一种激光器晶圆和激光器芯片的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种激光器晶圆和激光器芯片的制作方法，该激光器晶圆包括多个激光器芯片，激光器晶圆的正面设置有第一金属层，激光器晶圆的背面设置有第二金属层；其中，相邻激光器芯片之间设置有解理区域，解理区域由在生长第一金属层和第二金属层之前以光刻胶制作掩膜层以定义解理区域图案，并在解理前通过腐蚀液清洗掩膜层得到；第一金属层和第二金属层在解理区域断开，以通过解理区域对激光器晶圆进行解理得到激光器芯片。该激光器晶圆的解理区域没有被金属层覆盖，在对激光器晶圆进行解理的过程中，无需对金属层进行解理操作，不会出现金属层无法有效断裂进而导致金属层容易被拉扯而脱落情况，提高产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种激光器晶圆、激光器芯片及其制作方法
本专利技术涉及激光器
，特别是涉及一种激光器晶圆、激光器芯片及其制作方法。
技术介绍
目前，半导体激光器广泛应用于光通信领域，常见半导体激光器有法布里帕罗激光器、分布式反馈激光器、电吸收调制激光器、可调波长激光器、垂直腔面发射激光器等。激光器芯片常见制作工艺为：刻蚀出脊波导结构、生长介质薄膜和P型导电金属薄膜、背面减薄至可解理厚度、背面生长N型金属薄膜、解理bar条、镀膜、解理单颗芯片。激光器晶圆一般需要至少两次解理工序形成单颗激光器芯片：经过划片、裂片解理成一个个bar条；bar条通过裂片解理成单颗芯片。由于激光器晶圆上的多个激光器芯片的金属层是连接在一起的，在对激光器晶圆进行解理时，金属层可能无法有效断裂，进而使得金属层容易被拉扯而脱落。另一方面，由于金属层的金属材料与晶圆其他无机层的无机材料的属性差异较大，因此，金属层与无机层耦合情况容易被外力破坏，在对晶圆进行解理时，解理力度控制不当时容易破坏金属层与无机层的耦合情况，进而导致金属层容易被拉扯而脱落。再者，由于需要同时对晶圆的金属层和无机层进行解理操作，不易控制解理的力度，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光器晶圆，其特征在于，所述激光器晶圆(1)包括多个激光器芯片(3)，所述激光器晶圆(1)的正面设置有第一金属层(11)，所述激光器晶圆(1)的背面设置有第二金属层(12)；其中，相邻激光器芯片(3)之间设置有解理区域(30)，所述解理区域(30)由在生长所述第一金属层(11)和所述第二金属层(12)之前以光刻胶制作掩膜层(4)以定义所述解理区域(30)图案，并在解理前通过腐蚀液清洗所述掩膜层(4)得到；所述第一金属层(11)和所述第二金属层(12)在所述解理区域(30)断开，以通过所述解理区域(30)对所述激光器晶圆(1)进行解理得到激光器芯片(3)。

【技术特征摘要】
1.一种激光器晶圆，其特征在于，所述激光器晶圆(1)包括多个激光器芯片(3)，所述激光器晶圆(1)的正面设置有第一金属层(11)，所述激光器晶圆(1)的背面设置有第二金属层(12)；其中，相邻激光器芯片(3)之间设置有解理区域(30)，所述解理区域(30)由在生长所述第一金属层(11)和所述第二金属层(12)之前以光刻胶制作掩膜层(4)以定义所述解理区域(30)图案，并在解理前通过腐蚀液清洗所述掩膜层(4)得到；所述第一金属层(11)和所述第二金属层(12)在所述解理区域(30)断开，以通过所述解理区域(30)对所述激光器晶圆(1)进行解理得到激光器芯片(3)。2.根据权利要求1所述的激光器晶圆(1)，其特征在于，所述第一金属层(11)为P型欧姆接触金属层，所述第二金属层(12)为N型欧姆接触金属层。3.一种激光器芯片的制作方法，其特征在于，所述激光器芯片(3)通过对激光器晶圆(1)解理而制得，所述激光器芯片(3)的制作方法包括：在激光器晶圆(1)的正面以及激光器晶圆(1)的背面分别制作掩膜层(4)，其中，所述掩膜层(4)与相邻激光器芯片(3)之间的解理区域(30)相对应；在所述激光器晶圆(1)的正面以及位于所述激光器晶圆(1)的正面上的掩膜层(4)上制作第一金属层(11)；在所述激光器晶圆(1)的背面以及位于所述激光器晶圆(1)的背面上的掩膜层(4)上制作第二金属层(12)；去除掩膜层(4)，位于掩膜层(4)上的第一金属层(11)和位于掩膜层(4)上的第二金属层(12)也随之去除，使得所述第一金属层(11)和所述第二金属层(12)在相邻激光器芯片(3)之间的解理区域(30)断开，以裸露相邻激光器芯片(3)之间的解理区域(30)；通过所述解理区域(30)对所述激光器晶圆(1)解理得到激光器芯片(3)。4.根据权利要求3所述的激光器芯片的制作方法，其特征在于，所述在激光器晶圆(1)的正面以及激光器晶圆(1)的背面分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：李密锋，方娜，陈如山，王艳，程宗鸿，李中坤，余兵，吴倩，
申请(专利权)人：武汉电信器件有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42