CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法技术

本发明专利技术涉及金刚石生长的技术领域，特别是涉及一种CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法，其可以减少单晶金刚石生长过程中边缘多晶金刚石的出现，减少对单晶金刚石表面有效面积的影响；包括以下步骤：（1）清洁单晶金刚石晶种衬底；（2）烘干单晶金刚石晶种衬底；（3）导电银浆配制；（4）粘贴金刚石晶种衬底；（5）前处理；（6）金刚石生长；（7）检测。

【技术实现步骤摘要】
CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法
本专利技术涉及金刚石生长的
，特别是涉及一种CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法。
技术介绍
众所周知，金刚石俗称“金刚钻”，也就是我们常说的钻石的原身，它是一种在地球深部高压、高温条件下形成的一种由碳元素组成的单质晶体，是碳元素的同素异形体，单晶金刚石的特点是硬度和耐磨性，金刚石是具有饱和性和方向性的共价键结合起来的晶体，因此它具有极高的硬度和耐磨性，金刚石是自然界中天然存在的最坚硬的物质，并且其用途非常广泛，例如：工艺品和工业中的切割工具。人工合成金刚石的方法主要有高温高压法及化学气相沉积法。化学气相沉积（CVD）是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的
，其技术特征在于：高熔点物质能够在低温下合成；析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种，不仅可以在基片上进行涂层，而且可以在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）清洁单晶金刚石晶种衬底：将单晶金刚石晶种衬底放入清洗液中对其表面的有机物杂质进行清洗；（2）烘干单晶金刚石晶种衬底：将清洁完成后的单晶金刚石晶种衬底放入烘干机中，在60℃下进行烘干备用；（3）导电银浆配制：将78重量份数的银粉加热熔融，并向其中加入11重量份数的树脂、2重量份数的固化剂、1重量份数的促进剂、5重量份数的非活性稀释剂、1重量份数的活性稀释剂、1重量份数的附着力促进剂和1重量份数的防沉降剂，不断搅拌使其混合均匀；（4）粘贴金刚石晶种衬底：蘸取导电银浆涂覆在单晶金刚石晶种衬底上，并将涂覆导电银浆后的单晶金刚石...

【技术特征摘要】
1.一种CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）清洁单晶金刚石晶种衬底：将单晶金刚石晶种衬底放入清洗液中对其表面的有机物杂质进行清洗；（2）烘干单晶金刚石晶种衬底：将清洁完成后的单晶金刚石晶种衬底放入烘干机中，在60℃下进行烘干备用；（3）导电银浆配制：将78重量份数的银粉加热熔融，并向其中加入11重量份数的树脂、2重量份数的固化剂、1重量份数的促进剂、5重量份数的非活性稀释剂、1重量份数的活性稀释剂、1重量份数的附着力促进剂和1重量份数的防沉降剂，不断搅拌使其混合均匀；（4）粘贴金刚石晶种衬底：蘸取导电银浆涂覆在单晶金刚石晶种衬底上，并将涂覆导电银浆后的单晶金刚石晶种衬底通过导电银浆黏贴在微波等离子体化学气相沉积设备中的钼衬底托上表面；（5）前处理：将微波等离子体化学气相沉积设备中抽真空，并控制微波等离子体化学气相沉积设备将单晶金刚石晶种衬底温度升高至600-800℃，对金刚石晶种衬底进行1-2h的前处理；（6）金刚石生长：控制微波等离子体化学气相沉积设备将单晶金刚石晶种衬底温度升高至800-1000℃，并向微波等离子体化学气相沉积设备中不断鼓入足量的二氧化碳气体生长2-3d；（7）检测：金刚...

【专利技术属性】
技术研发人员：左浩，李升，刘宏明，
申请(专利权)人：西安碳星半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61