抗瞬变喷头制造技术

本发明专利技术涉及抗瞬变喷头。公开了用于半导体处理设备的喷头，其包括被设计成减少或消除由于喷头内的气流瞬变而导致的在晶片的整个表面的非均匀气体输送的各种特征。

【技术实现步骤摘要】
抗瞬变喷头本申请是申请号为201610361563.2、申请日为2016年5月26日、专利技术名称为“抗瞬变喷头”的申请的分案申请。
本专利技术总体上涉及半导体制造领域，更具体涉及抗瞬变喷头。
技术介绍
半导体处理工具经常包括被设计成在整个半导体衬底或晶片以相对均匀的方式分配处理气体的部件。这些部件在业内通常被称为“喷头”。喷头一般包括在内部可以处理半导体衬底或者晶片的半导体处理容积空间前面的面板。面板可包括多个气体分配端口，这些端口使得在充气室容积空间内的气体能够流过面板并进入衬底和面板之间(或支撑晶片的晶片支撑件和面板之间)的反应空间。在一些情况下，喷头可被配置为在该喷头内将两种不同气体彼此隔离的同时，以同步方式在整个半导体衬底或晶片上分配这两种不同气体。气体分配端口通常被布置成使得整个晶片上的气体分配导致基本均匀的衬底处理。
技术实现思路
本公开的一个方面涉及一种装置，其具有：第一气体入口；第一表面；多个第一气体分配端口；第二表面；第三表面，其置于所述第一表面和第二表面之间；第四表面，其置于所述第三表面和第二表面之间；和多个第一气流通道，其置于所述第一表面和所述第三表面之间。在这样本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，其包括：第一气体入口；第一表面，其中所述第一气体入口被配置为输送第一处理气体通过所述第一表面；多个第一气体分配端口；第二表面，其中所述多个第一气体分配端口被配置成输送所述第一处理气体通过所述第二表面；第三表面，其置于所述第一表面和第二表面之间；第四表面，其置于所述第三表面和第二表面之间；多个第一凸台，所述多个第一凸台从所述第二表面朝向所述第四表面向上延伸；多个第一气流通道，其置于所述第一表面和所述第三表面之间，和穿过所述第四表面的多个第一孔，其中：所述第一表面和所述第三表面至少部分地限定与所述第一气体入口流体连接的第一入口充气室容积空间，所述第二表面和所述第四表面至少部分地限定与...

【技术特征摘要】
2015.05.26 US 62/166,612;2016.05.24 US 15/163,5941.一种装置，其包括：第一气体入口；第一表面，其中所述第一气体入口被配置为输送第一处理气体通过所述第一表面；多个第一气体分配端口；第二表面，其中所述多个第一气体分配端口被配置成输送所述第一处理气体通过所述第二表面；第三表面，其置于所述第一表面和第二表面之间；第四表面，其置于所述第三表面和第二表面之间；多个第一凸台，所述多个第一凸台从所述第二表面朝向所述第四表面向上延伸；多个第一气流通道，其置于所述第一表面和所述第三表面之间，和穿过所述第四表面的多个第一孔，其中：所述第一表面和所述第三表面至少部分地限定与所述第一气体入口流体连接的第一入口充气室容积空间，所述第二表面和所述第四表面至少部分地限定与所述多个第一气体分配端口中的每个第一气体分配端口流体连接的第一气体分配充气室容积空间，所述多个第一气流通道中的每个第一气流通道具有通过所述多个第一孔中的相应的第一孔与所述第一入口充气室容积空间流体连接的相应的第一端和与所述第一气体分配充气室容积空间流体连接的相应的第二端，所述多个第一凸台中的每个第一凸台居中于所述多个第一孔中的相应的第一孔上并且具有面对所述第四表面的顶表面，所述顶表面从所述第四表面偏移相应的第一距离，以及所述多个第一气流通道中的每个第一气流通道具有与每个其他第一气流通道的流动阻力基本上类似的流动阻力。2.根据权利要求1所述的装置，其中：所述多个第一凸台中的相应的第一凸台的每个相应的第一距离介于0.025mm和1.2mm之间。3.根据权利要求1所述的装置，其中：每个第一孔具有孔直径，并且每个相应的第一距离小于介于所述多个第一凸台中的相应的第一凸台的标称台直...

【专利技术属性】
技术研发人员：爱德华·宋，科林·F·史密斯，肖恩·M·汉密尔顿，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US