绝缘体上硅结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种绝缘体上硅结构及其制作方法，所述绝缘体上硅结构的制作方法包括步骤：提供一前端结构，前端结构包括从下至上依次设置的第一硅层、氧化层及第二硅层；对第二硅层内靠近氧化层的区域处进行离子注入，形成金属杂质吸附层；在第二硅层中远离氧化层的区域上形成电路及电子元件。在本发明专利技术所提供的绝缘体上硅结构及其制作方法中，在第二硅层内靠近氧化层的区域处形成有金属杂质吸附层，能对第二硅层内的金属杂质进行吸附，减少了第二硅层内游离的金属杂质，使得后续在第二硅层内远离氧化层的区域处形成的电路及电子元件如CMOS图像传感器的像素结构等不受金属杂质的影响，有效解决了基于该绝缘体上硅结构的CMOS图像传感器的成像白点问题。

【技术实现步骤摘要】
绝缘体上硅结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其是涉及一种绝缘体上硅结构及其制作方法。
技术介绍
由于速度更快、功耗更小等性能优势，绝缘体上硅结构的应用越来越广泛。基于绝缘体上硅结构的CMOS图像传感器也越来越多，经多次实验发现，该类CMOS图像传感器成像中出现的白点与绝缘体上硅结构中的金属杂质有关。因此，目前急需一种办法以减少绝缘体上硅结构中的金属杂质，从而降低后续绝缘体上硅结构形成的CMOS图像传感器的成像白点现象。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种绝缘体上硅结构的制作方法，以减少绝缘体上硅结构中顶部硅层中的金属杂质，进而降低后续绝缘体上硅结构形成的CMOS图像传感器的成像白点现象。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种绝缘体上硅结构，包括：第一硅层；氧化层，所述氧化层设置在所述第一硅层上；第二硅层，所述第二硅层设置在所述氧化层上，且在所述第二硅层中靠近所述氧化层的区域上形成有金属杂质吸附层。可选的，在所述第二硅层中远离所述氧化层的区域上形成有电路及电子元件。可选的，所述电子元件包括晶体管、电容及逻辑开关。可选的，所述金属杂质吸附层包括硼离子层。可选的，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种绝缘体上硅结构，其特征在于，包括：第一硅层；氧化层，所述氧化层设置在所述第一硅层上；第二硅层，所述第二硅层设置在所述氧化层上，且在所述第二硅层中靠近所述氧化层的区域上形成有金属杂质吸附层。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘体上硅结构，其特征在于，包括：第一硅层；氧化层，所述氧化层设置在所述第一硅层上；第二硅层，所述第二硅层设置在所述氧化层上，且在所述第二硅层中靠近所述氧化层的区域上形成有金属杂质吸附层。2.如权利要求1所述的绝缘体上硅结构，其特征在于，在所述第二硅层中远离所述氧化层的区域上形成有电路及电子元件。3.如权利要求2所述的绝缘体上硅结构，其特征在于，所述电子元件包括晶体管、电容及逻辑开关。4.如权利要求1或2所述的绝缘体上硅结构，其特征在于，所述金属杂质吸附层包括硼离子层。5.如权利要求1或2所述的绝缘体上硅结构，其特征在于，所述第二硅层包括单晶硅层。6.如权利要求1或2所述的绝缘体上硅结构，其特征在于，所述第二硅层的厚度小于所述第一硅层的厚度。7.一种绝缘体上硅结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一前端...

【专利技术属性】
技术研发人员：令海阳，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31