热屏蔽部件、单晶提拉装置、单晶提拉方法制造方法及图纸

本发明专利技术的问题在于减少产生位错化并防止产生裂纹缺损。一种单晶提拉装置（1）的热屏蔽部件（20），其通过CZ法从储存在坩埚（10）内的熔液（15）提拉单晶（16），其具备：圆筒状主体部（21），以围绕单晶的方式配置且下端部到达远离熔液表面的位置；以及圆环状底板部（22），比主体部的下端部更向径向延伸来覆盖熔液，其中，底板部以在一处以上在周向上分隔的状态安装于主体部，并且该分隔部分（L）上设置有与底板部主面平行且在周向上延伸且俯视观察时相互重合的滑动面（La1、Lb1），可吸收底板部在周向上的热变形。

Thermal shielding components, single crystal lifting device and single crystal lifting method

The problem of the present invention is to reduce dislocation and prevent crack defects. A thermal shielding component (20) of a single crystal lifting device (1) is provided with a cylindrical main body (21) arranged around a single crystal and reaching a position far from the surface of the melt by CZ method from the melt (15) stored in a crucible (10); and a circular bottom plate (22), which extends more radially than the lower end of the main body, to cover the melt surface. Melt, in which the bottom plate is mounted on the main body in a circumferential upward partition state at more than one place, and the partition part (L) is provided with sliding surfaces (La1, Lb1) parallel to the main surface of the bottom plate and overlapping with each other in circumferential extension and overlooking observation, so as to absorb the thermal deformation of the bottom plate in circumferential upward.

【技术实现步骤摘要】
热屏蔽部件、单晶提拉装置、单晶提拉方法
本专利技术涉及一种用于基于切克劳斯基法的热屏蔽部件以及利用该热屏蔽部件的单晶提拉装置、单晶提拉方法的优选的技术。
技术介绍
以往，作为使硅单晶成长的方法，已知有切克劳斯基法。切克劳斯基法是指在坩埚内熔融原料，将晶种浸在该熔液（熔体）内，一边使晶种以及坩埚旋转一边逐渐提拉晶种，由此在其下依次使单晶硅成长的方法。通常已知通过该切克劳斯基法成长的单晶的品质依赖成长中的温度。作为对结晶的温度影响较大的因素，可例举从坩埚内的熔液受到的辐射热，为了控制该因素，基于切克劳斯基法的单晶提拉装置中，通常在成长中的结晶附近配置由石墨等构成的热屏蔽部件（例如，参考专利文献1以及2）。并且，上述单晶提拉装置中，设置有用于以非接触方式测量成长中的结晶的直径和热屏蔽部件下端与熔液面的距离（GAP）等来控制提拉速度的光学设备，因此为了确保其视野，大多在上述热屏蔽部件设置缺口部（包括狭缝。）。而且，如专利文献3，已知有具有对所提拉的单晶进行冷却的机构的提拉装置。专利文献1：日本特开平05-294784号公报专利文献2：日本特开2009-292722号公报专利文献3：日本特开2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热屏蔽部件，其在基于从储存于坩埚内的熔液提拉单晶的切克劳斯基法的单晶提拉装置中，对所述单晶的周围进行热屏蔽，其特征在于，具备：圆筒状主体部，以围绕所述单晶的方式配置且下端部到达远离所述熔液表面的位置；以及圆环状底板部，比所述主体部的下端部更向径向延伸而与所述熔液表面对置配置，所述底板部以在一处以上在周向上分隔的状态安装于所述主体部，并且，该分隔部分上设置有与所述底板部主面平行且在周向上延伸且俯视观察时相互重合的滑动面，可吸收所述底板部在周向上的热变形。

【技术特征摘要】
1.一种热屏蔽部件，其在基于从储存于坩埚内的熔液提拉单晶的切克劳斯基法的单晶提拉装置中，对所述单晶的周围进行热屏蔽，其特征在于，具备：圆筒状主体部，以围绕所述单晶的方式配置且下端部到达远离所述熔液表面的位置；以及圆环状底板部，比所述主体部的下端部更向径向延伸而与所述熔液表面对置配置，所述底板部以在一处以上在周向上分隔的状态安装于所述主体部，并且，该分隔部分上设置有与所述底板部主面平行且在周向上延伸且俯视观察时相互重合的滑动面，可吸收所述底板部在周向上的热变形。2.根据权利要求1所述的热屏蔽部件，其特征在于，所述底板部上设置有缺口部，该底板部沿通过该缺口部的线段分割。3.根据权利要求1所述的热屏蔽部件，其特征在于，被分割的所述底板部中在径向上延伸且相互对置的端面以在所述底板部的周向上具有规定距离而相互分开的方式配置。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：仓垣俊二，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP