半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够稳定地形成TSV的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：器件区域，被树脂膜覆盖；和切割区域，围绕器件区域而设置，具有第1光刻用标记和第2光刻用标记，在第1光刻用标记与第2光刻用标记之间设置有树脂膜。

Semiconductor Device

The invention provides a semiconductor device capable of stably forming TSV. The semiconductor device according to the embodiment comprises: a device area covered by resin film; and a cutting area arranged around the device area, with a first lithographic mark and a second lithographic mark, and a resin film between the first lithographic mark and the second lithographic mark.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请案本申请案享有以日本专利申请案2017-178416号(申请日：2017年9月15日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
存在积层多个半导体芯片而具备三维构造的半导体装置。通过形成为三维构造，而能够实现半导体装置的小型化及高密度化。上下积层的半导体芯片彼此例如通过设置在半导体芯片内的TSV(ThroughSiliconVia，硅通孔)而电连接。TSV例如在将半导体芯片单片化前，以晶片级形成。为了以低成本实现具备三维构造的半导体装置，期望在半导体芯片中稳定地形成TSV。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够稳定地形成TSV的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：器件区域，被树脂膜覆盖；和切割区域，围绕所述器件区域而设置，具有第1光刻用标记和第2光刻用标记，在所述第1光刻用标记与所述第2光刻用标记之间设置有所述树脂膜。附图说明图1是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。图2是第1实施方式的半导体装置的一部分的放大示意俯视图。图3(a)及(b)是第1实施方式的半导体装置的一部分的放大示意剖视图。图4是第1实施方式的半导体装置的一部分的放大示意俯视图。图5是第1实施方式的半导体装置的一部分的放大示意剖视图。图6是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。图7是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。图8是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。图9是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。图10是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。图11是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。图12是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。图13是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。图14是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。图15是表示第1实施方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。图16是比较方式的半导体装置的示意俯视图。图17是比较方式的半导体装置的一部分的放大示意俯视图。图18是比较方式的半导体装置的一部分的放大示意俯视图。图19是比较方式的半导体装置的一部分的放大示意剖视图。图20是表示比较方式的半导体装置的TSV的形成方法的示意剖视图。图21是第2实施方式的半导体装置的示意俯视图。图22是第2实施方式的半导体装置的一部分的放大示意俯视图。图23是第3实施方式的半导体装置的示意俯视图。图24是第3实施方式的半导体装置的一部分的放大示意俯视图。图25(a)及(b)是第3实施方式的半导体装置的一部分的放大示意剖视图。具体实施方式以下，一边参照图式一边对本专利技术的实施方式进行说明。另外，在以下的说明中，对相同或相似的部件标附相同的符号，对已说明过的部件等适当省略其说明。此外，在本说明书中，为了方便，有时使用“上”或“下”等用语。“上”或“下”只是表示图式内的相对位置关系的用语，而非规定相对于重力的位置关系的用语。以下，参照图式对实施方式的半导体装置进行说明。(第1实施方式)第1实施方式的半导体装置具备：器件区域，被树脂膜覆盖；和切割区域，围绕器件区域而设置，具有第1光刻用标记和第2光刻用标记，在第1光刻用标记与第2光刻用标记之间设置有树脂膜。图1是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。第1实施方式的半导体装置是半导体存储器100。半导体存储器100具有器件区域101和切割区域102。器件区域101是供形成半导体器件的区域。在器件区域101，例如形成存储器单元阵列及周边电路。存储器单元阵列及周边电路例如包含晶体管及金属配线层。器件区域101的至少一部分被保护树脂膜10(树脂膜)覆盖。保护树脂膜10具有保护形成于器件区域101的半导体器件的功能。保护树脂膜10例如为聚酰亚胺。在器件区域101设置有表面电极12(电极)。器件区域101被沿第1方向伸长且相互对向的第1边101a及第2边101b和沿与第1方向正交的第2方向伸长且相互对向的第3边101c及第4边101d包围。切割区域102围绕器件区域101而设置。切割区域102作为用以利用刀片切割或激光切割将形成于晶片上的多个半导体存储器100切断而使之单片化的区域发挥功能。在切割区域102设置各种标记或测试用器件。标记例如为光刻用标记，光刻用标记例如为对准标记或对准偏差测定标记。切割区域102具有光刻用标记21a(第1光刻用标记)、光刻用标记21b(第2光刻用标记)、光刻用标记21c、21d、21e、21f。此外，切割区域102具有多个光刻用标记22(第3光刻用标记)。切割区域102具有与器件区域101的第1边101a相邻的第1区域102a、与第2边101b相邻的第2区域102b、与第3边101c相邻的第3区域102c和与第4边101d相邻的第4区域102d。在切割区域102的第1区域102a，设置光刻用标记21a和光刻用标记21b。在光刻用标记21a与光刻用标记21b之间设置保护树脂膜10。光刻用标记21a及光刻用标记21b之上未被保护树脂膜10覆盖。光刻用标记22被保护树脂膜10覆盖。光刻用标记22整体被保护树脂膜覆盖。图2是第1实施方式的半导体装置的一部分的放大示意俯视图。图2是图1的被虚线包围的区域(图1中的P)的放大示意俯视图。图3是第1实施方式的半导体装置的一部分的放大示意剖视图。图3(a)是图2的A-A'剖视图，图3(b)是图2的B-B'剖视图。光刻用标记21a及光刻用标记22设置在层间绝缘层34内，所述层间绝缘层34设置在硅基板30上。保护树脂膜10设置在层间绝缘层34上。在层间绝缘层34内，设置第1导电层31及第2导电层32。光刻用标记21a及光刻用标记22是使用第2导电层32而形成。光刻用标记21a及光刻用标记22也可使用例如第1导电层31而形成。此外，也可使用未图示的其他导电层或绝缘层而形成。表面电极12贯通保护树脂膜10而设置。表面电极12与第2导电层32连接。第2导电层32与第1导电层31连接。在硅基板30内设置TSV36。在TSV36与硅基板30之间设置绝缘膜38。TSV36与第1导电层31连接。TSV36经由第1导电层31、第2导电层32而与表面电极12连接。半导体存储器100例如通过表面电极12与积层在上方的半导体存储器100电连接，通过TSV36与积层在下方的半导体存储器100电连接。未被保护树脂膜10覆盖的光刻用标记21a例如为在形成保护树脂膜10后进行的形成TSV36时的光刻步骤中所使用的对准标记或对准偏差测定标记。被保护树脂膜10覆盖的光刻用标记22例如为形成保护树脂膜10前的光刻步骤中所使用的对准标记或对准偏差测定标记。光刻用标记21a设置在保护树脂膜10的第1部分10a与第2部分10b之间。第1部分10a与第2部分10b之间的距离(图2中的d1)例如小于切割区域102的第1区域102a的宽度(图2中的Wa)。第1部分10a与第2部分10b之间的距离(图2中的d1)例如为25μm以上且50μm以下。切割区域102的第1区域102a本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于：具备：器件区域，被树脂膜覆盖；和切割区域，围绕所述器件区域而设置，具有第1光刻用标记和第2光刻用标记，在所述第1光刻用标记与所述第2光刻用标记之间设置有所述树脂膜。

【技术特征摘要】
2017.09.15 JP 2017-1784161.一种半导体装置，其特征在于：具备：器件区域，被树脂膜覆盖；和切割区域，围绕所述器件区域而设置，具有第1光刻用标记和第2光刻用标记，在所述第1光刻用标记与所述第2光刻用标记之间设置有所述树脂膜。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述切割区域具有第3光刻用标记，所述第3光刻用标记被所述树脂膜覆盖。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述第1光刻用标记设置在所述树脂膜的第1部分与第2部分之间，所述第1部分与所述第2部分之间的距离小于所述切割区域的宽度。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述器件区域被沿第1方向伸长且相互对向的第1边及第2边和沿与所述第1方向正交的第2方向伸长且相互对向的第3边及第4边包围，所述切割区域具有与所述第1...

【专利技术属性】
技术研发人员：筑山慧至，青木秀夫，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP