图像传感器及其形成方法技术

一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；网格状的金属格栅，所述金属格栅包括主体部分以及底座部分，所述底座部分位于所述半导体衬底的表面，所述主体部分固定于所述底座部分上；滤镜结构，位于所述金属格栅的开口内；其中，越接近所述半导体衬底的表面，所述底座部分的横截面的面积越大，其中，所述横截面平行于所述半导体衬底的表面。本发明专利技术方案可以有效地降低光学串扰的问题。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是摄像设备的核心部件，通过将光信号转换成电信号实现图像拍摄功能。以CMOS图像传感器(CMOSImageSensors，简称CIS)器件为例，由于其具有低功耗和高信噪比的优点，因此在各种领域内得到了广泛应用。以后照式(Back-sideIllumination，BSI)CIS为例，在现有的制造工艺中，先在半导体衬底内形成逻辑器件、像素器件以及金属互连结构，然后采用承载晶圆与所述半导体衬底的正面键合，进而对半导体衬底的背部进行减薄，在半导体衬底的背面形成CIS的后续工艺，例如在所述像素器件的半导体衬底背面形成介质层、网格状的金属格栅(Grid)，在所述金属格栅之间的网格内形成滤镜结构(ColorFilter)、透镜结构(Micro-Lens)等。在图像传感器中，透镜结构捕捉到入射光之后，经过滤镜结构过滤，除去非相关光，形成单色光，入射光子到达半导体衬底被像素器件吸收，产生光生载流子。由于在光到达硅衬底之前，容易发生光学串扰导致影响成像效果，因此需要在半导体衬底的表面形成金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；网格状的金属格栅，所述金属格栅包括主体部分以及底座部分，所述底座部分位于所述半导体衬底的表面，所述主体部分固定于所述底座部分上；滤镜结构，位于所述金属格栅的开口内；其中，越接近所述半导体衬底的表面，所述底座部分的横截面的面积越大，其中，所述横截面平行于所述半导体衬底的表面。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；网格状的金属格栅，所述金属格栅包括主体部分以及底座部分，所述底座部分位于所述半导体衬底的表面，所述主体部分固定于所述底座部分上；滤镜结构，位于所述金属格栅的开口内；其中，越接近所述半导体衬底的表面，所述底座部分的横截面的面积越大，其中，所述横截面平行于所述半导体衬底的表面。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述底座部分的纵截面的形状为梯形，所述纵截面垂直于所述半导体衬底的表面。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述底座部分的横截面的面积大于所述主体部分的横截面的面积。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述主体部分包括基部和位于所述基部上的顶部，所述顶部的横截面的面积小于所述基部的横截面的面积，且越远离所述半导体衬底的表面，所述顶部的横截面的面积越小。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述顶部的纵截面的形状为三角形或梯形，所述纵截面垂直于所述半导体衬底的表面。6.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；在所述半导体衬底的表面形成网格状的金属格栅，所述金属格栅包括主体部分以及底座部分，所述底座部分位于所述半导体衬底的表面，所述主体部分固定于所述底座部分；在所述金属格栅的开口内形成滤镜结构；其中，越接近所述半导体衬底的表...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈峰，陈世杰，赵强，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32