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磁盘基板用铝合金板及其制造方法、磁盘技术

技术编号:20756717 阅读:25 留言:0更新日期:2019-04-03 12:34
本发明专利技术提供镀层形成后的镀层表面平滑性优异、并且能够以低成本制造的磁盘基板用铝合金板等。本发明专利技术的磁盘基板用铝合金板具有如下的组成:以质量%计,含有Mg:3.0~8.0%、Cu:0.002~0.150%、Zn:0.05~0.60%、Fe:0.001~0.060%、Si:0.001~0.060%、Be:0.00001~0.00200%、Cr:0.200%以下、Mn:0.500%以下和Cl:0.00300%以下,余量由Al和不可避免的杂质构成,在金属组织中所观察到的具有3~10μm的最长径的Cr氧化物的存在密度为每磁盘的单面1个以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁盘基板用铝合金板及其制造方法、磁盘
本专利技术涉及镀层形成后的镀层表面平滑性优异的磁盘基板用铝合金板及其制造方法、以及使用铝合金板制作的磁盘。
技术介绍
计算机的存储装置中使用的铝合金制磁盘由具有良好的镀覆性且机械特性、加工性优异的铝合金基板制造。作为这样的铝合金基板,例如可列举出JIS5086合金(包含Mg:3.5~4.5质量%、Fe≦0.50质量%、Si≦0.40质量%、Mn:0.20~0.70质量%、Cr:0.05~0.25质量%、Cu≦0.10质量%、Ti≦0.15质量%、Zn≦0.25质量%、余量为Al和不可避免的杂质);通过限制JIS5086合金中的作为杂质的Fe、Si等的含量而使基体中的金属间化合物减少或者通过添加Cu、Zn,从而改善镀覆性的铝合金基板等。一般的铝合金制磁盘通过如下方法制造:首先,制作圆环状铝合金基板,对该圆环状铝合金基板实施镀覆,其次,使磁性体附着于该基板表面。通常,利用以下工序制造具有圆环状铝合金基板的磁盘。首先,对铝合金进行铸造,对其铸块进行热轧,接下来实施冷轧。应予说明,根据需要实施退火,制作轧制材料。接下来,将该轧制材料冲切为圆环状,并将多张冲切的圆环状铝合金板层叠,在该状态下进行在从上、下加压的同时实施退火、使其平坦化的加压退火,然后,通过将层叠状态解除,从而制作圆环状铝合金基板。对于这样制作的圆环状铝合金基板,作为前处理实施切削加工、研削加工、脱脂、蚀刻、锌酸盐处理(Zn置换处理),接下来,在实施了锌酸盐处理的圆环状铝合金基板的表面上,作为基底处理,采用非电解镀覆法形成作为硬质非磁性金属的Ni-P镀层,对该Ni-P镀层的表面实施抛光后,采用溅射法形成磁性层,制造磁盘。近年来,对于磁盘,由于多媒体等的需求,要求大容量化和高密度化,在不久的将来,要实现面记录密度2Tb/in2。而且,为了提高磁盘的记录密度,认为在数据读取时成为错误原因的磁盘表面的平滑性是必要的,为了使磁盘表面平滑,希望进一步减少在镀层中容易产生的凹坑(孔),平滑地形成镀层的表面。作为镀层中的凹坑的产生原因,已知在铝合金基板表面存在的较大凹陷是原因之一,并判断该较大凹陷是存在于基板表面的粗大的非金属夹杂物、金属间化合物等异物在研削加工、镀覆前处理时脱落而产生的。基于上述实际情况,近年来,强烈希望减少在铝合金基板中存在的异物,并进行研究。在专利文献1中记载了如下方法:提高铸造中的凝固时的冷却速度,使Al-Fe-Mn系、Mg-Si系的结晶物(金属间化合物)微细化。在制造铝合金板时,一般以铝原料锭作为主原料来调整熔融金属,在铝原料锭中含有各种杂质成分,其中,一般含有通常为0.0001质量%左右的氯(Cl)成分,有时还进一步在熔融金属的成分调整中装入铬(Cr)原料,在该情况下,一般在Cr原料中含有通常为0.03质量%左右的Cr氧化物。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开昭56-105846号公报在专利文献1中记载的方法可使金属基体中的Al-Fe-Mn系、Mg-Si系的结晶物(金属间化合物)变得微细,但在使用上述的含有Cl成分的铝原料锭和含有Cr氧化物的Cr原料制作熔融金属的情况下,存在如下问题:即使使这些结晶物变得微细,也不能充分平滑地形成磁盘的表面,此外,作为用于使上述结晶物变得微细的制造条件,从获得急冷效果的观点考虑,必须使铸造工序中所制造的板坯成为板厚为4~15mm的薄板坯,也存在着制造条件的制约。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术为了解决上述问题而完成,目的在于提供镀层形成后的镀层表面平滑性优异并且能够以低成本制造的磁盘基板用铝合金板及其制造方法以及使用铝合金板制作的磁盘。用于解决课题的手段本专利技术人为了解决上述问题,关注于作为夹杂物的Cr氧化物和氯化物,对于这些夹杂物的分布状态与镀层表面的平滑性的关系以及上述夹杂物的生成与制造条件的关系进行深入调查研究。其结果发现:Cr和Cl的含量以及原料中的Cr氧化物量、Cl含量对Cr氧化物的生成、研削面的平滑性和镀层表面的平滑性产生大的影响,由此完成本专利技术。即,本专利技术的主要构成如下所述。(1)一种磁盘基板用铝合金板,其特征在于,具有如下的组成:以质量%计,含有Mg:3.0~8.0%、Cu:0.002~0.150%、Zn:0.05~0.60%、Fe:0.001~0.060%、Si:0.001~0.060%、Be:0.00001~0.00200%、Cr:0.200%以下、Mn:0.500%以下和Cl:0.00300%以下,余量由Al和不可避免的杂质构成,在金属组织中所观察到的具有3~10μm的最长径的Cr氧化物的存在密度为每磁盘的单面1个以下。(2)上述(1)所述的磁盘基板用铝合金板,其特征在于,含有Cr:0.010~0.200质量%、Mn:0.010~0.500质量%中的1种或2种。(3)上述(1)或(2)所述的磁盘基板用铝合金板,其特征在于,含有Be:0.00001~0.00025质量%。(4)磁盘基板用铝合金板的制造方法,是上述(1)~(3)中任一项所述的磁盘基板用铝合金板的制造方法,其特征在于,包含:以成为上述铝合金板的组成的方式调整熔融金属的熔融金属调整工序、对上述熔融金属进行铸造的铸造工序、对铸造而成的铸块进行热轧而制成热轧板的热轧工序、和对上述热轧板进行冷轧而制成冷轧板的冷轧工序,上述熔融金属调整工序是通过装入含有Cl:0.00300质量%以下的铝原料锭来调整熔融金属。(5)上述(4)所述的磁盘基板用铝合金板的制造方法,其特征在于,上述熔融金属调整工序是通过进一步装入含有Cr氧化物:0.50质量%以下的Cr原料来调整熔融金属。(6)一种磁盘,其特征在于,在使用上述(1)~(3)中任一项所述的磁盘基板用铝合金板制作的圆环状铝合金基板的表面上具有镀层和磁性层。专利技术的效果根据本专利技术,通过具有如下的组成:以质量%计,含有Mg:3.0~8.0%、Cu:0.002~0.150%、Zn:0.05~0.60%、Fe:0.001~0.060%、Si:0.001~0.060%、Be:0.00001~0.00200%、Cr:0.200%以下、Mn:0.500%以下和Cl:0.00300%以下,余量由Al和不可避免的杂质构成,使在金属组织中所观察到的具有3~10μm的最长径的Cr氧化物的存在密度为每磁盘的单面1个以下,从而可提供镀层形成后的镀层表面平滑性优异的磁盘基板用铝合金板。另外,根据本专利技术,通过包含:以成为上述铝合金板的组成的方式调整熔融金属的熔融金属调整工序、对上述熔融金属进行铸造的铸造工序、对铸造而成的铸块进行热轧而制成热轧板的热轧工序、和对上述热轧板进行冷轧而制成冷轧板的冷轧工序,并且上述熔融金属调整工序是通过装入含有Cl:0.00300质量%以下的铝原料锭来调整熔融金属,从而能够以低成本制造具备上述特性的磁盘基板用铝合金板。另外,根据本专利技术,通过在使用上述铝合金板制作的圆环状铝合金基板的表面上具有镀层和磁性层,从而能够提供大容量和高密度的磁盘。附图说明图1是将用于制造本专利技术涉及的铝合金板的各工序、使用该铝合金板制造铝合金基板的各工序和使用该铝合金基板制造磁盘的各工序连续表示的流程图。具体实施方式接下来,对本专利技术的优选实施方式进行说明。根据本专利技术本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种磁盘基板用铝合金板,其特征在于,具有如下的组成:以质量%计,含有Mg:3.0~8.0%、Cu:0.002~0.150%、Zn:0.05~0.60%、Fe:0.001~0.060%、Si:0.001~0.060%、Be:0.00001~0.00200%、Cr:0.200%以下、Mn:0.500%以下和Cl:0.00300%以下,余量由Al和不可避免的杂质构成,在金属组织中所观察到的具有3~10μm的最长径的Cr氧化物的存在密度为每磁盘的单面1个以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.01 JP 2016-1509981.一种磁盘基板用铝合金板,其特征在于,具有如下的组成:以质量%计,含有Mg:3.0~8.0%、Cu:0.002~0.150%、Zn:0.05~0.60%、Fe:0.001~0.060%、Si:0.001~0.060%、Be:0.00001~0.00200%、Cr:0.200%以下、Mn:0.500%以下和Cl:0.00300%以下,余量由Al和不可避免的杂质构成,在金属组织中所观察到的具有3~10μm的最长径的Cr氧化物的存在密度为每磁盘的单面1个以下。2.根据权利要求1所述的磁盘基板用铝合金板,其特征在于,含有Cr:0.010~0.200质量%、Mn:0.010~0.500质量%中的1种或2种。3.根据权利要求1或2所述的磁盘基板用铝合金...

【专利技术属性】
技术研发人员:北胁高太郎村田拓哉日比野旭北村直纪太田裕己藤井康生高桥英希森高志
申请(专利权)人:株式会社UACJ古河电气工业株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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