一种用于磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元筛选方法技术

一种用于磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元筛选方法，用于筛选自旋扭矩磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元，在电路中加入一个已知阻值的电阻作为参照检测电阻，然后依次将所有的参照磁性隧道结写到高阻态或低组态，逐一对所述参照磁性隧道结与所述参照检测电阻进行比较，并对不良参照磁性隧道结进行记录；最后得到允许进入参照平均电路的所述参照磁性隧道结。本发明专利技术公开的方法能够排除不良参照磁性隧道结参与参照电阻平均，解决由于不良参照磁性隧道结的存在而使得大量以此为参照的数据记忆单元不能准确读取的问题。

A Screening Method for Reference Magnetic Tunnel Junction Units in Magnetic Random Memory

A method for screening reference magnetic tunnel junction units in magnetic random memory is presented. The method is used to screen reference magnetic tunnel junction units in spin-torque magnetic random memory. A resistance with known resistance value is added to the circuit as reference detection resistance. Then all reference magnetic tunnel junctions are written into high resistance or low configuration one by one, and the reference magnetic tunnel junctions are described one by one. The reference resistance is compared with the detection resistance, and the bad reference magnetic tunnel junction is recorded. Finally, the reference magnetic tunnel junction which is allowed to enter the reference average circuit is obtained. The method disclosed in the present invention can eliminate the incorrect reference magnetic tunnel junction participating in the average of reference resistance, and solve the problem that a large number of data memory units based on the incorrect reference magnetic tunnel junction can not be read accurately due to the existence of the incorrect reference magnetic tunnel junction.

【技术实现步骤摘要】
一种用于磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元筛选方法
本专利技术属于半导体芯片存储器领域中的存储器的数据读写方法，尤其涉及一种用于磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元筛选方法。
技术介绍
磁性随机存储器(MRAM)是一种新兴的非挥发性存储技术。它拥有高速的读写速度和高集成度，且可以被无限次的重复写入。不同的磁性随机存储器采用不同的方法来改变记忆层的磁化方向。第一代场转换磁性随机存储器是用较大电流在磁性隧道结产生磁场来改变记忆层的磁场方向。新的自旋扭矩转换磁性随机存储器(STTMRAM)是使用电流脉冲直接穿过磁性隧道结，电流的方向可以改变记忆层的磁化方向，从而决定了磁性隧道结的电阻态和磁电阻记忆单元的逻辑态。这种新型的磁性随机存储器不仅能耗非常低，而且由于所需的转换电流可以随着磁性隧道结的尺寸减小而减小，因此可以适合未来半导体芯片结点尺寸进一步缩小的需求。但是随着磁性随机存储器内的磁性隧道结尺寸不断缩小，对制造的工艺要求也越来越高，现有工艺下磁电阻的均匀性也越来越差。读取磁电阻记忆单元的数据，就是要检测其磁性隧道结是处在高电阻态“1”还是低阻态“0”。为了准确区分电阻态，磁性隧道结要求达到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元筛选方法，用于筛选自旋扭矩磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元，其特征在于，具体包括如下步骤：S1.在电路中加入一个已知阻值的电阻作为参照检测电阻；S2.将所有的参照磁性隧道结写到高阻态；S3.逐一对所述参照磁性隧道结与所述参照检测电阻进行比较，如果一个所述参照磁性隧道结阻值小于所述参照检测电阻阻值，则记录该参照磁性隧道结为不良参照磁性隧道结；S4.将所有的所述参照磁性隧道结写到低阻态；S5.逐一对所述参照磁性隧道结与所述参照检测电阻进行比较，如果一个所述参照磁性隧道结阻值大于所述参照检测电阻阻值，则记录该参照磁性隧道结为不良参照磁性隧道；S6.得到...

【技术特征摘要】
1.一种用于磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元筛选方法，用于筛选自旋扭矩磁性随机存储器中参照磁性隧道结单元，其特征在于，具体包括如下步骤：S1.在电路中加入一个已知阻值的电阻作为参照检测电阻；S2.将所有的参照磁性隧道结写到高阻态；S3.逐一对所述参照磁性隧道结与所述参照检测电阻进行比较，如果一个所述参照磁性隧道结阻值小于所述参照检测电阻阻值，则记录该参照磁性隧道结为不良参照磁性隧道结；S4.将所有的所述参照磁性隧道结写到低阻态；S5.逐一对所述参照磁性隧道...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞华樑，戴瑾，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31