半导体制造装置用铝构件及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体制造装置用铝构件(1)具有由铝或铝合金构成的母材(2)以及形成在母材(2)上的阳极氧化覆膜(3)。在阳极氧化覆膜(3)中，存在长轴径为0.1μm以上且15μm以下、并且包含Al原子以外的金属原子的异质粒子(31)。半导体制造装置用铝构件(1)的制造方法具有如下阳极氧化处理工序：使用酸性的电解液对在Al母相中具有第二相粒子的母材(2)实施阳极氧化处理，在母材(2)上形成包含异质粒子(31)的阳极氧化覆膜(3)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体制造装置用铝构件及其制造方法。

技术介绍

1、cvd(化学气相沉积法)装置、pvd(物理气相沉积法)装置、干蚀刻装置等半导体制造装置中的腔室等构成部件在对配置于腔室内的半导体实施处理的期间温度会上升。此外，若在对半导体实施处理的期间杂质元素等从腔室内的构成部件脱离，则有可能成为半导体的不良的原因。为了抑制这些问题的发生，半导体制造装置的构成部件使用耐热性高且杂质的脱离少的铝合金。

2、例如，在专利文献1中，记载了一种气体耐腐蚀性和等离子体耐腐蚀性优异的耐酸铝覆膜形成性以及耐热性优异的半导体制造装置用al合金，该半导体制造装置用al合金的特征在于，作为合金成分，含有mn：0.3～1.5％(质量％，以下相同)、cu：0.3～1.5％、fe：0.1～1.0％，余量由al以及不可避免的杂质构成，并且平均晶粒直径为50μm以下。专利文献1的半导体制造装置用al合金在表面形成耐酸铝覆膜后，用作半导体制造装置用材料。

3、在先技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开平11-043734号公报...

【技术保护点】

1.一种半导体制造装置用铝构件，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用铝构件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用铝构件，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体制造装置用铝构件，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体制造装置用铝构件，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体制造装置用铝构件，其中，

7.一种半导体制造装置用铝构件的制造方法，是权利要求1至6中任一项所述的半导体制造装置用铝构件的制造方法，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体制造...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体制造装置用铝构件，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用铝构件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用铝构件，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体制造装置用铝构件，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：布村顺司，
申请(专利权)人：株式会社UACJ，
类型：发明
国别省市：