一种基于SiC二极管的三相改进型双Buck/Boost变流器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于SiC二极管的三相改进型双Buck/Boost的变流器，包括三相上下桥IGBT管、对应外接续流二极管，以及反向连接的交流IGBT开关；其交流侧设置LCL滤波器电路，而LCL滤波器电路变流器侧的电感由两个独立的电感组成。本实用新型专利技术上下IGBT管之间无死区，不仅可以实现能量的双向流动，有效减小了交流侧的电流谐波和电路的功率损耗，此外，通过设置反向连接的交流IGBT开关，可降低电流过零点畸变率，提高工作效率和工作性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于SiC二极管的三相改进型双Buck/Boost变流器
本技术涉及一种基于SiC二极管的三相改进型双Buck/Boost变流器的研究，属于电力电子变流器的

技术介绍
随着新能源技术的发展，在光伏发电、风电、电动汽车充电桩等中高功率场合，三相AC/DC变流器都得到了广泛的应用，已成为新能源发电及电能质量治理的重要设备，市场需求越发迫切，是当今电力电子
的热点。因此，优化三相AC/DC变流器的波形质量，提高工作可靠性，改进变流器拓扑等研究工作具有重要的意义。传统硅基IGBT三相桥式变流器以其性能稳定、便于控制等优点得到了广泛的应用。然而其每相上、下桥臂功率管直接相连，存在开关直通问题，影响工作可靠性。为避免直通，必须给互补的桥臂驱动信号加入死区，引入额外的低频谐波，增加了滤波器的体积与成本；此外，硅基IGBT在开关时刻有较多的反向恢复电流流过互补功率管，不但增加其损耗，还容易导致其非正常的IGBT闭锁，引发故障同时容易产生电流过零点畸变。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是现有技术中的不足，提供一种无需设置死区，减小交流侧低频谐波且电流过零点畸变率低的三相改进型双Bu本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于SiC二极管的三相改进型双Buck/Boost的变流器，包括直流侧和交流侧，其特征是，包括直流侧电容(Cin1)和(Cin2)、A相上桥IGBT管(Sa1)、A相下桥IGBT管(Sa2)、A相交流IGBT开关(Sa3)和A相交流IGBT开关(Sa4)、B相上桥IGBT管(Sb1)、B相下桥IGBT管(Sb2)、B相交流IGBT开关(Sb3)和B相交流IGBT开关(Sb4)、C相上桥IGBT管(Sc1)、C相下桥IGBT管(Sc2)、C相交流IGBT开关(Sc3)和C相交流IGBT开关(Sc4)、A相上桥续流二极管(Da1)、A相下桥续流二极管(Da2)、B相上桥续流二极管(Db1)...

【技术特征摘要】
1.一种基于SiC二极管的三相改进型双Buck/Boost的变流器，包括直流侧和交流侧，其特征是，包括直流侧电容(Cin1)和(Cin2)、A相上桥IGBT管(Sa1)、A相下桥IGBT管(Sa2)、A相交流IGBT开关(Sa3)和A相交流IGBT开关(Sa4)、B相上桥IGBT管(Sb1)、B相下桥IGBT管(Sb2)、B相交流IGBT开关(Sb3)和B相交流IGBT开关(Sb4)、C相上桥IGBT管(Sc1)、C相下桥IGBT管(Sc2)、C相交流IGBT开关(Sc3)和C相交流IGBT开关(Sc4)、A相上桥续流二极管(Da1)、A相下桥续流二极管(Da2)、B相上桥续流二极管(Db1)、B相下桥续流二极管(Db2)、C相上桥续流二极管(Dc1)、C相下桥续流二极管(Dc2)；所述A相上桥IGBT管(Sa1)的E极与A相下桥续流二极管(Da2)的阴极相连于连接点Oa，A相上桥续流二极管(Da1)的阳极与A相下桥IGBT管(Sa2)的C相连于连接点Ma，所述B相上桥IGBT管(Sb1)的E极与B相下桥续流二极管(Db2)的阴极相连于连接点Ob，B相上桥续流二极管(Db1)的阳极与B相下桥IGBT管(Sa2)的C极相连于连接点Mb，所述C相上桥IGBT管(Sc1)的E极与C相下桥续流二极管(Dc2)的阴极相连于连接点Oc，C相上桥续流二极管(Dc1)的阳极与C相下桥IGBT管(Sc2)的C极相连于连接点Mc；A相连接点Oa和直流电容器与电源中性点(N’)之间连接A相交流IGBT开关(Sa3)，所述A相交流IGBT开关(Sa3)的E极相连于连接点Oa且C极相连于直流电容器与电源中性点(N’)，A相连接点Ma和直流电容器与电源中性点(N’)之间连接A相交流IGBT开关(Sa4)，所述A相交流IGBT开关(Sa4)的C极相连于连接点Ma、A相交流IGBT开关(Sa4)的E极相连于直流电容器与电源中性点(N’)；B相连接点Ob和直流电容器与电源中性点(N’)之间连接B相交流IGBT开关(Sb3)，所述B相交流IGBT开关(Sb3)的E极相连于连接点Ob、B相交流IGBT开关(Sb3)的C极相连于直流电容器与电源中性点(N’)，B相连接点Mb和直流电容器与电源中性点(N’)之间连接B相交流IGBT开关(Sb4)，所述B相交流IGBT开关(Sb4)的C极相连于连接点Mb、B相交流IGBT开关(Sb4)的E极相连于直流电容器与电源中性点(N’)；C相连接点Oc和直流电容器与电源中性点(N’)之间连接C相交流IGBT开关(Sc3)，所述C相交流IGBT开关(Sc3)的E极相连于连接点Oc、C相交流IGBT开关(Sc3)的C极相连于直流电容器与电源中性点(N’)，C相连接点Mc和直流电容器与电源中性点(N’)之间增加C相交流IGBT开关(Sc4)，所述C相交流IGBT开关(Sc4)的C极相连于连接点Mc、C相交流IGBT开关(Sc4)的E极相连于直流电容器与电源中性点(N’)；所述A相上桥续流二极管(Da1)、A相下桥续流二极管(Da2)、B相上桥续流二极管(Db1)、B相下桥续流二极管(Db2)、C相上桥续流二极管(Dc1)和C相下桥续流二极管(Dc2)均采用SiC肖特基二极管。2.根据权利要求1所述的基于SiC二极管的三相改进型双uck/Boost的变流器，其特征在于，所述交流侧为LCL滤波器电路，所述LCL滤波器电路包括变流器侧第一滤波电感(La1)、变流器侧第二滤波电感(La2)、变流器侧第三滤...

【专利技术属性】
技术研发人员：张敏，马自应，
申请(专利权)人：南京德汇电气有限责任公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32