一种等离子体刻蚀装置及其扩散装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体扩散装置，其特征在于，包括：中空的端口放大装置(1)，所述端口放大装置(1)的进口端用于与等离子体源输出端密封连接，所述端口放大装置(1)的进口的面积小于出口的面积；栅栏(5)，所述栅栏(5)安装在所述端口放大装置(1)的出口端，且与所述出口相对。通过设置端口放大装置可在一定程度上增大小型等离子体发生器形成的等离子体区域。本发明专利技术还公开了一种具有上述等离子体扩散装置的等离子体刻蚀装置。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体刻蚀装置及其扩散装置
本专利技术涉及等离子体的
，特别涉及一种等离子体刻蚀装置及其扩散装置。
技术介绍
等离子体刻蚀技术在衍射光学、集成电路、芯片、显示屏、建筑等领域有着广泛应用。等离子体刻蚀首先通过射频、微波、直流高压等激励源将反应气体电离，再通过磁场及电场加速带电粒子，轰击物件表面，实现对物件表面物质或结构的均匀刻蚀。以芯片行业为例，等离子体刻蚀常被用来刻蚀半导体基片(如硅)或者涂覆其上的光刻胶等有机材料。对于小于300mm(对应12inch)直径晶圆或薄基底，已有成熟的等离子体刻蚀设备。随着使用需求的增加，在显示屏、光栅等领域需要对尺寸大于800mm，甚至大于1000mm的基底进行等离子体刻蚀，一般小型等离子体发生器所直接产生等离子体面积无法达到使用要求。如何使用小口径等离子体源，实现对超出现有方法和设备尺寸多得多的基底的等离子体刻蚀，并且保证大尺寸范围内的均匀性或深度可控性，成为了大型显示屏和大口径光栅发展的一个重要问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种等离子体扩散装置，以增大小型等离子体发生器形成的等离子体区域。此外，本专利技术的另一目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体扩散装置，其特征在于，包括：中空的端口放大装置(1)，所述端口放大装置(1)的进口端用于与等离子体源输出端密封连接，所述端口放大装置(1)的进口的面积小于出口的面积；栅栏(5)，所述栅栏(5)安装在所述端口放大装置(1)的出口端，且与所述出口相对。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体扩散装置，其特征在于，包括：中空的端口放大装置(1)，所述端口放大装置(1)的进口端用于与等离子体源输出端密封连接，所述端口放大装置(1)的进口的面积小于出口的面积；栅栏(5)，所述栅栏(5)安装在所述端口放大装置(1)的出口端，且与所述出口相对。2.根据权利要求1所述的等离子体扩散装置，其特征在于，所述端口放大装置(1)的进口与所述等离子体源输出端的端口大小相同，且所述端口放大装置(1)的进口向所述端口放大装置(1)的出口渐扩。3.根据权利要求1所述的等离子体扩散装置，其特征在于，还包括具有与所述端口放大装置(1)的出口大小相同的第一通孔的挡板(2)，所述挡板(2)与所述端口放大装置(1)的出口端密封可拆卸连接，且所述第一通孔与所述出口相对，所述栅栏(5)安装在所述挡板(2)上。4.根据权利要求3所述的等离子体扩散装置，其特征在于，所述挡板(2)与所述端口放大装置(1)通过氟橡胶圈(3)密封...

【专利技术属性】
技术研发人员：周腾，邱克强，刘正坤，徐向东，洪义麟，付绍军，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34