一种半导体存储器制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体存储器，该半导体存储器的在半导体衬底具有多个间隔排布的有源区；沿预定方向形成的位线接触窗；沿垂直于预定方向的方向形成的字线。该字线将位线接触窗切断，两条字线中间形成独立的位线接触窗。减小了黄光对准形成位线接触窗的难度，避免了现有技术中形成位线接触孔对准偏差造成的电阻过大的问题。在位线接触窗上方形成有位线；该位线与位线接触窗之间可以具有一定的偏移量，这样既可以实现良好的接触，又能减小电阻。沿字线的平行方向在有源区之间形成隔离线介质层；在字线、位线及所述隔离线介质层之间形成导电层。通过字线隔离层和位线隔离层作为侧壁实现存储接触窗之间的自对准隔离，可操作性强。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体存储器
本技术涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种半导体存储器。
技术介绍
随着存储器尺寸的不断缩减，存储器中的各个组件的特征尺寸也随之缩小，而这对于目前的光刻工艺而言，将是一项极大的挑战。在执行多道光刻工艺时，由于光罩存在对准偏差的问题，因此对形成的存储器中的部分组件之间的电性连接与隔离造成影响。在传统的存储器中，通常位线接触窗和存储节点接触窗的光罩为接触孔光罩。在利用光刻工艺直接定义出位线接触窗以及存储节点接触窗时，将很可能导致所形成的接触窗和接触区之间产生较大的位移偏差，进而使接触电阻过大或者与器件内其他导体产生很大的寄生电容。以上问题不但会影响后续所形成的存储器的性能，并且也不利于实现组件尺寸的缩小。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种半导体存储器，以解决位线接触窗对准偏移的问题，实现存储接触窗之间的自对准隔离。本技术提供一种半导体存储器，该半导体存储器至少包括：半导体衬底，半导体衬底具有多个间隔排布的有源区，有源区包括第一接触区和位于第一接触区两侧的第二接触区；位线接触窗，位线接触窗沿预定方向形成在半导体衬底上；字线，字线沿垂直于预定方向的方向形成在半导体衬底上，字线将位线接触窗切断，两条字线中间形成独立的位线接触窗；以及位线，位线形成在位线接触窗上方；其中，所述半导体衬底上具有隔离结构，所述隔离结构在所述半导体衬底上隔离出所述多个有源区；并且所述半导体衬底上还生长有第一介质层以保护所述有源区，所述第一介质层包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或它们的组合。可选地，半导体存储器还包括：隔离线介质层，隔离线介质层沿所述字线的平行方向，位于有源区之间；以及导电材料层，其位于所述字线、位线及所述隔离线介质层之间，并且连接到所述有源区的第二接触区。可选地，位线接触窗包括间隔绝缘层及第一导电层，间隔绝缘层位于位线接触窗的侧壁上，第一导电层位于间隔绝缘层中间。可选地，第一导电层包括钨、钛、镍、铝、氧化钛、氮化钛中的一种或它们的组合。可选地，字线包括依次沉积形成的栅氧化层、字线导体，以及在字线导体上方自对准填充形成的字线隔离层。可选地，位线包括第二间隔绝缘、第二导电层及在间隔绝缘层和第二导电层上方自对准地填充形成的位线隔离层，间隔绝缘层位于位线的侧壁上，第二导电层位于间隔绝缘层中间。可选地，位线具有波浪形图案。可选地，位线与位线接触窗之间具有一定的偏移量。可选地，位线宽度大于位线接触窗的宽度。如上所述，本技术的半导体存储器及其制备方法具有如下技术效果：1、本技术的半导体存储器，在所述半导体衬底上具有沿预定方向形成的位线接触窗；沿垂直于所述预定方向的方向形成的字线将位线接触窗切断，两条字线中间形成独立的位线接触窗，由于位线接触窗被切断，避免了现有技术中形成位线接触孔对准偏差造成的电阻过大的问题。同时，减小了黄光对准形成位线接触窗的难度。2、所述半导体存储器中的位线可以与位线接触窗之间存在一定的偏移量。例如，允许位线宽度大于位线接触窗的宽度。这样既可以实现良好的接触，又能减小电阻。3、位线具有波浪形图案，该波浪形位线既可以将上下有源区的存储接触窗隔离，又可以与隔离区的位线接触窗材料分离开来，便于后续将其去除。4、通过将所述字线隔离层和所述位线隔离层作为侧墙，实现存储接触窗之间的自对准隔离，可操作性强。综上，本技术提供的半导体存储器中，电容器接触与存储结点接触区之间不会产生位移偏差，因此不会存在接触电阻过大或与器件内其他导体产生很大的寄生电容。因此能够大大提高存储器的性能，并且有利于实现组件尺寸的缩小。附图说明通过参考附图会更加清楚的理解本技术的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本技术进行任何限制，在附图中：图1显示为本专利技术实施例一提供的半导体存储器的结构示意图；图2显示为沿图1中A-A’方向的截面结构示意图。图3显示为本专利技术实施例一提供的半导体存储器的制备方法的流程图；图4显示为本专利技术实施例一提供的半导体存储器的制备方法中步骤S01所得结构的结构示意图；图5显示为沿图4中A-A’方向的截面结构示意图；图6显示为本专利技术实施例一提供的半导体存储器的制备方法中步骤S02所得结构的结构示意图；图7-8显示为沿图6中A-A’方向的截面结构示意图；图9显示为本专利技术实施例一提供的半导体存储器的制备方法中步骤S03所得结构的结构示意图；图10-11显示为沿图9中A-A’方向的截面结构示意图；图12显示为本专利技术实施例一提供的半导体存储器的制备方法中步骤S04所得结构的结构示意图；图13-14显示为沿图12中A-A’方向的截面结构示意图；图15显示为执行本专利技术实施例一提供的半导体存储器的制备方法中步骤S04的过程中形成位线隔离层所得结构的示意图。图16-17为沿图15中A-A’方向的截面结构示意图。图18显示为执行本专利技术实施例一提供的半导体存储器的制备方法中步骤S05的过程中去除所述字线掩模及第一接触区区域以外的位线接触窗材质所得结构的示意图。图19显示为沿图18中A-A’方向的截面结构示意图。图20显示为执行本专利技术实施例一提供的半导体存储器的制备方法中步骤S05的过程中沉积第二介质层所得结构的结构示意图。图21显示为沿图20中A-A’方向的截面结构示意图。图22显示为执行本专利技术实施例一提供的半导体存储器的制备方法中步骤S05形成隔离线介质层所得结构的示意图。图23-24显示为沿图22中A-A’方向的截面结构示意图。附图标记100半导体衬底110有源区111位线接触区112存储节点接触区120隔离结构130第一介质层131硬掩模140’位线接触窗沟槽140a第一间隔绝缘层140b第一导电材料140位线接触窗220字线210’字线沟槽210字线掩模220a字线导体220b字线隔离层300位线310第二硬掩模310’位线沟槽300a第二间隔绝缘层300b位线导体300c位线隔离层410第二介质层410a第二介质层结构420隔离线介质层420’隔离沟槽500第二导电材料具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供一种半导体存储器及其制备方法，解决了现有技术中光罩存在对准偏差、不利于实现组件尺寸的缩小的问题。实施例一参照附图1-2，并参阅附图4-24，本技术还提供了一种半导体存储器，在本实施例中，所述半导体存储器包含：半导体衬底100，半导体衬底100具有多个间隔排布的有源区110，有源区110上形成有第一接触区111和位于第一接触区111两侧的第二接触区112；例如，如图4所示，本实施例中的有源区沿Z方向延伸并且呈陈列式排布。如图6所示，半导体衬底100上还沉积有第一介质层130，以保护有源区110。位线接触窗140，位线接触窗140沿预定方向形成在半导体衬底100上；位线接触窗140包括第一间隔绝缘140a层及第一导电层140b，所述第一间隔绝缘层140本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器至少包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有多个间隔排布的有源区，所述有源区包括第一接触区和位于所述第一接触区两侧的第二接触区；位线接触窗，所述位线接触窗沿预定方向形成在所述半导体衬底上；字线，所述字线沿垂直于所述预定方向的方向形成在所述半导体衬底上，所述字线将所述位线接触窗切断，两条字线中间形成独立的位线接触窗；以及位线，所述位线形成在所述位线接触窗上方；其中，所述半导体衬底上具有隔离结构，所述隔离结构在所述半导体衬底上隔离出所述多个有源区；并且所述半导体衬底上还生长有第一介质层以保护所述有源区，所述第一介质层包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或它们的组合。

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器至少包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有多个间隔排布的有源区，所述有源区包括第一接触区和位于所述第一接触区两侧的第二接触区；位线接触窗，所述位线接触窗沿预定方向形成在所述半导体衬底上；字线，所述字线沿垂直于所述预定方向的方向形成在所述半导体衬底上，所述字线将所述位线接触窗切断，两条字线中间形成独立的位线接触窗；以及位线，所述位线形成在所述位线接触窗上方；其中，所述半导体衬底上具有隔离结构，所述隔离结构在所述半导体衬底上隔离出所述多个有源区；并且所述半导体衬底上还生长有第一介质层以保护所述有源区，所述第一介质层包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或它们的组合。2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器还包括：隔离线介质层，所述隔离线介质层沿所述字线的平行方向，位于所述有源区之间；以及导电材料层，所述导电材料层位于所述字线、位线及所述隔离线介质层之间，并且连接到所述有源区的第二接触区。3.根据权利要求1或2所述的半导体存储器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34