The invention relates to a detector module, which comprises a direct conversion crystal (10) for converting incident photons into electrical signals. The direct conversion crystal has a cathodic metallization layer (100) deposited on the first surface and an anodic metallization layer (101) deposited on the second surface. An integrated circuit (12) communicates with the direct conversion crystal electronically, and the integrated circuit has a smaller than the one. The width of the direct conversion crystal is described, so that a concave part (120) and an interpolator (11, 11a) are formed in the width direction on the side surface of the integrated circuit, which are arranged between the direct conversion crystal and the integrated circuit to provide electrical communication between them, in which the interpolator is manufactured as a separate element and integrated with the face of the direct conversion crystal toward the said integration. The anodic metallization layer (101) of the circuit is cemented, brazed or bonded; and the multi-lead flexible cables (13, 13a, 13b, 13c, 13d) provide multiple output paths. The multi-lead flexible cables have the first part (131, 131a, 131b, 131c, 131d) connected with the integrated circuit (12) using one surface and the direct conversion crystal, and the opposite surface, as well as the relative first part (131, 131a, 131b, 131c, 131d). A part is bent and arranged in the second part (132) of the concave part.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】检测器模块、检测器、成像设备和制造检测器模块的方法
本专利技术涉及一种检测器模块、检测器、成像设备和制造检测器模块的方法。
技术介绍
具有四侧可对接性的检测器模块是构建大面积检测器的先决条件,如用在X射线和CT成像设备(例如,用于医疗或工业成像)中的。对于能量集成检测器,这个问题通过使用(陶瓷)内插器(interposer)来解决,(陶瓷)内插器提供光电二极管阵列阳极触点到集成电路(通常为ASIC)的再分配,该集成电路小于(背照式)光电二极管阵列。在更先进的方法中,再分配功能在光电二极管阵列阳极的顶部上实施,使得可以避免(昂贵的)陶瓷内插器。这种更先进的方法导致在阳极触点与ASIC上的对应输入焊盘之间产生较短迹线长度。尽管较短迹线长度降低了ASIC的输入焊盘所见的电容性负载,并且因此有助于降低噪声,但是可用的模拟读出通道可以容易地处理由较长迹线长度引起的SNR。较短迹线长度可以允许降低ASIC的功耗,因为由于电容性负载降低而使SNR更高。对于光子计数光谱检测器,如(例如)在CT系统中使用的,在直接转换晶体(例如,CZT)传感器像素与读出ASIC的输入焊盘之间的较长迹线长度是不可容忍的,因为所产生的噪声将以不可接受的方式限制能量分离(energyseparation)能力;非常快的模拟放大器和显著更多的每面积像素限制了每像素的可用功率,使得与能量集成读出系统相比,只能容忍较小的电容性负载。然而,更重要的是,根据像素活动,长迹线也会引起像素间串扰。提供具有最小迹线长度的互连的直接方法是设计具有TSV(穿硅通孔)的ASIC。尽管对于某些大宗产品(手机相机、堆叠式 ...
【技术保护点】
1.一种检测器模块,包括:‑直接转换晶体(10),所述直接转换晶体用于将入射光子转换成电信号,所述直接转换晶体具有沉积在第一表面上的阴极金属化层(100)和沉积在第二表面上的阳极金属化层(101),‑集成电路(12),所述集成电路与所述直接转换晶体电通信,所述集成电路具有小于所述直接转换晶体的宽度,因此在所述集成电路的侧表面处在宽度方向上形成凹部(120),‑内插器(11、11a),所述内插器布置在所述直接转换晶体与所述集成电路之间以用于在两者之间提供电通信,其中所述内插器被制成单独的元件,所述单独的元件与所述直接转换晶体的面向所述集成电路的所述阳极金属化层(101)胶合、钎焊或接合,和‑多引线柔性线缆(13、13a、13b、13c、13d),所述多引线柔性线缆提供多个输出路径,所述多引线柔性线缆具有利用一个表面与所述直接转换晶体连接并且利用相反表面与所述集成电路(12)连接的第一部分(131、131a、131b、131c、131d),以及相对于所述第一部分弯曲并且布置在所述凹部中的第二部分(132)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.14 EP 16179411.01.一种检测器模块,包括:-直接转换晶体(10),所述直接转换晶体用于将入射光子转换成电信号,所述直接转换晶体具有沉积在第一表面上的阴极金属化层(100)和沉积在第二表面上的阳极金属化层(101),-集成电路(12),所述集成电路与所述直接转换晶体电通信,所述集成电路具有小于所述直接转换晶体的宽度,因此在所述集成电路的侧表面处在宽度方向上形成凹部(120),-内插器(11、11a),所述内插器布置在所述直接转换晶体与所述集成电路之间以用于在两者之间提供电通信,其中所述内插器被制成单独的元件,所述单独的元件与所述直接转换晶体的面向所述集成电路的所述阳极金属化层(101)胶合、钎焊或接合,和-多引线柔性线缆(13、13a、13b、13c、13d),所述多引线柔性线缆提供多个输出路径,所述多引线柔性线缆具有利用一个表面与所述直接转换晶体连接并且利用相反表面与所述集成电路(12)连接的第一部分(131、131a、131b、131c、131d),以及相对于所述第一部分弯曲并且布置在所述凹部中的第二部分(132)。2.根据权利要求1所述的检测器模块,其特征在于,所述集成电路(12)被胶合、钎焊或接合到所述内插器(11)的面向所述集成电路的表面(110)。3.根据权利要求1所述的检测器模块,其特征在于,所述内插器(11)包括空腔(111),并且所述多引线柔性线缆(13)的所述第一部分(131、131a、131b、131c、131d)至少部分地布置在所述空腔中。4.根据权利要求1所述的检测器模块,其特征在于,所述内插器(11、11a)被配置成刚性元件。5.根据权利要求1所述的检测器模块,其特征在于,所述多引线柔性线缆(13a、13c、13d)的所述第一部分(131、131a、131c、131d)被内插在所述内插器与所述集成电路之间,以用于在两者之间提供电通信。6.根据权利要求5所述的检测器模块,其特征在于,所述多引线柔性线缆(13a、13c、13d)的所述第一部分(131、131a、131c、131d)跨过所述集成电路的整个宽度内插在所述内插器与所述集成电路之间。7.根据权利要求1所述的检测器模块,其特征在于,所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·赫尔曼,R·斯特德曼布克,A·利夫内,
申请(专利权)人:皇家飞利浦有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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