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新型硅镱量子面等离子体光源制造技术

技术编号:13208078 阅读:101 留言:0更新日期:2016-05-12 14:00
本实用新型专利技术提供了一种新型硅镱量子面等离子体光源。本实用新型专利技术采用在硅衬底上形成硅镱量子面等离子体光源结构,可以在低频率泵浦光作用下发射较强的高频率光子,其等离子体发光具有低频率激发高频率和球形发光的特征,实现了光泵浦在可见光区的等离子体强发光(外量子效率大于50%)和在1400nm到1600nm光通信波段的发光,其等离子体发光具有低频率激发高频率和球形发光的特征。本实用新型专利技术不同于半导体LED和LD光源的发光机理,具有全新的发光物理机理与模型,解决了用低频率泵浦高频率发光的问题,提供了半导体照明的新光源和硅芯片光互联的新光源,可以有很好的新型硅镱等离子体光源应用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体照明及纳米光子材料与器件
,尤其是一种新型硅镱量子面等离子体光源
技术介绍
目前,我们正处于后信息时代,其特点是由电子信息阶段过渡到光子信息阶段,现在已经完成以光子为信息载体的转换过程,如已经实现全光的光纤通信和光通信。当今的发展进入芯片上的光电子集成与芯片级的全光化,这是实现光量子信息处理和光量子信息计算的关键,而作出硅芯片上的用于光互联的光源与传播节点是一项瓶颈性的工作。硅芯片上的等离子体光源会开拓硅光互联光源发展的一条新的途径。另外,这种新型硅镱量子面等离子体光源的技术对于推广半导体照明具有重要的意义。众所周知,建立在硅基上的微电子信息产业高度发达,但是受尺寸与功耗的限制,摩尔定律已经到了适用范围的极限。科学家们试图在硅基上建立起全新的光量子信息处理系统,取代现在的微电子信息系统,实现信息时代革命性的跨越。这里,我们要解决几个关键性的问题,一是在什么材料上建立光量子信息处理系统,有些材料特别是半导体材料的光学性质很好(例如砷化镓半导体材料),但是硅材料有很好的基础且属于环保材料,所以最终选择在硅基上建立光量子信息处理系统。二是需要改进硅材料的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型硅镱量子面等离子体光源,包括硅衬底(1),其特征在于:在硅衬底(1)的上表面设有间隔分布的氧化硅薄膜(2),在每个氧化硅薄膜(2)的顶面均设有一个形状及大小对应的镱薄膜(3),同一组氧化硅薄膜(2)及镱薄膜(3)组成一组硅镱量子面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄伟其
申请(专利权)人:贵州大学
类型:新型
国别省市:贵州;52

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