基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及其制备方法与电存储器件技术

本发明专利技术公开了基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及器件的制备。针对目前制备过程复杂、有机化合物分子不易成膜及在柔性器件应用受限等问题，本发明专利技术利用单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物制成简单的三明治有机电存储器件，成功实现了有机电存储行为。在制备实验过程中，实现了分子的合成和器件的制备过程，而且所制备的柔性基底器件对于有机电存储在未来柔性器件的应用方面具有很大的实用价值，这大大拓宽了有机电存储器件的应用领域。

【技术实现步骤摘要】
基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及其制备方法与电存储器件
本专利技术属于有机半导体材料
，涉及单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物电存储材料的制备，以及通过该有机物配位化合物材料制备的多柔性基底的电存储器件。
技术介绍
近年来随着信息的爆炸式增长，传统的二进制存储器件已经不能满足目前信息储存的要求，促进了对超高密度信息存储技术的发展。有机电存储器件由于具有重量低、体积小、易于加工、结构多变成本低且在分子水平上易实现信息的写入和读取等优点收到了广泛的关注。但是由于有机配位化合物分子间作用力小，结合不稳定，对环境污染严重、在柔性基底上不易成膜等问题，这大大阻碍了有机配位化合物在多进制信息存储方面的应用。
技术实现思路
针对上述情况，本专利技术的目的旨在提供基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料的制备方法，以及通过该种方法制备的器件，与传统的器件相比，本专利技术中的有机电存储器件的开启电压低，且两次Vth1和Vth2得到了很好区分。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物在制备电存储材料或者电存储器件中的应用。一种基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物在制备电存储材料或者电存储器件中的应用。

【技术特征摘要】
1.单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物在制备电存储材料或者电存储器件中的应用。2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，将单宁酸溶液与六水合三氯化铁溶液混合后，加入碱得到单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物；然后将单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物制成有机物膜，得到电存储材料。3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，将导电基底置入单宁酸溶液与六水合三氯化铁溶液的混合液中，然后加入碱，在导电基底的表面制备单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物；然后将带有单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物的导电基底干燥在导电基底的表面制备有机物膜；最后在有机物膜表面制备电极，得到电存储器件。4.根据权利要求2或者3所述的应用，其特征在于，有机物膜的厚度为5～30nm；单宁酸、六水合三氯化铁的质量比为4∶1；单宁酸溶液的浓度为0.4mg/mL，六水合三氯化铁溶液的浓度为0.1mg/mL；碱为氢氧化钠。5.一种基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料的制备方法，包括以下步骤，将单宁酸溶液与六水合三氯化铁溶液混合后，加入碱得到单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的沉淀物；然后将单宁...

【专利技术属性】
技术研发人员：路建美，贺竞辉，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32