一种硅基底类金刚石保护膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基底类金刚石保护膜，包括硅基底、类金刚石保护膜及锗连接层；所述锗连接层设置于硅基底与类金刚石保护膜之间。本发明专利技术中的一种硅基底类金刚石保护膜，在硅基底与类金刚石保护膜之间设置了锗连接层，增强了类金刚石保护膜在硅基底上的附着力，特别是提高了硅基底边缘类金刚石保护膜的附着力，避免了边缘出现脱膜现象，实现类金刚石保护膜在硅基底上全口径稳定覆盖，降低废品率，节省生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基底类金刚石保护膜及其制备方法
本专利技术涉及红外镀膜
，尤其涉及一种硅基底类金刚石保护膜及其制备方法。
技术介绍
在军事和空间技术中，硅基底光学元件多数都工作在恶劣的自然环境中，元件经常受到风蚀、沙蚀、雨淋及化学腐蚀的考验，很多光学元件都因为其机械强度和腐蚀性差而易受到损伤，进而降低其固有性能。因此需要通过镀制具有保护功能的类金刚石薄膜来提高硅基底元件的环境适应性。现有的技术是在Si基底上镀制单层类金刚石薄膜，其膜层结构和镀制工艺相对简单，但由于硅基底与类金刚石保护膜本身存在匹配结合能力欠佳的问题，易出现脱膜现象。特别是口径较大的硅基底边缘脱膜现象频繁发生，严重降低了产品合格率。
技术实现思路
为解决现有技术中，类金刚石保护膜与硅基底之间存在的匹配结合能力欠佳的技术问题，本专利技术的技术方案如下：本专利技术中的一种硅基底类金刚石保护膜，包括硅基底、类金刚石保护膜及锗连接层；所述锗连接层设置于硅基底与类金刚石保护膜之间。在一种优选的实施方式中，所述类金刚石保护膜的平均透过率≥66％、平均反射率≤3％。在一种优选的实施方式中，所述硅基底所采用的材料为红外光学材料硅。本专利技术还本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基底类金刚石保护膜，其特征在于，包括硅基底、类金刚石保护膜及锗连接层；所述锗连接层设置于硅基底与类金刚石保护膜之间。

【技术特征摘要】
1.一种硅基底类金刚石保护膜，其特征在于，包括硅基底、类金刚石保护膜及锗连接层；所述锗连接层设置于硅基底与类金刚石保护膜之间。2.根据权利要求1所述的一种硅基底类金刚石保护膜，其特征在于，所述类金刚石保护膜的平均透过率≥66％、平均反射率≤3％。3.根据权利要求2所述的一种硅基底类金刚石保护膜，其特征在于，所述硅基底所采用的材料为红外光学材料硅。4.如权利要求1～3任一项所述的一种硅基底类金刚石保护膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：使用双面高温胶带将硅基底固定在工件盘上；步骤S2：采用电子束蒸发镀膜设备在硅基底表面全口径镀制锗连接层；步骤S3：采用等离子体化学气...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，董力，杨伟声，张红梅，吴栋才，王春育，田湫，
申请(专利权)人：云南北方驰宏光电有限公司，
类型：发明
国别省市：云南,53