气体，随着气体进一步的渗透，就会损害电极，使得电极和有机层脱落或者产生气泡，出现黑斑。这将对器件的发光效率和使用寿命产生极大的影响。现有的OLED显示装置处理水氧一般采用两种方法：其一是设置盖板以对OLED器件进行封装，这会导致OLED器件盒厚增加，而空气中的氧气和水蒸气还是会通过渗透等方式进入OLED器件；其二是通过碱金属氧化物吸收进入器件内部的水分。目前，这两种方法的处理效果都不甚理想，对水汽尚可以利用反应进行去除，但是会附带更多内部热量的产生，导致散热不良，而对于进入内部的氧气组分没有好的对策。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本专利技术提供过一种电致发光器件、其制备方法及显示装置。本专利技术一方面提供一种电致发光器件，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板表面的发光元件；以及封装所述发光元件的封装层；其中，所述封装层包括依次层叠的第一封装薄膜、过渡层和第二封装薄膜；所述过渡层包括完全碳化的高分子薄膜和经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层。根据本专利技术一实施方式，所述高分子薄膜选自聚丙烯腈薄膜和聚酰亚胺薄膜中的一种或多种。根据本专利技术的另一实施方式，所述高分子薄膜通过静电纺丝或涂覆形成。根据本专利技术的另一实施方式，所述镧系元素的氧化物选自氧化镧、氧化镨和氧化铒中的一种或多种。根据本专利技术的另一实施方式，所述具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物具有纳米线、纳米花或纳米片结构。根据本专利技术的另一实施方式，所述经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层的水接触角大于150度。根据本专利技术的另一实施方式，所述完全碳化的高分子薄膜的厚度为0.8-3μm；所述经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层的厚度为10-40μm。本专利技术另一方面提供一种电致发光器件的制备方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板表面形成发光元件；以及利用封装层封装所述发光元件；其中，所述封装层包括依次层叠的第一封装薄膜、过渡层和第二封装薄膜；所述过渡层包括完全碳化的高分子薄膜和经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层。形成所述过渡层包括：形成完全碳化所述高分子薄膜；在所述完全碳化的高分子薄膜上负载具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物；对所述具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物进行疏水处理。根据本专利技术的另一实施方式，所述形成高分子薄膜通过静电纺丝或涂覆形成。根据本专利技术的另一实施方式，通过水热法将所述具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物负载在所述完全碳化的高分子薄膜上。根据本专利技术的另一实施方式，所述疏水处理包括采用含全氟硅烷的溶液，对负载在所述完全碳化的高分子薄膜上的所述萤石晶体结构的镧系元素的氧化物进行喷雾处理。本专利技术另一方面还提供一种显示装置，包括上述电致发光器件。本专利技术通过在现有的薄膜封装的基础上增加过渡层，过渡层包括完全碳化的高分子薄膜和经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层，完全碳化的高分子薄膜具有多孔道结构，是极佳的散热介质，能够改善OLED器件的散热不良；具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物可以实现除氧的功能且由于具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物本身耐水汽腐蚀，其化学成分十分稳定，可以保证除氧功能的稳定性，具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物经过疏水改性后能够很好的避免氧气和水汽进一步腐蚀OLED发光元件。附图说明通过参照附图详细描述其示例实施方式，本专利技术的上述和其它特征及优点将变得更加明显。图1是本专利技术一实施例的电致发光器件的剖面结构示意图。图2是本专利技术一实施例的完全碳化的聚酰亚胺薄膜的SEM图。图3是本专利技术一实施例的负载在完全碳化的聚酰亚胺薄膜上的氧化铈的SEM图。图4是本专利技术一实施例的过渡层与水滴的接触角照片。其中，附图标记说明如下：1：衬底基板2：OLED发光元件3：第一封装薄膜4：过渡层5：第二封装薄膜6：水滴具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中，为了清晰，夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。如图1所示，本专利技术一实施例提供一种电致发光器件，包括衬底基板1、设置于衬底基板1表面的OLED发光元件2和封装发光元件2的封装层。封装层包括依次层叠的第一封装薄膜3、过渡层4和第二封装薄膜5。过渡层4包括层叠的完全碳化的高分子薄膜，和经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层。衬底基板1和OLED器件2为现有部件，在此不再过多描述。第一封装薄膜3和第二封装薄膜5可以任何适用的封装薄膜，例如聚对二甲苯薄膜。过渡层4设置于第一封装薄膜3和第二封装薄膜5之间，可以是如图1所示过渡层4封装在第一封装薄膜3和第二封装薄膜5之间，也可以是第一封装薄膜3、过渡层4和第二封装薄膜5形状和面积相同地四个边平齐层叠在一起。过渡层4包括完全碳化的高分子薄膜和经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层。过渡层4中可以是完全碳化的高分子薄膜相比于经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层更邻近OLED器件2，也可以是完全碳化的高分子薄膜相比于经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层相比于完全碳化的高分子薄膜更邻近OLED器件2。完全碳化的高分子薄膜具有多孔道结构，是极佳的散热介质，能够改善OLED器件散热不良的缺陷。经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层具有耐腐蚀性能和防水性能，其中具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物具有耐腐蚀性能和储氧能力，而疏水改性后又具备了疏水性，所以能实现隔水除氧的功能。经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层中的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物具有大量的氧空位，因而具有良好的储氧能力，能够储存到达过渡层4的氧气，从而实现除氧的功能；并且由于萤石晶体结构的镧系元素的氧化物本身耐水汽腐蚀，其化学成分十分稳定，可以保证除氧功能的稳定性。具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物通过疏水改性后，实现了镧系元素的氧化物膜层表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板表面的发光元件；以及封装所述发光元件的封装层；其中，所述封装层包括依次层叠的第一封装薄膜、过渡层和第二封装薄膜；所述过渡层包括完全碳化的高分子薄膜和经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层。

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板表面的发光元件；以及封装所述发光元件的封装层；其中，所述封装层包括依次层叠的第一封装薄膜、过渡层和第二封装薄膜；所述过渡层包括完全碳化的高分子薄膜和经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层。2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述高分子薄膜选自聚丙烯腈薄膜和聚酰亚胺薄膜中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述高分子薄膜通过静电纺丝或涂覆形成。4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述镧系元素的氧化物选自氧化镧、氧化镨和氧化铒中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物具有纳米线、纳米花或纳米片结构。6.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层的水接触角大于150度。7.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述完全碳化的高分子薄膜的厚度为0.8-3μm；所述经过疏水处理的具有萤石晶体结构的镧系元素的氧化物膜层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘承俊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，福州京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11