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本发明公开了调节单晶硅生长过程中氧含量的方法，该方法包括：当晶棒生长至总长度的50‑70％后，使得坩埚以第一转速和第二转速交替进行旋转。由此通过间隔切换坩埚的转速，可以间歇性地改变坩埚相对硅溶汤的旋转速度或者旋转方向，进而增加硅溶汤与石英坩...该专利属于徐州鑫晶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过徐州鑫晶半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了调节单晶硅生长过程中氧含量的方法，该方法包括：当晶棒生长至总长度的50‑70％后，使得坩埚以第一转速和第二转速交替进行旋转。由此通过间隔切换坩埚的转速，可以间歇性地改变坩埚相对硅溶汤的旋转速度或者旋转方向，进而增加硅溶汤与石英坩...