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本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种SiC功率器件终端，其中，所述SiC功率器件终端包括：自下而上依次设置的阴极金属层、第一导电类型衬底层和第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层上设置有多个间隔分立的第二导电类型场限环，所述第一...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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