一种SiC功率器件终端制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，具体公开了一种SiC功率器件终端，其中，所述SiC功率器件终端包括：自下而上依次设置的阴极金属层、第一导电类型衬底层和第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层上设置有多个间隔分立的第二导电类型场限环，所述第一导电类型外延层上设置有多个间隔分立的第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区与所述第二导电类型场限环交替设置，所述第二导电类型阱区和所述第二导电类型场限环上设置钝化层。本实用新型专利技术提供的SiC功率器件终端具有可靠性高且能够提高产品合格率的优势。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC功率器件终端
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种SiC功率器件终端。
技术介绍
功率器件及其模块为实现多种形式电能之间转换提供了有效的途径，在国防建设、交通运输、工业生产、医疗卫生等领域得到了广泛应用。自上世纪50年代第一款功率器件应用以来，每一代功率器件的推出，都使得能源更为高效地转换和使用。因此，功率器件要进一步发展，就必须有效地降低导通电阻。传统功率器件及模块由Si基功率器件主导，主要以晶闸管、功率PIN器件、功率双极结型器件、功率MOSFET以及绝缘栅场效应晶体管等器件为主，在全功率范围内均得到了广泛的应用，以其悠久历史、十分成熟的设计技术和工艺技术占领了功率半导体器件的主导市场。然而，导通电阻受击穿电压限制而存在一个极限——称之为“硅极限”(Siliconlimit)，而无法再降低。研究表明，对于理想N沟道功率MOS(即Ron只考虑漂移层电阻RD)，导通电阻与击穿电压的关系为：随着深空探测、深层油气勘探、超高压电能转换、高速机车驱动和核能开发等极端环境下的应用需求，Si基功率器件己无法满足高功率、高频和高温等要求。采用器件并联或串联封装可实现高电压和大电流的需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC功率器件终端，其特征在于，所述SiC功率器件终端包括：自下而上依次设置的阴极金属层（1）、第一导电类型衬底层（2）和第一导电类型外延层（3），所述第一导电类型外延层（3）上设置有多个间隔分立的第二导电类型场限环（5），所述第一导电类型外延层（3）上设置有多个间隔分立的第二导电类型阱区（4），所述第二导电类型阱区（4）与所述第二导电类型场限环（5）交替设置，所述第二导电类型阱区（4）和所述第二导电类型场限环（5）上设置钝化层（7）。

【技术特征摘要】
1.一种SiC功率器件终端，其特征在于，所述SiC功率器件终端包括：自下而上依次设置的阴极金属层（1）、第一导电类型衬底层（2）和第一导电类型外延层（3），所述第一导电类型外延层（3）上设置有多个间隔分立的第二导电类型场限环（5），所述第一导电类型外延层（3）上设置有多个间隔分立的第二导电类型阱区（4），所述第二导电类型阱区（4）与所述第二导电类型场限环（5）交替设置，所述第二导电类型阱区（4）和所述第二导电类型场限环（5）上设置钝化层（7）。2.根据权利要求1所述的SiC功率器件终端，其特征在于，所述第二导电类型阱区（4）的深度大于所述第二导电类型场限环（5）的深度。3.根据权利要求1所述的SiC功率器件终端，其特征在于，所述第二导电类型阱区（4）的杂质浓度低于所述第二导电类型场限环（5）的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，叶鹏，杨卓，华凌飞，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32