量子级联激光光源的制造方法技术

量子级联激光光源的制造方法包括：准备半导体层叠体(20)的工序；形成一对第一挖入部(41、42)和以被该一对第一挖入部(41、42)夹持的方式形成的脊部(30)的工序；形成沟道结构(51、52)和以在与脊部(30)之间夹着沟道结构(51、52)的方式形成的周缘部(61、62)的工序；以与第一区域(29a)相接的方式形成电极图案(81)并且以与第二区域(22a)相接的方式形成电极图案(82)的工序；将结晶生长面侧固定于支承基板(91)的工序；去除Fe掺杂(半绝缘)InP单晶基板(21)的工序；固定Si基板(93)的工序；和剥离支承基板(91)的工序。

Fabrication of Quantum Cascaded Laser Source

The fabrication methods of the quantum cascade laser source include: preparing the process of semiconductor stack (20); forming a pair of first digging parts (41, 42) and ridges (30) formed by clamping the pair of first digging parts (41, 42); forming a channel structure (51, 52) and a peripheral part (61, 62) formed by clamping a channel structure (51, 52) between the ridges (30); The first region (29a) is connected to form the electrode pattern (81) and the second region (22a) is connected to form the electrode pattern (82); the process of fixing the crystal growth surface side to the supporting substrate (91); the process of removing Fe-doped (semi-insulating) InP single crystal substrate (21); the process of fixing the Si substrate (93); and the process of stripping the supporting substrate (91).

【技术实现步骤摘要】
量子级联激光光源的制造方法
本专利技术涉及量子级联激光光源的制造方法。
技术介绍
波长15-300μm(0.1-20THz)的太赫兹区域是以量子级联激光器为首的半导体激光器在室温下的动作困难的区域。作为能够室温动作的小型太赫兹(THz)光源，已知有利用2波长振荡的中红外量子级联激光器(QuantumCascadeLaser：QCL)内的差频产生(DifferenceFrequencyGeneration：DFG)来输出太赫兹波的DFG-QCL光源。在DFG-QCL光源中，在Fe掺杂(半绝缘)磷化铟(IndiumPhosphide：InP)单晶基板上层叠输出太赫兹波的层叠体。一般而言，InP或GaAs等的III-V族化合物半导体在太赫兹频带存在有大的吸收系数。因此，在这样的DFG-QCL光源中，由于Fe掺杂(半绝缘)InP单晶基板容易吸收太赫兹波而使太赫兹波的输出变小成为问题。关于该点，例如在非专利文献(Opticap.38-43,vol.4,No.1,Jan2017(Jungetal.,))中公开了在DFG-QCL光源的制造过程中，去除Fe掺杂(半绝缘)InP单晶基板并将硅(Sili本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子级联激光光源的制造方法，其特征在于，包括：准备在磷化铟基板上依次层叠有下部接触层、下部包覆层、下部引导层、活性层和上部引导层的半导体层叠体的工序；在所述半导体层叠体中，部分性地进行蚀刻，通过该蚀刻而形成所述下部包覆层露出的一对第一挖入部和以被该一对第一挖入部夹持的方式形成的脊部的工序；在所述第一挖入部中掺杂层生长，进一步在所述第一挖入部和所述脊部中上部包覆层和上部接触层生长，之后，在所述一对第一挖入部中，分别部分性地进行蚀刻，通过该蚀刻而形成所述下部接触层露出的第二挖入部和以在与所述脊部之间夹着所述第二挖入部的方式形成的周缘部的工序；除了作为所述脊部中的所述上部接触层的一部分的区域...

【技术特征摘要】
2017.09.06 JP 2017-1713431.一种量子级联激光光源的制造方法，其特征在于，包括：准备在磷化铟基板上依次层叠有下部接触层、下部包覆层、下部引导层、活性层和上部引导层的半导体层叠体的工序；在所述半导体层叠体中，部分性地进行蚀刻，通过该蚀刻而形成所述下部包覆层露出的一对第一挖入部和以被该一对第一挖入部夹持的方式形成的脊部的工序；在所述第一挖入部中掺杂层生长，进一步在所述第一挖入部和所述脊部中上部包覆层和上部接触层生长，之后，在所述一对第一挖入部中，分别部分性地进行蚀刻，通过该蚀刻而形成所述下部接触层露出的第二挖入部和以在与所述脊部之间夹着所述第二挖入部的方式形成的周缘部的工序；除了作为所述脊部中的所述上部接触层的一部分的区域的第一区域和作为所述第二挖入部中的所述下部接触层的一部分的区域的第二区域而形成绝缘膜之后，以与所述第一区域相接的方式形成第一电极并且以与所述第二区域相接的方式形成第二电极，而形成半导体元件的工序；将作为所述半导体元件中的形成有所述第一电极和所述第二电极的一侧的结晶生长面侧固定于支承基板的工序；去除固定于所述支承基板的所述半导体元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤昭生，藤田和上，河口大祐，道垣内龙男，枝村忠孝，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP