一种柔性有机薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种柔性有机薄膜晶体管及其制备方法，依次由柔性基底、栅电极、绝缘层、半导体层和源漏电极构成，柔性基底为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或纸；所述栅电极为氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌、银或纳米银线薄膜、导电聚合物PEDOT:PSS或PEDOT:PSS与AgNWs复合薄膜中的一种；绝缘层为聚4‑乙烯基‑苯酚与4,4'‑(六氟异丙烯)二酞酸酐发生酯化反应得到的交联物；半导体层为C8‑BTBT；源漏电极为金或银、或者纳米银线或者PEDOT:PSS。本发明专利技术的柔性有机薄膜晶体管具有高迁移率、低工作电压、理想开关比、良好柔韧性等优点，溶液法制备工艺简单、经济效益好，并可适用于大面积生产。

【技术实现步骤摘要】
一种柔性有机薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种基于不同栅电极的高迁移率柔性有机薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
有机薄膜晶体管，具有制备工艺简单、成本低、质量轻、材料来源广、柔韧性良好等优点，是下一代柔性电子技术的研究重点，可广泛应用于面板显示，传感器，人机界面，电子皮肤，可穿戴设备等领域。有机薄膜晶体管概念自20世纪70年代被提出以来，不断地向前发展，基底由刚性转变为柔性，更多的有机材料被设计合成，丰富了材料的选择。柔性有机薄膜晶体管(flexibleorganicthinfilmtransistor)器件的结构一般由基底、栅极、绝缘层、半导体层、源/漏电极构成，由于有机材料与柔性基底具有良好的兼容性，除电极用到氧化铟锡(ITO)，金和纳米银线(AgNWs)等金属材料外，晶体管的其他材料都是有机材料，从而可大规模采用低温能耗小的溶液法制备柔性有机薄膜晶体管。在有机电子学领域，可溶性的材料因其可在室温下或大气环境中通过简单的旋涂、刮涂或喷墨打印的方法形成均一无孔的高质量薄膜，而备受关注，尤其是在商业化生产中，低成本的技术更具优势。有机薄膜晶体管经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性有机薄膜晶体管，依次由柔性基底、栅电极、绝缘层、半导体层和源漏电极构成，其特征在于，所述柔性基底为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或纸；所述栅电极为氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌、银或纳米银线薄膜、导电聚合物PEDOT:PSS或PEDOT:PSS与AgNWs复合薄膜；所述绝缘层为聚4‑乙烯基‑苯酚与4,4'‑(六氟异丙烯)二酞酸酐发生酯化反应得到的交联物PVP‑HDA薄膜；所述半导体层为C8‑BTBT；所述的源漏电极为金或银、或者纳米银线或者PEDOT:PSS。

【技术特征摘要】
1.一种柔性有机薄膜晶体管，依次由柔性基底、栅电极、绝缘层、半导体层和源漏电极构成，其特征在于，所述柔性基底为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或纸；所述栅电极为氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌、银或纳米银线薄膜、导电聚合物PEDOT:PSS或PEDOT:PSS与AgNWs复合薄膜；所述绝缘层为聚4-乙烯基-苯酚与4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐发生酯化反应得到的交联物PVP-HDA薄膜；所述半导体层为C8-BTBT；所述的源漏电极为金或银、或者纳米银线或者PEDOT:PSS。2.一种权利要求1所述柔性有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括下述的步骤：配置PVP-HDA交联物溶液和C8-BTBT与聚苯乙烯混合物溶液，然后通过旋涂、刮涂、狭缝涂布、喷墨打印或卷对卷印刷的方法分别沉积形成绝缘层和半导体层，最后在半导体层上沉积源漏电极。3.根据权利要求2所述的柔性有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述PEDOT:PSS与AgNWs复合薄膜采用如下方法制备：配置PEDOT:PSS与二...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳军亮，刘天娇，谢朋杉，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43