一种水冷内导提升装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种水冷内导提升装置，包括动力传输装置、提升装置和密封装置，所述动力传输装置与所述提升装置连接，所述动力传输装置与所述提升装置均对称设于水冷内导两侧，所述密封装置一端与所述提升装置连接，所述密封装置另一端与所述水冷内导连接。本实用新型专利技术的有益效果是由于采用上述技术方案，使得水冷内导能够进行上下移动，便于水冷内导在不使用时从加热炉中取出进行保养维修；提升装置的设置，采用丝杠进行水冷内导的上升和下降，并且在提升装置上设置有限位器，使得水冷内导的上升下降具有一定的行程，提升装置的升降更加自动化。

【技术实现步骤摘要】
一种水冷内导提升装置
本技术属于单晶硅生产设备
，尤其是涉及一种水冷内导提升装置。
技术介绍
全球所生产的太阳能电池有80％以上是使用晶体硅，其中单晶硅约占40％，单晶硅最大的优势就是其转换效率高，但是生产成本较高，由于传统的单晶硅生成加工企业生产水平较低，生成技术水平不高，最终造成单晶硅生产效率低、成本高，这极不利于单晶硅生成加工企业的发展，因此单晶硅生成加工企业也在探索提高生成效率、降低成本的单晶硅生产方法。直拉单晶(CZ)法的热场是由石墨件系统、单晶炉冷却系统、氩气系统组成的一套复杂的单晶生长系统。正常情况下直拉单晶法的冷却工艺是在通入冷却气体(一般为氩气)的环境下进行的，由于整个系统处于开启状态，通入的氩气在炉体内停留时间较短，最终带走的热量为全部热量的80％--85％，冷却效果一般且冷却气体成本大。单晶的生长速度取决于固液界面温度梯度，温度梯度越大，生长速度越快，但温度梯度过大，也会导致晶体生长过程出现位错等问题。
技术实现思路
鉴于上述问题，本技术要解决的问题是提供一种水冷内导提升装置，尤其适合与水冷内导配合使用，使得水冷内导可以进行升降，同时，也使得水冷内导可拆卸。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种水冷内导提升装置，其特征在于：包括动力传输装置、提升装置和密封装置，所述动力传输装置与所述提升装置连接，所述动力传输装置与所述提升装置均对称设于水冷内导两侧，所述密封装置一端与所述提升装置连接，所述密封装置另一端与所述水冷内导连接。

【技术特征摘要】
1.一种水冷内导提升装置，其特征在于：包括动力传输装置、提升装置和密封装置，所述动力传输装置与所述提升装置连接，所述动力传输装置与所述提升装置均对称设于水冷内导两侧，所述密封装置一端与所述提升装置连接，所述密封装置另一端与所述水冷内导连接。2.根据权利要求1所述的水冷内导提升装置，其特征在于：所述密封装置包括第一连接件、密封伸缩件和第二连接件，所述第一连接件一端与所述提升装置固定连接，所述密封伸缩件一端与所述第一连接件另一端连接，所述密封伸缩件另一端与所述第二连接件连接。3.根据权利要求2所述的水冷内导提升装置，其特征在于：所述第一连接件分别与所述水冷内导的进水管...

【专利技术属性】
技术研发人员：张全顺，高树良，谷守伟，高润飞，武志军，刘伟，张文霞，裘孝顺，田野，
申请(专利权)人：内蒙古中环光伏材料有限公司，
类型：新型
国别省市：内蒙古,15