【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块。
技术介绍
单个功率半导体芯片的通流能力有限，为扩展功率半导体模块的功率处理能力，大容量的功率半导体模块内部通常采用多芯片并联的方式组成桥臂开关。在每个桥臂开关中，为实现电流的双向流动或降低损耗，并联的芯片通常采用可由控制电极控制其开关状态的晶体管芯片和具有单向导通能力的二极管芯片，其中，晶体管芯片和二极管芯片在其功率电极并联。对于具有控制端的晶体管芯片，具有3芯片门级的功率半导体模块内部的芯片驱动电路的模型如图1所示。其中，电容Cg1、电容Cg2、电容Cg3分别代表并联的三块晶体管芯片的栅极电容，每个晶体管芯片的通流能力分别由对应栅极电容上的电压决定。端口Tg和端口Tε为功率半导体模块与功率半导体模块外部的驱动电路的连接端口，用于接收驱动信号。电阻Rg0和电感Lg0分别为芯片驱动电路公共部分的杂散电阻和杂散电感。电阻Rg1、Rg2、Rg3和电感Lg1、Lg2、Lg3分别为三块晶体管芯片单独的杂散电阻和杂散电感。芯片驱动电路的具体工作原理为：在功率半导...
【技术保护点】
1.一种功率半导体模块衬底，其特征在于，包括第一桥臂单元，所述第一桥臂单元包括沿第一方向依次设置的第一功率金属敷层、第一辅助金属敷层和第二功率金属敷层；所述第二功率金属敷层设有第一功率开关，所述第一功率金属敷层通过所述第一功率开关与所述第二功率金属敷层导电连接；所述第一辅助金属敷层与所述第一功率金属敷层、所述第二功率金属敷层绝缘设置，并且与所述第一功率开关信号连接；其中，所述第一功率开关包括第一开关组、第二开关组和第三开关组，所述第一开关组、第二开关组和第三开关组依次沿第二方向并排设置，开关组分别包括沿所述第一方向设置并且相互连接的晶体管芯片和二极管芯片，所述第一开关组的晶...
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块衬底，其特征在于，包括第一桥臂单元，所述第一桥臂单元包括沿第一方向依次设置的第一功率金属敷层、第一辅助金属敷层和第二功率金属敷层；所述第二功率金属敷层设有第一功率开关，所述第一功率金属敷层通过所述第一功率开关与所述第二功率金属敷层导电连接；所述第一辅助金属敷层与所述第一功率金属敷层、所述第二功率金属敷层绝缘设置，并且与所述第一功率开关信号连接；其中，所述第一功率开关包括第一开关组、第二开关组和第三开关组，所述第一开关组、第二开关组和第三开关组依次沿第二方向并排设置，开关组分别包括沿所述第一方向设置并且相互连接的晶体管芯片和二极管芯片，所述第一开关组的晶体管芯片和所述第三开关组的晶体管芯片分别靠近所述第一辅助金属敷层设置，所述第二开关组的晶体管芯片远离所述第一辅助金属敷层设置。2.如权利要求1所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，还包括第二桥臂单元，所述第二桥臂单元包括沿第一方向依次设置的第三功率金属敷层、第二辅助金属敷层和第四功率金属敷层；所述第三功率金属敷层设有第二功率开关，所述第三功率金属敷层通过所述第一功率开关与所述第二功率金属敷层导电连接，所述第四功率金属敷层通过所述第二功率开关与所述第三功率金属敷层导电连接；所述第二辅助金属敷层与所述第三功率金属敷层、所述第四功率金属敷层绝缘设置，并且与所述第二功率开关信号连接；其中，所述第二功率开关包括第四开关组、第五开关组和第六开关组，所述第四开关组、第五开关组和第六开关组依次沿第二方向并排设置，开关组分别包括沿所述第一方向设置并且相互连接的晶体管芯片和二极管芯片，所述第四开关组的晶体管芯片和所述第六开关组的晶体管芯片分别靠近所述第二辅助金属敷层设置，所述第五开关组的晶体管芯片远离所述第二辅助金属敷层设置。3.如权利要求1或2所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述晶体管芯片和所述二极管芯片沿所述第一方向分别设有两组功率电极，所述晶体管芯片和所述二极管芯片相互靠近的一组的功率电极用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：安冰翀，
申请(专利权)人：臻驱科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31
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