图像传感器及其制造方法技术

技术编号:20848166 阅读:47 留言:0更新日期:2019-04-13 09:21
本发明专利技术技术方案公开了一种图像传感器及其制造方法,所述图像传感器包括:半导体衬底,所述半导体衬底内形成有分立排列的光电二极管;滤色片,位于所述半导体衬底上且对应于所述光电二极管;微透镜,位于所述滤色片上,所述微透镜中掺有感光变色材料。本发明专利技术技术方案利用可变色微透镜在强光下呈深色的特性来减少光线进入量,从而改善图像的过曝光现象,提高图像传感器的性能。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种图像传感器及其制造方法。
技术介绍
图像传感器从物体接收光信号且将光信号转化为电信号,接着电信号可以被传输用于进一步的处理,诸如数字化,然后在诸如存储器、光盘或磁盘的存储器件中存储,或用于在显示器上显示、打印等。图像传感器通常用于诸如数字相机、摄像机、智能手机、扫描仪、传真机等设备。图像传感器具有标准动态响应范围,当入射的光线强度在图像传感器的标准动态响应范围之内时,图像传感器能够正常成像。若入射到图像传感器的光线强度高于图像传感器标准动态响应范围的最大值,则图像会出现过曝光现象,由此影响图像传感器的性能,且用户体验不好。
技术实现思路
本专利技术技术方案要解决的技术问题是现有的图像传感器成像时,入射光线强度太大会造成过曝光现象。为解决上述技术问题,本专利技术技术方案提供一种图像传感器,包括:半导体衬底,所述半导体衬底内形成有分立排列的光电二极管;滤色片,位于所述半导体衬底上且对应于所述光电二极管;微透镜,位于所述滤色片上,所述微透镜中掺有感光变色材料。可选的,所述感光变色材料的含量根据图像传感器的动态响应范围与光线强度的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:半导体衬底,所述半导体衬底内形成有分立排列的光电二极管;滤色片,位于所述半导体衬底上且对应于所述光电二极管;微透镜,位于所述滤色片上,所述微透镜中掺有感光变色材料。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:半导体衬底,所述半导体衬底内形成有分立排列的光电二极管;滤色片,位于所述半导体衬底上且对应于所述光电二极管;微透镜,位于所述滤色片上,所述微透镜中掺有感光变色材料。2.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述感光变色材料的含量根据图像传感器的动态响应范围与光线强度的关系而确定。3.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述微透镜由掺有感光粉的透镜材料、掺有吡螺环的树脂材料或者卤化银感光材料形成。4.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述微透镜包括透镜层和覆盖所述透镜层的变色层,所述变色层由掺有感光粉的透镜材料、掺有吡螺环的树脂材料或者卤化银感光材料形成。5.如权利要求3或4所述的图像传感器,其特征在于,所述透镜材料中感光粉的含量为0.8%~3%。6.如权利要求5所述的图像传感器,其特征在于,所述透镜材料中还掺有光安定剂和抗氧化剂。7.如权利要求6所述的图像传感器,其特征在于,所述透镜材料中光安定剂和抗氧化剂的含量为感光粉的含量的0....

【专利技术属性】
技术研发人员:张东亮陈世杰黄晓橹
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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