一种晶体生长炉用保温托盘及保温罩制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶体生长炉用保温托盘及保温罩，涉及晶体生长设备技术领域。本实用新型专利技术的保温托盘设置在侧屏下方，用于码放并支撑侧屏，包括环状盘体，环状盘体的中部设有通孔，在该通孔的内壁上设有凸缘；环状盘体的上表面布置有若干同心的环状槽，环状槽之间等间距布置。本实用新型专利技术解决了保温罩的侧屏受热变形造成上屏错位锁死的问题，同时减少侧屏与保温托盘、上屏之间的热量散失。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长炉用保温托盘及保温罩
本技术涉及晶体生长设备
，特别是一种晶体生长炉用保温托盘。
技术介绍
晶体生长炉是单晶体生长设备，按照晶体生长方法可分为提拉法浸提生长炉、坩埚下降法晶体生长炉、区熔法晶体生长炉等。提拉法又称乔赫拉斯基法，是半导体领域中应用最广，产量最大的单晶制备方法。基本原理是利用单晶籽晶从坩埚熔体中向上提拉，使晶体按籽晶的晶向垂直向上生长成所需直径的单晶，晶体生长炉的基本结构包括炉室、内置坩埚、保温罩、加热系统和抽真空系统等。现有的保温罩一般为金属制，由上屏蔽装置、下屏蔽装置和直筒状的侧屏蔽装置组成，上屏蔽装置、下屏蔽装置分别盖合在侧屏蔽装置的上下两个端口上。上、下屏蔽装置和侧屏蔽装置围合形成一个保温腔室，用于盛放高温熔体的坩埚放置在该保温腔室中，连接有单晶籽晶的籽晶杆穿过上屏蔽装置的开口伸入坩埚中。由于晶体生长所需的温度一般高达数千度，这就对保温罩的结构设计和制造工艺提出了极高的要求。目前，保温罩面临的主要技术问题有两点：（1）由于保温罩的局部强度问题，尤其是连接上、下屏的侧屏局部强度不够，易受热变形而难以保持特定的几何形状，从而形成坍塌并与上屏错位锁死，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体生长炉用保温托盘，包括环状盘体(100)，所述环状盘体(100)的中部设有通孔，在该通孔的内壁上设有凸缘(200)；其特征在于：所述环状盘体(100)的上表面布置有若干同心的环状槽(300)，所述环状槽(300)之间等间距布置。

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长炉用保温托盘，包括环状盘体(100)，所述环状盘体(100)的中部设有通孔，在该通孔的内壁上设有凸缘(200)；其特征在于：所述环状盘体(100)的上表面布置有若干同心的环状槽(300)，所述环状槽(300)之间等间距布置。2.如权利要求1所述的晶体生长炉用保温托盘，其特征在于，所述环状槽(300)呈内凹结构；在环状槽(300)的截面上，所述环状槽(300)的底部设为平直部(320)，所述环状槽(300)的底部边缘设为弯曲部(310)，所述弯曲部(310)位于平直部(320)的两侧，所述平直部(320)的宽度与对应的侧屏(400)的厚度相匹配。3.如权利要求2所述的晶体生长炉用保温托盘，其特征在于，所述环状盘体(100)的边缘处设有若干缺口，该缺口与侧屏(400)的加固组件(430)相匹配。4.一种采用权利要求1-3之一所述的保温托盘的保温罩，其特征在于：包括环状盘体(100)、侧屏(400)和上屏(500)，所述侧屏(400)包括内屏组(410)合外屏组(420)，所述内屏组(410)设于外屏组(420)内同心布置，所述外屏组(420)上通过筋条(440)穿过内屏组(410)固定连接，所述内屏组(410)的高度小于外屏组(420)的高度，所述内屏组(410)与外屏组(420)置...

【专利技术属性】
技术研发人员：王大庆，
申请(专利权)人：成都新源汇博光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51