增亮阻隔膜及具有该增亮阻隔膜的量子点膜、背光模组制造技术

本发明专利技术提供一种增亮阻隔膜及具有该增亮阻隔膜的量子点膜、背光模组，增亮阻隔膜包括基材层，依次层设在基材层顶面上的无机镀层、聚合物层，以及设置在基材层底面的增亮层，增亮层呈连续式半圆球状分布。本发明专利技术所述的增亮阻隔膜层结构简单，增亮效果好，其应用到背光模组中，背光模组中可无需棱镜膜聚光增亮。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导电膜
，尤其涉及一种增亮阻隔膜及具有该增亮阻隔膜的背光模组。
技术介绍
请参阅图1。
技术实现思路
鉴于以上所述，本专利技术提供一种透过率高、低色偏、阻隔效果佳的增亮阻隔膜。一种增亮阻隔膜，具有基材层，增亮阻隔膜包括依次层设在基材层顶面上的无机镀层、聚合物层，以及设置在基材层底面的增亮层，增亮层呈连续式半圆球结构分布；所述无机层采用SiNx层、SiOy层交互堆叠的复合式无机层，x取值1至4/3之间，y取值1.8至2之间，其中，SiOy层位于SiNx层的上侧与聚合物层连接，SiNx层与基材层连接。进一步地，所述SiNx层的厚度在3nm至40nm之间，SiOy层厚度在20nm至120nm之间。进一步地，所述SiNx层厚度介于5nm-20nm，SiOy层厚度介于30nm-90nm。进一步地，所述无机层总厚度介于5-200nm之间。进一步地，所述聚合物层采用掺杂无机粒子的有机涂层。进一步地，所述无机粒子选用氧化硅、氧化钛、氧化铝颗粒、氧化锆颗粒、氧化锑颗粒或氧化锌颗粒粒子。进一步地，所述基材层顶面上形成有N层无机镀层与聚合物层组成的复合层，N≤5层，更佳地为N≤3层。进一步地，所述基材层与无机层之间形成有一平滑涂层，平滑涂层表面粗糙度小于7nm。进一步地，所述半圆球底面宽度介于12-60nm之间，优选为23-55nm之间，底角圆弧处切线与水平面夹角介于60-120度之间，优选为80-100度之间。进一步地，所述半圆球体结构材质折射率大于1.5，优选为1.53以上。此外，本专利技术有必要提供一种具有所述增亮阻隔膜的量子点膜。一种量子点膜，包括量子点层以及设置在量子点层一侧的普通阻隔膜，在量子点层相对普通阻隔膜的一侧设置有所述的增亮阻隔膜。再有，本专利技术有必要提供一种具有所述增亮阻隔膜的侧光式LED背光源。一种侧光式LED背光源，包括导光板，依次层设在导光板上的第一扩散膜、量子点膜与第二扩散膜，以及设置在导光板一侧的LED光源，所述量子点膜包括量子点层以及设置在量子点层一侧的普通阻隔膜，在量子点层相对普通阻隔膜的一侧设置有所述的增亮阻隔膜。本专利技术的有益效果，增亮阻隔膜的基材层一表面上的无机层采用SiNx层、SiOy层交互堆叠的复合式无机层，通过在基材另一表面设置增亮层，增亮层采用连续式半圆球状分布，可起到透过率高、低色偏、阻隔效果佳。附图说明上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，描述中的附图仅仅是对应于本专利技术的具体实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，在需要的时候还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有侧光式LED背光源的结构示意图；图2为现有阻隔膜的层结构示意图；图3为本专利技术提供的一种的侧光式LED背光源的结构示意图；图4为图2所示的侧光式LED背光源的量子点膜的层结构示意图；图5为本专利技术提供另一种量子点膜的层结构示意图；图6为本专利技术提供第三种量子点膜的层结构示意图；图7为本专利技术量子点膜的增亮层的半圆球截面图。具体实施方式为了详细阐述本专利技术为达成预定技术目的而所采取的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的部分实施例，而不是全部的实施例，并且，在不付出创造性劳动的前提下，本专利技术的实施例中的技术手段或技术特征可以替换，下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。请参阅图3，一种侧光式LED背光源，包括导光板10，依次层设在导光板10上的第一扩散膜20、量子点膜30与第二扩散膜40，以及设置在导光板10一侧的LED光源50。LED光源50发出光线经过第一扩散膜20后，均匀进入量子点膜30，量子点膜30提供量子点，在LED发出的光的激发下发光，并且连同LED的光线进入第二扩散膜40，第二扩散膜40对透过的光线做散射处理，让光分布更加均匀。量子点膜30包括量子点层31以及设置在量子点层31两侧的普通阻隔膜32与增亮阻隔膜33，量子点膜30的普通阻隔膜31的一侧邻接第一扩散膜20，量子点膜30的增亮阻隔膜33的一侧邻接第二扩散膜40。请参阅图4，增亮阻隔膜33的第一较佳实施例，包括基材层331、依次形成在基材层331一表面上的无机镀层332、聚合物层333，以及形成在基材层331另一表面的增亮层334。基材层331材质选用PET、PEN、PC、COP或COC任一种或几种的组合，优选PET基材层。基材层331厚度12-260um之间。无机镀层332采用SiNx层、SiOy层交互堆叠的复合式无机层，x取值1至4/3之间，y取值1.8至2之间。无机层总厚度需介于5-200nm之间，优选10-150nm。SiNx层通过以溅镀或蒸镀方式形成在基材层331表面，N与Si的比例需控制在x＝1–4/3之间，才能达到Si与N的完整键结状态。SiNx层厚度在3nm-40nm之间，较佳地选择在3nm-20nm之间，最佳为5nm-20nm之间。SiOy层通过溅射法、真空蒸镀法、离子镀法或等离子体CVD法制作在SiNx层12表面，O与Si比例需控制在y＝1.8-2之间，若y低于1.8则会造成折射率偏高，影响整体光学设计。SiOy层厚度20nm-120nm间,较佳地选择在30nm-120nm之间，最佳为在30nm-90nm之间。聚合物层333为有机涂层或掺杂无机粒子的有机涂层。有机涂层材料为：丙烯酸酯类树脂、有机硅氧烷树脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸酯改性有机硅树脂或环氧树脂。无机粒子主要为氧化硅、氧化钛粒子。聚合物层333厚度为0.3um-10um之间，较佳地选择在0.5um-5um间。增亮层334呈连续式半圆球结构分布，请参阅图7，每一半圆球结构底面宽度L介于12-60nm之间，优选为23-55nm之间，底角圆弧处切线与水平面夹角α介于60-120度间，优选为80-100度之间，通过限定底层宽度以及夹角α，可得到最佳的增亮效果。增亮层334折射率需大于1.5，优选为1.53以上。增亮层334采用的材质为：丙烯酸酯类树脂、有机硅氧烷树脂、丙烯酸酯改性聚氨酯、丙烯酸酯改性有机硅树脂或环氧树脂。通过设置增亮层334，增亮层334采用连续式半圆球状分布，可起到聚光效果，提高了亮度。对阻隔膜33的各个性能指标进行检测，具体选用的实施例可参下表一。表一SiNx厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增亮阻隔膜(33)，具有基材层(331)，其特征在于：增亮阻隔膜(33)包括依次层设在基材层(331)顶面上的无机镀层(332)、聚合物层(333)，以及设置在基材层(331)底面的增亮层(334)，增亮层(334)呈连续式半圆球结构分布；所述无机镀层(332)采用SiNx层、SiOy层交互堆叠的复合式无机层，x取值1至4/3之间，y取值1.8至2之间，其中，SiOy层位于SiNx层的上侧与聚合物层(333)连接，SiNx层与基材层(331)连接。

【技术特征摘要】
1.一种增亮阻隔膜(33)，具有基材层(331)，其特征在于：增亮阻隔膜(33)包括依次层
设在基材层(331)顶面上的无机镀层(332)、聚合物层(333)，以及设置在基材层(331)底面
的增亮层(334)，增亮层(334)呈连续式半圆球结构分布；所述无机镀层(332)采用SiNx层、
SiOy层交互堆叠的复合式无机层，x取值1至4/3之间，y取值1.8至2之间，其中，SiOy层位于
SiNx层的上侧与聚合物层(333)连接，SiNx层与基材层(331)连接。
2.根据权利要求1所述的增亮阻隔膜(33)，其特征在于：所述SiNx层的厚度在3nm至40nm
之间，SiOy层厚度在20nm至120nm之间。
3.根据权利要求1所述的增亮阻隔膜(33)，其特征在于：所述SiNx层厚度介于5nm-20nm，
SiOy层厚度介于30nm-90nm。
4.根据权利要求2所述的增亮阻隔膜(33)，其特征在于：所述无机层(332)总厚度介于
5-200nm之间。
5.根据权利要求1所述的增亮阻隔膜(33)，其特征在于：所述聚合物层(333)采用掺杂
无机粒子的有机涂层。
6.根据权利要求5所述的增亮阻隔膜(33)，其特征在于：所述无机粒子选用氧化硅、氧
化钛、氧化铝颗粒、氧化锆颗粒、氧化锑颗粒或氧化锌颗粒粒子。
7.根据权利要求1所述的增亮阻隔膜(33)，其特征在于：所述基材层(331)顶面上形成<...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡文玮，
申请(专利权)人：汕头万顺包装材料股份有限公司，汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司，
类型：发明
国别省市：广东;44