一种微盘拉曼激光器及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种微盘拉曼激光器及其制作方法。其中，微盘拉曼激光器包括：在基板上涂布光刻胶；其中，所述基板包括半导体基底，所述半导体基底上形成有氧化物半导体层；将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜，对所述光刻胶进行光刻和显影，获取光刻胶圆盘；以所述光刻胶圆盘作为掩膜，对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘；对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗；以所述氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀所述半导体基底，形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱。本发明专利技术实施例提供的技术方案，可解决现有微腔拉曼激光器刻蚀精度不高，重复性差的问题。

A Microdisk Raman Laser and Its Fabrication Method

The embodiment of the present invention discloses a microdisk Raman laser and its fabrication method. Among them, the microdisk Raman laser includes: coating photoresist on the substrate; the substrate includes a semiconductor substrate, on which an oxide semiconductor layer is formed; using a mask with a circular hollow pattern as a mask, the photoresist is photolithographed and developed to obtain a photoresist disk; The photoresist disc is used as a mask, the oxide semiconductor layer is plasma etched to obtain the oxide semiconductor micro-disc, the photoresist disc on the oxide semiconductor micro-disc is cleaned, and the oxide semiconductor micro-disc is used as a mask to etch the semiconductor substrate to form the support. Supporting pillar of oxide semiconductor microdisk. The technical scheme provided by the embodiment of the invention can solve the problems of low etching accuracy and poor repeatability of the existing micro-cavity Raman laser.

【技术实现步骤摘要】
一种微盘拉曼激光器及其制作方法
本专利技术实施例涉及激光
，尤其涉及一种微盘拉曼激光器及其制作方法。
技术介绍
拉曼激光可通过一定频率的激光在光学微腔中发生一定方式和程度的共振形成。回音壁模式光学微腔是能够将光束缚在一定大小的空间与时间内的一种微小器件，由于它拥有较高的品质因子Q和较小的模式体积，因此可以大大减小受激辐射激光的功率的阈值，能够实现极低阈值的回音壁模式拉曼激光。拉曼激光器在光学平台中有很大的应用潜力，在光谱分析，激光传感，光学通讯，环境监测方面都有很重要的应用。现有技术中，利用氧化硅微球腔实现了超低阈值的拉曼激光，阈值最小为62微瓦。其微球腔通过如下方法制作：利用二氧化碳激光器发射波长为10.6微米的激光照射标准通信光纤(SMF-28)的顶端。由于光纤由二氧化硅组成，对10.6微米的激光大量吸收，因此光纤顶端被激光加热融化，在表面张力的作用下形成氧化硅小球，也就是最终制备而成的氧化硅微球腔。但是，对于通过激光照射光纤端使其融化形成微球腔拉曼激光器的方法，光纤微球无法制作在硅片上。为了解决光纤微球无法在片上集成的问题，现有技术也实现了利用片上集成的氧化硅微环芯腔形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于，包括：在基板上涂布光刻胶；其中，所述基板包括半导体基底，所述半导体基底上形成有氧化物半导体层；将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜，对所述光刻胶进行光刻和显影，获取光刻胶圆盘；以所述光刻胶圆盘作为掩膜，对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘；对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗；以所述氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀所述半导体基底，形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱。

【技术特征摘要】
1.一种微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于，包括：在基板上涂布光刻胶；其中，所述基板包括半导体基底，所述半导体基底上形成有氧化物半导体层；将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜，对所述光刻胶进行光刻和显影，获取光刻胶圆盘；以所述光刻胶圆盘作为掩膜，对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘；对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗；以所述氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀所述半导体基底，形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱。2.根据权利要求1所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于：所述支撑柱与所述氧化物半导体微盘相接触的接触面的直径小于所述氧化物半导体微盘的直径。3.根据权利要求1所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于：所述半导体基底为硅基底，所述氧化半导体层为二氧化硅层。4.根据权利要求1所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于，以所述光刻胶圆盘作为掩膜，对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘，包括：以所述光刻胶圆盘作为掩膜，对所述氧化物半导体层进行各方向刻蚀参数不同的电感耦合等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘；其中，所述氧化物半导体微盘的侧面与所述半导体基底所在平面存在倾斜角。5.根据权利要求4所述的微盘拉曼激光器的制作方法，其特征在于，对所述氧化物半导体层进行各方向刻蚀参数不同的电感耦合等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘，包括：通过引流气体将反应气体输送至所述氧化物半导体层表面；通过射频源将...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜校顺，李昊，程欣宇，顾佳新，肖敏，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32