利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法技术

本发明专利技术提供利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法，将多晶硅和掺镓单晶硅回收料进行混合装料，熔融后进行单晶拉制，多晶硅和掺镓单晶硅回收料装料时，多晶硅与掺镓单晶硅回收料的质量比按能使合格电阻率区间最大化的比例配置。本发明专利技术的有益效果是利用掺镓单晶硅回收料进行单晶硅棒的生产，利用固态的含镓回收料，代替了掺镓合金，不需在直拉单晶过程中再次补掺镓元素或合金，不仅提高了回收料的利用率，同时避免了资源的浪费，节省了原材料，降低了生产成本。

Production of Czochralski Single Crystal Silicon Bar with Low Light Decay Using Ga-doped Recycled Silicon

The invention provides a method for producing low light-decay Czochralski single crystal silicon rod by using Ga-doped single crystal silicon recycling material. Polycrystalline silicon and Ga-doped single crystal silicon recycling material are mixed and charged, melted and then drawn. When polycrystalline silicon and Ga-doped single crystal silicon recycling material is charged, the mass ratio of polycrystalline silicon and Ga-doped single crystal silicon recycling material is arranged according to the proportion that can maximize the qualified resistivity range. The beneficial effect of the present invention is that the recovery material of gallium-doped monocrystalline silicon is used for the production of monocrystalline silicon rods, the solid recovery material containing gallium is used instead of gallium-doped alloy, and the gallium element or alloy need not be added again in the process of Czochralski single crystal, which not only improves the utilization rate of the recovery material, but also avoids the waste of resources, saves raw materials and reduces the production cost.

【技术实现步骤摘要】
利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法
本专利技术属于单晶硅生产
，尤其是涉及利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法。
技术介绍
在现有直拉单晶硅生产过程中，由于单晶硅棒的生产全过程利用硼合金实现P型单晶掺杂，随着电池端技术发展，对于产品品质要求越来越高，其中包含低光衰减率，而掺硼单晶由于硼氧复合对的存在会引起高的光衰减率，极大影响了产品品质优势。通过工艺的改进，现在许多单晶厂家通过镓代替硼元素实现P型单晶掺杂，避免硼氧复合对的产生，降低光衰减率，提高产品品质。但是由于镓在硅中的分凝系数非常小，导致单晶电阻率范围区间太大，符合客户电阻率要求区间的单晶比例降低，超出电阻率要求范围的单晶，电池端转换效率降低，也会影响品质，因此此种掺镓硅单晶生产完成后，产生的这部分出档掺镓单晶硅以及其他边皮料，没有客户接受成为废料。现有的方法是掺镓单晶硅废料直接降价卖出，并未回收利用，极大地影响了单晶原料的利用率及产品的合格率从而造成资源的浪费，及原料成本的增加。同时基于镓元素在硅中分凝系数较小特点，掺镓单晶中掺杂量的99％会剩余到埚底料及回收料中，这也造成了镓元素杂质的浪费。另本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法，其特征在于：将多晶硅和掺镓单晶硅回收料进行混合装料，熔融后进行单晶拉制，所述多晶硅和掺镓单晶硅回收料装料时，所述多晶硅与所述掺镓单晶硅回收料的质量比按能使合格电阻率区间最大化的比例配置。

【技术特征摘要】
1.利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法，其特征在于：将多晶硅和掺镓单晶硅回收料进行混合装料，熔融后进行单晶拉制，所述多晶硅和掺镓单晶硅回收料装料时，所述多晶硅与所述掺镓单晶硅回收料的质量比按能使合格电阻率区间最大化的比例配置。2.根据权利要求1所述的利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法，其特征在于：所述多晶硅与所述掺镓单晶硅回收料的质量比为4-8:2-6。3.根据权利要求1或2所述的利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法，其特征在于：将所述多晶硅和所述掺镓单晶硅回收料进行混合装料具体包括以下步骤：A1：对所述多晶硅和所述掺镓单晶硅回收料进行筛选分类，筛选小尺寸多晶硅和小尺寸掺镓单晶硅回收料；A2：将所述小尺寸多晶硅铺设于所述适应坩埚的底部，将所述小尺寸掺镓单晶硅回收料铺设与所述小尺寸多晶硅的上部，将边皮回收料铺设在所述坩埚的四周；A3：将所述掺镓单晶硅回收料铺设于所述小尺寸掺镓多晶硅的上部，将所述多晶硅设于所述多晶硅回收料的四周。4.根据权利要求3所述的利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法，其特征在于：所述步骤A1中的筛选标准为长度为3-12mm。5.根据权利要求4所述的利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文霞，高润飞，高树良，谷守伟，裘孝顺，武志军，郭志荣，刘伟，张全顺，
申请(专利权)人：内蒙古中环光伏材料有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古,15