控制半导体制造设施的系统和方法、制造集成电路的方法技术方案

本申请提供了一种用于控制半导体制造设施的方法和制造集成电路的方法。所述用于控制半导体制造设施的方法包括：当通过多个风扇改变压强条件时，测量设施中的压差传感器的输出改变量。随后将风扇分为不同的组和子组，并且基于改变量确定子组的控制顺序。接着计算差值，并且产生控制信号以调整风扇的转速。

【技术实现步骤摘要】
控制半导体制造设施的系统和方法、制造集成电路的方法相关申请的交叉引用于2017年9月20日提交的标题为“控制半导体制造设施的系统和方法、利用所述系统和方法制造集成电路的方法以及利用所述系统和方法制造处理器的方法”的韩国专利申请No.10-2017-0121221以引用方式全文并入本文中。
本文所述的一个或多个实施例涉及半导体技术。
技术介绍
半导体制造设施内的压强和气流可影响性能和成品率。例如，在这样的设施中的压强和气流可允许会污染各种处理的外部颗粒被引入。另外，或可替换地，压强和气流可允许设施内的颗粒排放到设施外。管理半导体制造设施内的气流的一种尝试涉及保持设施内的压强高于设施外的压强。此外，可通过将设备之间的压强差保持恒定来调整设施内的气流。
技术实现思路
根据一个或多个实施例，一种用于控制半导体制造设施的方法包括：当通过半导体制造设施中的多个风扇将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，通过分组逻辑测量半导体制造设施中的第一压差传感器、第二压差传感器和第三压差传感器各自的第一输出改变量、第二输出改变量和第三输出改变量，并且基于第一输出改变量至第三输出改变量将一些风扇分为第一组并将其余风扇分为第二组；通过顺序确定器将第一组风扇中的一些风扇分为第一子组，并且将第一组风扇中的其余风扇分为第二子组，并且基于第一输出改变量至第三输出改变量确定第一子组和第二子组的控制顺序。所述方法还包括：通过指数产生器计算第一差值、第二差值和第三差值，第一差值基于第一平均值与目标值之间的差，所述第一平均值是第一压差传感器在半导体制造设施的工作压强下的第一输出的平均值，并且所述目标值是半导体制造设施的目标输出值，第二差值基于第二平均值与所述目标值之间的差，所述第二平均值是第二压差传感器在半导体制造设施的工作压强下的第二输出的平均值，并且第三差值基于第三平均值与所述目标值之间的差，所述第三平均值是第三压差传感器在半导体制造设施的工作压强下的第三输出的平均值。所述方法还包括：产生对应于第一差值与第二差值之间的差的第一性能调节指数(RPI)和对应于第二差值与第三差值之间的差的第二RPI；以及通过控制器接收对应于第一组和第二组的信息、对应于控制顺序的信息以及第一RPI和第二RPI，并且产生用于调整风扇中的每一个的转速的控制信号。第一压差传感器用于测量半导体制造设施的外部与半导体制造设施中的第一点之间的压强差，第二压差传感器用于测量半导体制造设施的外部与半导体制造设施中的第二点之间的压强差，第三压差传感器用于测量半导体制造设施的外部与半导体制造设施中的第三点之间的压强差。第一输出改变量对应于第一压差传感器在第一压强条件下的测量值与第一压差传感器在第二压强条件下的测量值之间的改变量，第二输出改变量对应于第二压差传感器在第一压强条件下的测量值与第二压差传感器在第二压强条件下的测量值之间的改变量，并且第三输出改变量对应于第三压差传感器在第一压强条件下的测量值与第三压差传感器在第二压强条件下的测量值之间的改变量。下面公开了其它实施例。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，特征将对于本领域技术人员应该变得清楚，其中：图1示出了用于控制半导体制造设施的系统的实施例；图2示出了指数产生器的实施例；图3示出了用于操作所述系统的实施例；图4至图6示出了用于分别操作初始分组单元、分组单元和顺序确定器的实施例；图7示出了用于操作指数产生器的实施例；图8示出了压差传感器的输出的实施例；图9示出了第一指数产生器的输出的实施例；图10示出了第二指数产生器的输出的实施例；图11示出了用于操作第三指数产生器的实施例；图12示出了第三指数产生器的输出的实施例；图13示出了用于测试包括用于控制半导体制造设施的系统的处理器的方法的实施例；以及图14示出了用于制造包括处理器的集成电路的方法的实施例。具体实施方式图1示出了用于控制半导体制造设施100的系统200的实施例。图2示出了图1的指数产生器250的实施例。参照图1和图2，用于控制半导体制造设施100的系统200包括初始分组单元210、分组单元220、顺序确定器230、控制器240、指数产生器250和显示器260。用于控制半导体制造设施100的系统200可分别通过半导体制造设施100中的第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113从半导体制造设施100接收第一输出至第三输出OUT1、OUT2和OUT3。半导体制造设施100可包括第一设备101、第二设备102、第三设备103以及多个风扇121、122、123和124。第一设备101可邻近于第二设备102。第二设备102可邻近于第三设备103。第三设备103可比第二设备102更加远离第一设备101。在图中，半导体制造设施100包括第一设备至第三设备101、102和103。然而，在其它实施例中，半导体制造设施100可包括不同数量的(多于三个或少于三个)设备和/或包括除第一设备至第三设备101、102和103之外的其它设备。第一设备101可包括第一压差传感器111、第一风扇121和第二风扇122。第一压差传感器111可测量半导体制造设施100的外部与半导体制造设施100中的第一点P1之间的压强差，以产生第一输出OUT1。第二设备102可包括第二压差传感器112和第三风扇123。第二压差传感器112可测量半导体制造设施100的外部与半导体制造设施100中的第二点P2之间的压强差，以产生第二输出OUT2。第三设备103可包括第三压差传感器113和第四风扇124。第三压差传感器113可测量半导体制造设施100的外部与半导体制造设施100中的第三点P3之间的压强差，以产生第三输出OUT3。例如，所述半导体制造设施100的外部可为在半导体制造设施100以外限定的特定点Pref。在图中，第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113基于半导体制造设施100的外部的特定点Pref测量压强。在一个实施例中，第一压差传感器至第三压差传感器111、112和113可基于分别邻近于第一设备至第三设备101、102和103的半导体制造设施100的外部的点测量压强。第一点至第三点P1、P2和P3可分别为第一设备至第三设备(101、102和103)内的特定点。第二点P2可最靠近第三点P3。第三点P3可比第二点P2更加远离第一点P1。第一风扇至第四风扇121、122、123和124被示为在半导体制造设施100中的第一设备至第三设备101、102和103内。然而，第一风扇至第四风扇121、122、123和124中的至少一个可位于半导体制造设施100中的第一设备至第三设备101、102和103之外。即使在这种情况下，第一风扇121和第二风扇122仍可与第一设备101关联，第三风扇123仍可与第二设备102关联，第四风扇124仍可与第三设备103关联。将参照图4至图6描述各个设备与风扇之间的示例关系。半导体制造设施100被示为包括第一风扇至第四风扇121、122、123和124。在一个实施例中，半导体制造设施100可包括除第一风扇至第四风扇121、122、123和124以外的其它风扇。在半导体制造设施100中，空气可从第一设备101朝着第二设备102流动(如第一气流AF1所表示的那样本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于控制半导体制造设施的方法，所述方法包括步骤：当通过所述半导体制造设施中的多个风扇将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，通过分组逻辑来测量所述半导体制造设施中的第一压差传感器、第二压差传感器和第三压差传感器各自的第一输出改变量、第二输出改变量和第三输出改变量，并且基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量将所述多个风扇中的一些风扇分为第一组并将所述多个风扇中的其余风扇分为第二组；通过顺序确定器将所述第一组风扇中的一些风扇分为第一子组，并且将所述第一组风扇中的其余风扇分为第二子组，并且基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量确定所述第一子组和所述第二子组的控制顺序；通过指数产生器计算第一差值、第二差值和第三差值，所述第一差值基于第一平均值与目标值之间的差，所述第一平均值是所述第一压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第一输出的平均值，并且所述目标值是所述半导体制造设施的目标输出值，所述第二差值基于第二平均值与所述目标值之间的差，所述第二平均值是所述第二压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第二输出的平均值，并且所述第三差值基于第三平均值与所述目标值之间的差，所述第三平均值是所述第三压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第三输出的平均值；产生对应于所述第一差值与所述第二差值之间的差的第一性能调节指数和对应于所述第二差值与所述第三差值之间的差的第二性能调节指数；以及通过控制器接收对应于所述控制顺序的信息以及所述第一性能调节指数和所述第二性能调节指数的信息，并且产生控制信号以调整所述多个风扇中的每一个的转速，其中：所述第一压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第一点之间的压强差，所述第二压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第二点之间的压强差，所述第三压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第三点之间的压强差，所述第一输出改变量对应于所述第一压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第一压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量，所述第二输出改变量对应于所述第二压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第二压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量，并且所述第三输出改变量对应于所述第三压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第三压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量。...

【技术特征摘要】
2017.09.20 KR 10-2017-01212211.一种用于控制半导体制造设施的方法，所述方法包括步骤：当通过所述半导体制造设施中的多个风扇将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，通过分组逻辑来测量所述半导体制造设施中的第一压差传感器、第二压差传感器和第三压差传感器各自的第一输出改变量、第二输出改变量和第三输出改变量，并且基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量将所述多个风扇中的一些风扇分为第一组并将所述多个风扇中的其余风扇分为第二组；通过顺序确定器将所述第一组风扇中的一些风扇分为第一子组，并且将所述第一组风扇中的其余风扇分为第二子组，并且基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量确定所述第一子组和所述第二子组的控制顺序；通过指数产生器计算第一差值、第二差值和第三差值，所述第一差值基于第一平均值与目标值之间的差，所述第一平均值是所述第一压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第一输出的平均值，并且所述目标值是所述半导体制造设施的目标输出值，所述第二差值基于第二平均值与所述目标值之间的差，所述第二平均值是所述第二压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第二输出的平均值，并且所述第三差值基于第三平均值与所述目标值之间的差，所述第三平均值是所述第三压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第三输出的平均值；产生对应于所述第一差值与所述第二差值之间的差的第一性能调节指数和对应于所述第二差值与所述第三差值之间的差的第二性能调节指数；以及通过控制器接收对应于所述控制顺序的信息以及所述第一性能调节指数和所述第二性能调节指数的信息，并且产生控制信号以调整所述多个风扇中的每一个的转速，其中：所述第一压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第一点之间的压强差，所述第二压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第二点之间的压强差，所述第三压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第三点之间的压强差，所述第一输出改变量对应于所述第一压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第一压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量，所述第二输出改变量对应于所述第二压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第二压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量，并且所述第三输出改变量对应于所述第三压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第三压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量。2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过所述顺序确定器将所述第一组风扇中的一些风扇分为所述第一子组的步骤包括：当基于对所述第一组风扇中的第一风扇的转速的调整而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量全部等于或大于参考改变量，则将所述第一风扇包括在所述第一子组中。3.根据权利要求1所述的方法，其中：通过所述分组逻辑将所述多个风扇中的一些风扇分为所述第一组的步骤包括：当基于对所述多个风扇中的第一风扇的转速的调整而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量中的任一个大于或等于参考改变量，则将所述第一风扇包括在所述第一组中，并且通过所述分组逻辑将所述多个风扇中的其余风扇分为所述第二组的步骤包括：当通过调整所述多个风扇中的第二风扇的转速而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量均不大于或等于所述参考改变量，则将所述第二风扇包括在所述第二组中。4.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：通过所述指数产生器比较所述第一输出和所述第二输出；当所述第一输出大于所述第二输出时，通过所述指数产生器产生默认值作为第一回流指数；以及当所述第一输出小于所述第二输出时，通过所述指数产生器产生对应于所述第一平均值与所述第二平均值之间的差值的第二回流指数，在所述第一输出小于所述第二输出的时间段中产生所述第二回流指数。5.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：通过所述指数产生器计算所述第一平均值与所述第二平均值之间的相关性。6.根据权利要求1所述的方法，其中：当所述第一性能调节指数与参考性能调节指数之间的差大于或等于预设的性能调节指数值时，所述控制信号改变所述第一子组中的风扇的转速，随后改变所述第二子组中的风扇的转速。7.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第一点最靠近所述第二点，并且所述第二点最靠近所述第三点。8.根据权利要求1所述的方法，其中，用于所述半导体制造设施中的第一设备的所述第一压差传感器在所述第二压强条件下的输出不同于用于所述第一设备的所述第一压差传感器在所述第一压强条件下的输出，并且其中，所述第一点位于所述第一设备之中。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一压强条件等于所述半导体制造设施的工作压强。10.一种用于控制半导体制造设施的方法，所述方法包括步骤：通过第一指数产生器计算第一时间段中的第一差值、第二差值和第三差值，所述第一差值对应于第一平均值与目标值之间的差，所述第一平均值是所述半导体制造设施中的第一压差传感器的第一输出的平均值，并且所述目标值是所述半导体制造设施的目标输出值，所述第二差值对应于第二平均值与所述目标值之间的差，所述第二平均值是所述半导体制造设施中的第二压差传感器的第二输出的平均值，并且所述第三差值对应于第三平均值与所述目标值之间的差，所述第三平均值是所述半导体制造设施中的第三压差传感器的第三输出的平均值；产生对应于所述第一差值与所述第二差值之间的差的第一性能调节指数和对应于所述第二差值与所述第三差值之间的差的第二性能调节指数；通过第二指数产生器产生指示所述第一时间段中所述第一平均值与所述第二平均值之间的相关性的相关性指数；以及通过第三指数产生器在所述第一时间段中输出默认值，并且在所述第一输出小于所述第二输出的第二时间段中产生对应于所述第一平均值与所述第二平均值之间的差值的回流指数，其中：所述第一压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第一点之间的压强差，所述第二压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第二点之间的压强差，所述第三压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第三点之间的压强差，在所述第一时间段中所述第一输出大于所述第二输出，并且在所述第一时间段中所述第二输出大于所述第三输出。11.根据权利要求10所述的方法，还包括步骤：当利用所述半导体制造设施中的多个风扇将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，通过分组逻辑来测量所述半导体制造设施中的第一压差传感器、第二压差传感器和第三压差传感器各自的第一输出改变量、第二输出改变量和第三输出改变量；基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量，通过所述分组逻辑将所述多个风扇中的一些风扇分...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑在原，Y·金，闵昌基，李振雨，许硕，崔溶元，崔允钟，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR