半导体加工装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种半导体加工装置，其包括：腔体，包括内腔，所述内腔具有侧壁和顶壁；第一流道，位于所述侧壁外，所述第一流道还具有出气孔；多个排气孔，位于所述侧壁上，用于连通所述内腔与所述第一流道；以及进气口，位于所述顶壁的中部，连通所述内腔；载物平台，设置在所述腔体内；其中，多个所述排气孔沿着所述第一流道排列，随着所述排气孔到所述出气孔的距离的增长，所述排气孔的孔径具有增长的趋势。采用这种半导体加工装置来制作薄膜，则硅片上薄膜的局部应力的方向均趋于背离硅片的圆心。

【技术实现步骤摘要】
半导体加工装置
本技术总体来说涉及一种半导体加工领域，具体而言，涉及一种半导体加工装置。
技术介绍
在现今的半导体工业中，硬掩模主要运用于多重光刻工艺中，首先把多重光刻胶图像转移到硬掩模上，然后通过硬掩模将最终图形刻蚀转移到衬底上。为应对集成电路临界尺寸越来越窄的需求，需要制造更高分辨率的图形，光刻胶厚度必须相应的降低以增加图样转移的精确度。因此,我们需要一个有高选择比的材料当硬掩模来减少光刻胶的厚度，尤其是应用在70纳米以下先进工艺中的高深宽比下的图样转移。现有技术中氮化硅，氮碳化硅,非晶硅,碳薄膜等薄膜皆可作为硬掩模。但对于底材氧化硅薄膜或是掺杂硼、磷或氟的氧化硅薄膜而言，碳薄膜的制造成本低，因此碳薄膜常用于高深宽比的光刻胶图样转移层或是硬掩模层。但在线宽越窄的高密度图形转移工艺中，光刻胶的曝光条件越趋严苛。对于前程工艺碳薄膜与光刻胶间的匹配程度，也会成为光刻胶曝光成功与否的重要关键。随着集成电路临界尺寸越来越窄的要求，为了制造更高分辨率的图形，对硬掩模的要求也会越来越高；碳薄膜作为一种硬掩模，被用来作为图像转移的牺牲层，其薄膜的局部应力均匀性对图像的转移有着很大的影响。但是目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体加工装置，其特征在于，包括：腔体(10)，包括内腔(16)，所述内腔具有侧壁(11)和顶壁(13)；第一流道(111)，位于所述侧壁(11)外，所述第一流道(111)还具有出气孔(115)；多个排气孔(114)，位于所述侧壁(11)上，用于连通所述内腔(16)与所述第一流道(111)；以及进气口(131)，位于所述顶壁(13)的中部，连通所述内腔(16)；载物平台(14)，设置在所述腔体(10)内；其中，多个所述排气孔(114)沿着所述第一流道(111)排列，随着所述排气孔(114)到所述出气孔(115)的距离的增长，所述排气孔(114)的孔径具有增长的趋势。

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工装置，其特征在于，包括：腔体(10)，包括内腔(16)，所述内腔具有侧壁(11)和顶壁(13)；第一流道(111)，位于所述侧壁(11)外，所述第一流道(111)还具有出气孔(115)；多个排气孔(114)，位于所述侧壁(11)上，用于连通所述内腔(16)与所述第一流道(111)；以及进气口(131)，位于所述顶壁(13)的中部，连通所述内腔(16)；载物平台(14)，设置在所述腔体(10)内；其中，多个所述排气孔(114)沿着所述第一流道(111)排列，随着所述排气孔(114)到所述出气孔(115)的距离的增长，所述排气孔(114)的孔径具有增长的趋势。2.如权利要求1所述的半导体加工装置，其特征在于，所述内腔(16)为筒形，所述第一流道(111)为环形，且所述环形垂直于侧壁(11)的延伸方向。3.如权利要求2所述的半导体加工装置，其特征在于，所述第一流道(111)包括为依次靠近所述出气孔(115)的第一区域(116)、第二区域(117)和第三区域(118)，所述侧壁(11)对应所述第一区域(116)、所述第二区域(117)和所述第三区域(118)的部分分别为第一侧壁部分、第二侧壁部分和第三侧壁部分，所述第一侧壁部分、所述第二侧壁部分和所述第三侧壁部分上的排气孔(114)的孔径依次减小。4.如权利要求3所述的半导体加工装置，其特征在于，所述第一侧壁部分上的排气孔(114)的直径取值范围为21～30mm，所述第二侧壁部分上的排气孔(114)的直径取值范围为16～20mm，所述第三侧壁部分上的排气孔(114)的直径取值范围为10～15mm。5.如权利要求3或4所述的半导体加工装置，其特征在于，所述第一侧壁部分上的相邻两个排气孔(114)的间距、所述第二侧壁部分上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34