调节单晶硅生长过程中氧含量的方法技术

本发明专利技术公开了调节单晶硅生长过程中氧含量的方法，该方法包括：当晶棒生长至总长度的50‑70％后，使得坩埚以第一转速和第二转速交替进行旋转。由此通过间隔切换坩埚的转速，可以间歇性地改变坩埚相对硅溶汤的旋转速度或者旋转方向，进而增加硅溶汤与石英坩埚的摩擦，加快石英坩埚中氧溶解到硅溶汤中，从而有效弥补了由于硅熔汤量减少导致的石英坩埚中氧溶解减少的量，有效缩小单晶硅整体长度的氧浓度的范围。

【技术实现步骤摘要】
调节单晶硅生长过程中氧含量的方法
本专利技术属于单晶硅领域，具体而言，本专利技术涉及调节单晶硅生长过程中氧含量的方法。
技术介绍
石英在高温情况下会与硅熔汤反应(SiO2+Si→2SiO)，给晶棒提供了一定浓度的氧。拉晶开始时，熔汤与石英坩埚接触面积大，氧进入晶棒多，晶棒头部氧含量高，反之，晶棒尾部氧含量低。过高的氧含量会引入过多的二次缺陷，但具有一定的氧含量，能使硅片结合器件工艺，形成内吸杂，吸除金属杂质；氧杂质还能钉扎位错，提高硅片机械强度。因此降低晶棒头部氧含量，提高尾部氧含量，使得整根晶棒氧含量处在一定范围内是行业普遍追求的。一般情况下，通过添加磁场，阻止氧进入晶棒达到降低头部氧含量的目的，然后采用增加坩埚转速，增加了熔汤和坩埚的剪应力(shearstress)，使得石英坩埚释出较多的氧，进而增加尾部的氧含量。但是该方法会严重影响硅熔汤温度分布、且使得氧沿着晶棒径向的均匀性(radialuniformity)变差，对单晶的稳定生长产生不利影响。因此，增加单晶尾部氧含量的工艺有待进一步研究改进。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种调节单晶硅生长过程中氧含量的方法，其特征在于，当晶棒生长至总长度的50‑70％后，使得坩埚以第一转速和第二转速交替进行旋转。

【技术特征摘要】
1.一种调节单晶硅生长过程中氧含量的方法，其特征在于，当晶棒生长至总长度的50-70％后，使得坩埚以第一转速和第二转速交替进行旋转。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一转速为匀速，第二转速为匀速，第二转速的速率小于第一转速。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一转速为4-8rpm，第二转速为0-4rpm。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，每次以所述第一转速旋转的时间为5-40秒，以所述第二转速旋转的时间为5-40秒。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一转速包括不断增大的转速，第二转速包括不断减小的转速，第一转速增长速率和第二转速减少速率分别表征所述第一转速增长和所述第二转速减少的快慢。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一转速包括使所述坩埚以第一固...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄末，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32