一种光化学与机械抛光相结合的半导体晶片加工方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶片光化学机械抛光加工方法，晶片固定在抛光头上，抛光垫粘贴在抛光盘底部且与抛光盘对应位置加工有通孔，紫外光源发出的紫外光可以透过通孔照射到晶片表面；抛光液通过通孔进入晶片与抛光垫的接触区。本发明专利技术设计的光化学机械抛光加工装置可较好地实现本发明专利技术中涉及的加工方法，加工装置具有操作简单，实现容易，工艺参数可灵活调节的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种光化学与机械抛光相结合的半导体晶片加工方法
本专利技术涉及抛光加工
，更具体地说是一种半导体晶片的光化学机械抛光加工方法。
技术介绍
以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)和金刚石为代表的第三代半导体晶体材料具有热导率好、击穿电场高、电子饱和速率大等优异的性能，与第二代半导体材料(如：砷化镓等)相比，更适合于用作高温、高频、高功率器件。当采用GaN、SiC等半导体晶元制造器件时，要求晶元必须具有较高的表面质量，包括：超平滑的表面无任何划痕、微裂纹和残余应力，以及无表面/亚表面损伤，否则会影响器件的最终性能。然而，GaN、SiC半导体晶体材料的化学键能大，化学性质极为惰性，在常温下几乎不与任何酸碱试剂发生化学反应，属于典型的硬脆难加工的半导体晶体材料。因此，目前加工这些晶元的主要方法是：首先采用超硬的金刚石磨粒对其进行磨削、研磨以获得较好的表面平整度，再采用传统的化学机械抛光技术(chemicalmechanicalpolishing(CMP))抛光加工。由于金刚石磨粒硬度大，不可避免地会对晶片造成表面/亚表面损伤。虽然，HideoAida等人(AppliedSurfaceSc本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片光化学机械抛光的加工方法，其特征在于，采用具有通孔的抛光盘带动具有通孔的抛光垫，对半导体晶片进行机械抛光；抛光过程中紫外光透过抛光盘和抛光垫的通孔辐照所述晶片，且化学抛光液透过抛光盘和抛光垫的通孔滴在晶片表面；所述化学抛光液中包括磨粒和氧化剂。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片光化学机械抛光的加工方法，其特征在于，采用具有通孔的抛光盘带动具有通孔的抛光垫，对半导体晶片进行机械抛光；抛光过程中紫外光透过抛光盘和抛光垫的通孔辐照所述晶片，且化学抛光液透过抛光盘和抛光垫的通孔滴在晶片表面；所述化学抛光液中包括磨粒和氧化剂。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步骤：⑴将晶片固定抛光头上，经驱动，晶片随抛光头轴向旋转；⑵将抛光垫固定于抛光盘，经驱动，抛光垫与晶片表面接触，并产生相对运动；⑶抛光过程中，紫外光透过抛光盘和抛光垫的通孔辐照所述晶片；抛光液经抛光盘和抛光垫的通孔浸渍晶片与抛光垫的接触区。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抛光盘的通孔与抛光垫的通孔的布局一致。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法的光化学与机械作用的面积比为1:12～1:1。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：董志刚，康仁科，欧李苇，时康，高尚，朱祥龙，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁,21