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本发明涉及金刚石生长的技术领域，特别是涉及一种CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法，其可以减少单晶金刚石生长过程中边缘多晶金刚石的出现，减少对单晶金刚石表面有效面积的影响；包括以下步骤：（1）清洁单晶金刚石晶种衬底；（2）烘干单晶金刚石晶种衬...
该专利属于西安碳星半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安碳星半导体科技有限公司授权不得商用。

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