一种掩膜板的制备方法、掩膜板技术

本发明专利技术公开了一种掩膜板的制备方法、掩膜板，所述方法包括：控制掩膜板本体和/或框架的温度达到初始温度，将掩膜板本体与框架组装在一起；控制掩膜板本体和框架的温度分别达到最终温度，并通过掩膜板本体和/或框架温度的变化，使框架对掩膜板本体产生预定的拉伸量；使掩膜板制作过程中不需要拉伸及位置精度调整的复杂工艺，简单高效。

A preparation method of mask plate and mask plate

The invention discloses a mask preparation method and a mask plate. The method includes: controlling the temperature of the mask plate body and/or the frame to reach the initial temperature, assembling the mask plate body and the frame together, controlling the temperature of the mask plate body and the frame to reach the final temperature respectively, and generating the frame to the mask body by changing the temperature of the mask plate body and/or the frame. Predicted stretching amount; so that the mask manufacturing process does not need stretching and position accuracy adjustment of the complex process, simple and efficient.

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板的制备方法、掩膜板
本专利技术涉及显示
，尤指一种掩膜板的制备方法、掩膜板。
技术介绍
有机发光二极管在制造过程中，通常采用精度金属掩模板(FineMetalMask，FMM)作为蒸镀掩模板，将R、G、B发光材料通过精度金属掩模板上的开孔蒸镀在阵列基板上对应的开口区域形成OLED器件。传统的高精度金属掩模板的材质采用因瓦合金(Invar)，首先通过刻蚀法在薄金属片上面制作像素开孔形成掩膜板本体2；然后通过对框架1施加一对反作用力，使框架1预先产生一定形变；接着，在水平方向施加拉力将掩膜板本体2拉平，并调整像素开孔的位置精度，最后再将掩膜板本体2焊接在框架1上，将框架1上的反作用力去除后通过框架1的形变回弹力代替原掩膜板本体2上的水平拉力，从而保持掩膜板本体2的位置精度，如图1所示。然而，此种方法制作掩膜板时，框架1只能在沿着掩膜板本体2拉伸的方向(图1中为X方向)产生拉力，而在垂直于此方向上(图1中的Y方向)并无拉力，只能靠掩膜板本体自然收缩，这就容易造成该方向的像素位置产生偏移。另外，通过这种方式制作掩膜板，框架1对掩膜板本体的拉力并不均匀，这也容易在X方向产生像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：控制掩膜板本体和/或框架的温度达到初始温度，将掩膜板本体与框架组装在一起；控制掩膜板本体和框架的温度分别达到最终温度，并通过掩膜板本体和/或框架温度的变化，使框架对掩膜板本体产生预定的拉伸量。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：控制掩膜板本体和/或框架的温度达到初始温度，将掩膜板本体与框架组装在一起；控制掩膜板本体和框架的温度分别达到最终温度，并通过掩膜板本体和/或框架温度的变化，使框架对掩膜板本体产生预定的拉伸量。2.根据权利要求1所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述通过掩膜板本体和/或框架温度的变化，使框架对掩膜板本体产生预定拉伸量的方法包括：使框架温度升高膨胀，使掩膜板本体温度保持不变；或者使掩膜板本体温度降低收缩，使框架温度保持不变；或者使框架和掩膜板本体温度同时升高，且框架的膨胀量大于掩膜板本体的膨胀量；或者使框架和掩膜板本体温度同时降低，且框架的收缩量小于掩膜板本体的收缩量。3.根据权利要求1所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述最终温度为掩膜板本体和框架蒸镀时的温度。4.根据权利要求1所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述掩膜板本体的热膨胀系数低于所述框架的热膨胀系数，所述掩膜板的制备方法包括：控制掩膜板本体的温度和框架的温度分别为初始温度T1，将掩膜板本体与框架组装在一起；调节掩膜板本体和框架分别达到最终温度T2，其中，T2>T1，此时框架的膨胀量大于掩膜板本体的膨胀量，从而使框架对掩膜板本体产生预定的拉伸量。5.根据权利要求4所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述框架对掩膜板本体产生预定拉伸量的计算方法包括：其中，T1为掩膜板本体和框架固定时的温度；T2为蒸镀时掩膜板本体的温度；Ld为掩膜板本体的设计尺寸，mm；L0为掩膜板本体实际尺寸L0，mm；CTEf为框架的热膨胀系数，mm/mm.℃；CTEm为掩膜板本体的热膨胀系数，mm/mm.℃；Ld-L0为框架对掩膜板本体产生的预定拉伸量。6.根据权利要求1所述的掩膜板的制备方法，其特征在于，所述掩膜板本体的热膨胀系数大于所述框架的热膨胀系数，所述掩膜板的制备方法包括：控制掩膜板本体的温度和框架的温度分别为初始温度T1，将掩膜板本体与框架组装在一起；调节掩膜板本体和框架分别达到最终温度T2，其中，T2<T1，此时框架的收缩量小于掩膜板本体的收缩量，从而使框架对掩膜板本体产生预定的拉伸量。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱海彬，董学，袁广才，王伟杰，张峰杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11