涂布半导体部件基板的示例性方法可包括将此半导体部件基板浸没在碱性电解质中。此碱性电解质可包括钇。此方法可包括在此半导体部件基板的表面处点燃等离子体持续小于或约12小时的时间段。此方法可包括在此半导体部件基板上形成含钇氧化物。此含钇氧化物的表面可以大于或约10原子％的钇并入为特征。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及用于涂布部件的处理及系统。更特定地，本技术涉及用于以保形氧化钇涂层来涂布基板的系统及方法。
技术介绍
1、半导体处理系统可包括若干部件，用以支撑基板、输送形成材料与移除材料、及界定处理区和流动路径。这些部件可能暴露至高温与低温、高压与低压、及各种的腐蚀性与侵蚀性材料。因此，许多处理腔室包括被处理或被涂布的材料。然而，随着处理系统与腔室变得更复杂，并入在系统内的部件会变成多件式设备，其会包括复杂几何形状与遍布部件的特征。这些特征会类似地暴露至可对部件造成损害的环境条件与材料。
2、因此，对可用以产生高质量装置与结构的改进的系统与部件存在需求。这些需求及其他需求由本技术解决。
技术实现思路
1、涂布半导体部件基板的示例性方法可包括将半导体部件基板浸没在碱性电解质中。碱性电解质可包括钇。此方法可包括在半导体部件基板的表面处点燃等离子体持续小于或约12小时的时间段。此方法可包括在半导体部件基板上形成含钇氧化物。含钇氧化物的表面可以大于或约10原子％的钇并入为特征。
>2、在一些实施方式本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种涂布半导体部件基板的方法，所述方法包含：
2.如权利要求1所述的涂布半导体部件基板的方法，其中所述半导体部件基板包含铝6061。
3.如权利要求1所述的涂布半导体部件基板的方法，其中所述含钇氧化物中的所述钇并入穿过所述含钇氧化物的深度的至少三分之一维持在高于或约10原子％。
4.如权利要求1所述的涂布半导体部件基板的方法，其中所述半导体部件基板上的所述含钇氧化物以大于或约1000的维氏硬度为特征。
5.如权利要求1所述的涂布半导体部件基板的方法，其中所述半导体部件基板上的所述含钇氧化物以大于或约20V/μm的介电击穿电压为特征。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种涂布半导体部件基板的方法，所述方法包含：
2.如权利要求1所述的涂布半导体部件基板的方法，其中所述半导体部件基板包含铝6061。
3.如权利要求1所述的涂布半导体部件基板的方法，其中所述含钇氧化物中的所述钇并入穿过所述含钇氧化物的深度的至少三分之一维持在高于或约10原子％。
4.如权利要求1所述的涂布半导体部件基板的方法，其中所述半导体部件基板上的所述含钇氧化物以大于或约1000的维氏硬度为特征。
5.如权利要求1所述的涂布半导体部件基板的方法，其中所述半导体部件基板上的所述含钇氧化物以大于或约20v/μm的介电击穿电压为特征。
6.如权利要求1所述的涂布半导体部件基板的方法，其中形成的所述含钇氧化物包含多个孔洞，所述孔洞以小于或约100nm的平均孔径为特征。
7.如权利要求1所述的涂布半导体部件基板的方法，进一步包含：
8.如权利要求7所述的涂布半导体部件基板的方法，其中所述含钇层以小于或约100nm的厚度为特征。
9.如权利要求7所述的涂布半导体部件基板的方法，其中所述半导体部件基板上的所述组合涂层以大于或约50v/μm的介电击穿电压为特征。
10.如权利要求1所述的涂布半导体部件基板的方法，进一步...
【专利技术属性】
技术研发人员：托尼·S·考沙尔，米歇尔·拉科姆·诺瓦克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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