存储装置及其制造方法制造方法及图纸

实施方式提供一种可通过在线检查检测构造缺陷的存储装置及其制造方法。实施方式的存储装置具备：多个构成元件，包含三维配置的存储单元；晶体管，与所述多个构成元件中的至少1个电连接；检查焊盘，经由所述晶体管与所述多个构成元件中的至少1个串联连接；及配线，与所述检查焊盘及所述晶体管的栅极电连接，可对两者供给共通电位以使所述晶体管为断开状态。

Storage device and its manufacturing method

The embodiment provides a storage device and a manufacturing method for detecting structural defects through on-line inspection. The storage device of the embodiment includes: a plurality of constituent elements, including a three-dimensional storage unit; a transistor, which is electrically connected with at least one of the plurality of constituent elements; a checking pad, which is connected in series with at least one of the plurality of constituent elements through the transistor; and a wiring, which is electrically connected with the checking pad and the gate of the transistor, and can supply both together. The on-potential causes the transistor to be disconnected.

【技术实现步骤摘要】
存储装置及其制造方法[相关申请]本申请享有以日本专利申请2017-177003号(申请日：2017年9月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
实施方式涉及一种存储装置及其制造方法。
技术介绍
包含三维配置的存储单元的存储装置的开发正在推进。例如，NAND(NotAND，与非)型闪速存储器器件具备积层在源极层之上的多条字线、及贯通多条字线而延伸的半导体通道。存储单元配置在各字线与半导体通道交叉的部分。在这种存储装置中，难以检测因制造条件变动引起的积层体内的构造缺陷。因此，在它的制造过程中，要求进行可实时检测构造缺陷并向制造条件进行反馈的在线检查。
技术实现思路
实施方式提供一种可通过在线检查检测构造缺陷的存储装置。实施方式的存储装置具备：多个构成元件，包含三维配置的存储单元；晶体管，与所述多个构成元件中的至少1个电连接；检查焊盘，经由所述晶体管与所述多个构成元件中的至少1个串联连接；及配线，与所述检查焊盘及所述晶体管的栅极电连接，可对两者供给共通电位以使所述晶体管为断开状态。附图说明图1是表示第1实施方式的存储装置的示意图。图2是表示第1实施方式的存储装置的制造方法的流程图。图3是表示第1实施方式的存储装置的存储单元阵列的示意图。图4是表示第1实施方式的存储装置的第1构成的示意图。图5是表示第1实施方式的存储装置的第2构成的示意图。图6(a)及(b)是表示第1实施方式的存储装置的第3构成的示意俯视图。图7(a)及(b)是表示第1实施方式的存储装置的第3构成的示意剖视图。图8(a)～(d)是表示第1实施方式的存储装置的第3构成的示意图。图9是表示第2实施方式的存储装置的示意俯视图。图10(a)～(c)是表示第2实施方式的存储装置的构造的示意图。图11(a)～(d)是表示第2实施方式的存储装置的检查方法的示意图。图12(a)及(b)是表示比较例的存储装置的检查方法的示意图。图13是表示第2实施方式的变化例的存储装置的示意俯视图。图14(a)及(b)是表示第3实施方式的存储装置的示意图。图15是表示第3实施方式的存储装置的示意俯视图。图16(a)及(b)是表示第3实施方式的变化例的存储装置的示意图。图17(a)及(b)是表示第3实施方式的变化例的存储装置的另一示意图。具体实施方式以下，一边参照附图一边对实施方式进行说明。对附图中的相同部分标注相同编号并适当省略其详细说明，对不同部分进行说明。此外，附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与实物相同。另外，即使在表示相同部分的情况下，也有通过附图而将相互的尺寸或比率差别表示的情况。进而，使用各图中所示的X轴、Y轴及Z轴来说明各部分的配置及构成。X轴、Y轴、Z轴相互正交，分别表示X方向、Y方向、Z方向。另外，存在将Z方向设为上方并将其相反方向设为下方而进行说明的情况。[第1实施方式]图1是表示第1实施方式的存储装置1的示意图。存储装置1例如为NAND型闪速存储器装置，包含三维配置的多个存储单元。如图1所示，存储装置1包含多个构成元件EL、晶体管Tr1～Tr3、检查焊盘11及栅极焊盘13、以及配线Vss。构成元件EL例如为驱动存储单元的电路、字线WL及位线BL等。检查焊盘11经由晶体管Tr1～Tr3与多个构成元件EL分别串联连接。栅极焊盘13与晶体管Tr1～Tr3的各栅极电连接。检查焊盘11及栅极焊盘13例如用于在线检查，具有可接触检查探头的面积。该例中，经由晶体管Tr1～Tr3将多个构成元件EL与检查焊盘11并联连接，但实施方式并不限定于该例，检查焊盘11只要连接至少1个构成元件EL即可。检查焊盘11及栅极焊盘13例如设置在较多个构成元件EL及晶体管Tr1～Tr3位于更上层的第1配线层中。配线Vss设置在较第1配线层更上层的第2配线层中。配线Vss与检查焊盘11及栅极焊盘13电连接，对两者供给共通电位。配线Vss例如连接于衬底，对检查焊盘11及栅极焊盘13供给GND(ground，接地)电位。构成元件EL及晶体管Tr1～Tr3设置在所述衬底上。例如，晶体管Tr1～Tr3是具有正阈值电压Vth的N通道MOS(NMOS，N-channelMetalOxideSemiconductor，N通道金属氧化物半导体)晶体管，检查焊盘11与各晶体管Tr的源极电连接。结果，对晶体管Tr1～Tr3的源极及栅极供给接地电位，晶体管Tr1～Tr3成为断开状态。由此，各构成元件EL被电分离。接下来，参照图2、图3、图4对存储装置1的制造方法进行说明。图2是表示存储装置1的制造过程的流程图。图3是示意性地表示存储装置1的存储单元阵列MCA的立体图。此外，图3中，省略将各构成元件相互电绝缘的绝缘膜的一部分。图4是表示在线检查时的存储装置1的构成的示意图。步骤S01：在衬底上形成包含三维配置的存储单元的存储单元阵列MCA及晶体管Tr1～Tr3。晶体管Tr1～Tr3例如设置在存储单元阵列MCA的周边。如图3所示，存储单元阵列MCA具有设置在源极层10之上的积层体100。源极层10是衬底的一部分,或设置在衬底上的导电层(参照图16、图17)。积层体100包含选择栅极SGS、字线WL、及选择栅极SGD。选择栅极SGS、字线WL及选择栅极SGD介隔层间绝缘膜IIF积层在源极层10之上。存储单元阵列MCA还包含柱状体CL、位线BL、源极线SL、及源极接点LI。柱状体CL贯通积层体100沿Z方向延伸。位线BL在积层体100的上方，例如沿Y方向延伸。位线BL经由接触插塞Cb及V1与柱状体CL电连接。存储单元设置在柱状体CL与字线WL交叉的部分。选择栅极SGS、字线WL及选择栅极SGD由狭缝ST分断，多个积层体100配置在源极层10之上。进而，源极接点LI设置在狭缝ST的内部。源极接点LI将源极层10与源极线SL电连接。源极线SL经由接触插塞Cs连接于源极接点LI，源极接点LI连接于源极层10。步骤S02：形成与存储单元阵列MCA的至少1个构成元件经由晶体管Tr串联连接的检查焊盘11。检查焊盘11例如设置在较位线BL更上层的配线层。如图4所示，设置检查焊盘11A、11B及栅极焊盘13。检查焊盘11A经由晶体管Tr1与奇数号的位线BL1、BL3、BL5、BL7串联连接。检查焊盘11B经由晶体管Tr2与偶数号的位线BL2、BL4、BL6、BL8串联连接。也就是说，检查焊盘11A及11B与沿X方向排列的位线BL中每隔1个的位线BL分别电连接。栅极焊盘13与晶体管Tr1及Tr2各自的栅极电连接。步骤S03：实施在线检查。例如，使探头接触检查焊盘11A、11B及栅极焊盘13，对栅极焊盘13供给使晶体管Tr1及Tr2接通的特定的栅极偏压。接着，向检查焊盘11A与检查焊盘11B之间施加电压，通过检测它们之间流动的电流，检查奇数号的位线BL与偶数号的位线BL有无接触。或者，向检查焊盘11A与检查焊盘11B之间施加电压，获取电阻值或电容值、晶体管特性曲线(IdVg)等电流电压特性。由此，可判定是否适当地形成位线BL。步骤S04：在检查焊盘11的上方形成包含配线Vss的配线层。配线Vss与检查焊盘11及栅极焊盘13电连接，形成为对两者供给共通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，其特征在于具备：多个构成元件，包含三维配置的存储单元；晶体管，与所述多个构成元件中的至少1个电连接；检查焊盘，经由所述晶体管与所述多个构成元件中的至少1个串联连接；及配线，与所述检查焊盘及所述晶体管的栅极电连接，可对两者供给共通电位以使所述晶体管为断开状态。

【技术特征摘要】
2017.09.14 JP 2017-1770031.一种存储装置，其特征在于具备：多个构成元件，包含三维配置的存储单元；晶体管，与所述多个构成元件中的至少1个电连接；检查焊盘，经由所述晶体管与所述多个构成元件中的至少1个串联连接；及配线，与所述检查焊盘及所述晶体管的栅极电连接，可对两者供给共通电位以使所述晶体管为断开状态。2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：所述检查焊盘设置在较所述多个构成元件更上层的配线层中。3.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于：所述配线设置在较所述检查焊盘更上层的配线层中。4.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于：还包含设置着所述多个构成元件的衬底，且所述检查焊盘及所述晶体管的栅极经由所述配线与所述衬底电连接。5.根据权利要求1或2所述的存储装置，其特征在于：还具备栅极焊盘，所述栅极焊盘与所述检查焊盘设置在同一配线层中，连接于所述晶体管的栅极，且所述配线与所述栅极焊盘电连接。6.一种存储装置的制造方法，其特征在于具备如下工序：在衬底上形成包含三维配置的存储单元的多个构成元件、与所述多个构成元件中的至少1个电连接的晶体管、及经由所述晶体管与所述多个构成元件中的至少1个串联连接的检查焊盘；使所述晶体管为接通状态，经由所述检查焊盘检查所述至少1个构成元件与其他构成元件之间的电连接的有无、或电...

【专利技术属性】
技术研发人员：野岛和弘，柴田惠美，梶野智规，塩川太郎，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP