【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体制造装置用铝构件及其制造方法。
技术介绍
1、cvd(化学气相沉积法)装置、pvd(物理气相沉积法)装置、干蚀刻装置等半导体制造装置中的腔室等构成部件在对配置于腔室内的半导体实施处理的期间温度会上升。此外，若在对半导体实施处理的期间杂质元素等从腔室内的构成部件脱离，则有可能成为半导体的不良的原因。为了抑制这些问题的发生，半导体制造装置的构成部件使用耐热性高且杂质的脱离少的铝合金。
2、例如，在专利文献1中，记载了一种气体耐腐蚀性和等离子体耐腐蚀性优异的耐酸铝覆膜形成性以及耐热性优异的半导体制造装置用al合金，该半导体制造装置用al合金的特征在于，作为合金成分，含有mn：0.3～1.5％(质量％，以下相同)、cu：0.3～1.5％、fe：0.1～1.0％，余量由al以及不可避免的杂质构成，并且平均晶粒直径为50μm以下。专利文献1的半导体制造装置用al合金在表面形成耐酸铝覆膜后，用作半导体制造装置用材料。
3、在先技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开平11-043734号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、但是，铝合金与耐酸铝覆膜的热膨胀率互不相同。因此，在铝合金上设置有耐酸铝覆膜的半导体制造装置用材料的温度上升的情况下，有时在耐酸铝覆膜产生裂纹。若该裂纹沿着耐酸铝覆膜的厚度方向进展，到达铝合金与耐酸铝覆膜的界面，则铝合金有可能露出。其结果，有可能导致耐腐蚀性的降低、排气的增加
3、本专利技术鉴于上述背景而作，其目的在于，提供一种即使在阳极氧化覆膜产生裂纹的情况下也容易维持母材被阳极氧化覆膜包覆的状态的半导体制造装置用铝构件及其制造方法。
4、用于解决课题的手段
5、本专利技术的一个方式在于一种半导体制造装置用铝构件，其具有：
6、母材，其由铝或铝合金构成；以及
7、阳极氧化覆膜，其形成在所述母材上，
8、在所述阳极氧化覆膜中，存在长轴径为0.1μm以上且15μm以下、并且包含al(铝)原子以外的金属原子的异质粒子。
9、本专利技术的另一方式在于一种半导体制造装置用铝构件的制造方法，其是上述方式的半导体制造装置用铝构件的制造方法，其中，
10、所述半导体制造装置用铝构件的制造方法具有如下阳极氧化处理工序：使用酸性的电解液对在al母相中具有第二相粒子的母材实施阳极氧化处理，由此在所述母材上形成包含所述异质粒子的所述阳极氧化覆膜。
11、专利技术效果
12、在所述半导体制造装置用铝构件(以下称为“铝构件”。)的母材上设置有阳极氧化覆膜。此外，在阳极氧化覆膜中，存在所述特定的异质粒子。这样的异质粒子在所述铝构件的温度上升而在阳极氧化覆膜产生了裂纹的情况下，能够将裂纹诱导到与阳极氧化覆膜的厚度方向不同的方向。因此，即使在所述铝构件的阳极氧化覆膜产生裂纹的情况下，由于异质粒子，裂纹也容易在与阳极氧化覆膜的厚度方向不同的方向上进展。其结果，裂纹的进展在阳极氧化覆膜的内部停止，难以到达阳极氧化覆膜与母材的界面。
13、因此，在所述铝构件中，即使在阳极氧化覆膜产生裂纹的情况下，也容易维持阳极氧化覆膜包覆母材的状态。
14、此外，所述铝构件的制造方法具有使用酸性的电解液对包含第二相粒子的母材实施阳极氧化处理的阳极氧化处理工序。在阳极氧化处理工序中，伴随着阳极氧化覆膜的生长，母材中的第二相粒子的至少一部分被取入阳极氧化覆膜。由此，能够在母材上容易地形成具备所述异质粒子的阳极氧化覆膜。
15、如上所述，根据所述方式，能够提供一种即使在阳极氧化覆膜产生裂纹的情况下，也容易维持母材被阳极氧化覆膜包覆的状态的半导体制造装置用铝构件及其制造方法。
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1.一种半导体制造装置用铝构件，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用铝构件，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用铝构件，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体制造装置用铝构件，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体制造装置用铝构件，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体制造装置用铝构件，其中，
7.一种半导体制造装置用铝构件的制造方法，是权利要求1至6中任一项所述的半导体制造装置用铝构件的制造方法，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体制造装置用铝构件的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体制造装置用铝构件，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用铝构件，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用铝构件，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体制造装置用铝构件，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半...
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