【技术实现步骤摘要】
一种新型封装打线结构的瞬态电压抑制器
本技术涉及瞬态电压抑制器
，具体为一种新型封装打线结构的瞬态电压抑制器。
技术介绍
目前大家都是采用芯片减薄背金、晶圆划片、上芯、打线、塑封、固化、切筋、电镀、管脚成型、丝印、测试包装，目前封装瞬态电压抑制器(TVS)产品的的打线位置基本是在芯片的中心位置打一根或者多跟线，没有对打线的具体位置进行特殊要求，为此，我们提出一种新型封装打线结构的瞬态电压抑制器。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种新型封装打线结构的瞬态电压抑制器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种新型封装打线结构的瞬态电压抑制器，包括塑封体，所述塑封体左右两侧外壁分别设置有左框架与右框架，所述左框架与右框架相互靠近的一端均延伸至塑封体的内腔，所述左框架顶部右侧外壁设置有焊接层，所述焊接层顶部外壁与芯片连接，所述芯片顶部外壁设置有金线，且金线远离芯片的一端与右框架顶部左侧外壁连接，且焊接层、芯片与金线均位于塑封体的内腔。优选的，所述芯片顶部外壁均匀设置有四组金线，且四组金线呈矩形阵列排布。优选的，所述左框架与塑封体的连接部...
【技术保护点】
1.一种新型封装打线结构的瞬态电压抑制器，包括塑封体(1)，其特征在于：所述塑封体(1)左右两侧外壁分别设置有左框架(2)与右框架(3)，所述左框架(2)与右框架(3)相互靠近的一端均延伸至塑封体(1)的内腔，所述左框架(2)顶部右侧外壁设置有焊接层(4)，所述焊接层(4)顶部外壁与芯片(5)连接，所述芯片(5)顶部外壁设置有金线(6)，且金线(6)远离芯片(5)的一端与右框架(3)顶部左侧外壁连接，且焊接层(4)、芯片(5)与金线(6)均位于塑封体(1)的内腔。
【技术特征摘要】
1.一种新型封装打线结构的瞬态电压抑制器，包括塑封体(1)，其特征在于：所述塑封体(1)左右两侧外壁分别设置有左框架(2)与右框架(3)，所述左框架(2)与右框架(3)相互靠近的一端均延伸至塑封体(1)的内腔，所述左框架(2)顶部右侧外壁设置有焊接层(4)，所述焊接层(4)顶部外壁与芯片(5)连接，所述芯片(5)顶部外壁设置有金线(6)，且金线(6)远离芯片(5)的一端与右框架(3)顶部左侧外壁连接，且焊接层(...
【专利技术属性】
技术研发人员：王成，吴昊，陆亚斌，
申请(专利权)人：傲威半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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