堆叠式半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体装置及其制造方法。提供有一种堆叠式半导体装置，包括：第一衬底；位于所述第一衬底上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层上的第二衬底；外接通孔，在垂直于所述第二衬底的上表面的第一方向上延伸穿透所述第二衬底并暴露外接焊盘，所述外接焊盘位于所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中；以及保护环，形成在所述第二绝缘层中并且设置为以所述第一方向为轴心方向至少部分地围绕所述外接通孔的侧壁，但不从所述外接通孔的侧壁露出。

【技术实现步骤摘要】
堆叠式半导体装置及其制造方法
本公开涉及半导体领域，具体而言，涉及堆叠式半导体装置及其制造方法。
技术介绍
在半导体领域中，存在对于将多个功能相同或者不同的晶片堆叠在一起的需求。在将多个晶片接合从而形成堆叠式半导体装置之后，需要形成至少部分地穿透该堆叠式半导体装置以暴露其中的外接焊盘的外接通孔。在之后的封装步骤中，可以通过引线等将外接焊盘连接到外部端子，然后用绝缘材料填充外接通孔。但在此之前，外接通孔长时间暴露于环境中，极易受到环境中的水分或其它物质的侵蚀。因此，存在对于新技术的需求。
技术实现思路
本公开的一个目的是提供一种新颖的堆叠式半导体装置以及制造方法。根据本公开的第一方面，提供了一种堆叠式半导体装置，包括：第一衬底；位于所述第一衬底上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层上的第二衬底；外接通孔，在垂直于所述第二衬底的上表面的第一方向上延伸穿透所述第二衬底并暴露外接焊盘，所述外接焊盘位于所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中；以及保护环，形成在所述第二绝缘层中并且设置为以所述第一方向为轴心方向至少部分地围绕所述外接通孔的侧壁，但不从所述外接通孔的侧壁露出。根本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种堆叠式半导体装置，其特征在于，包括：第一衬底；位于所述第一衬底上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层上的第二衬底；外接通孔，在垂直于所述第二衬底的上表面的第一方向上延伸穿透所述第二衬底并暴露外接焊盘，所述外接焊盘位于所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中；以及保护环，形成在所述第二绝缘层中并且设置为以所述第一方向为轴心方向至少部分地围绕所述外接通孔的侧壁，但不从所述外接通孔的侧壁露出。

【技术特征摘要】
1.一种堆叠式半导体装置，其特征在于，包括：第一衬底；位于所述第一衬底上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层上的第二衬底；外接通孔，在垂直于所述第二衬底的上表面的第一方向上延伸穿透所述第二衬底并暴露外接焊盘，所述外接焊盘位于所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中；以及保护环，形成在所述第二绝缘层中并且设置为以所述第一方向为轴心方向至少部分地围绕所述外接通孔的侧壁，但不从所述外接通孔的侧壁露出。2.根据权利要求1所述的堆叠式半导体装置，其特征在于，所述保护环包括：形成在所述第二绝缘层中的一个或多个保护层，每个保护层以所述第一方向为轴心方向至少部分地围绕所述外接通孔；形成在所述第二绝缘层中的一个或多个保护层连接件，每个保护层连接件以所述第一方向为轴心至少部分地围绕所述外接通孔；其中，所述一个或多个保护层和所述一个或多个保护层连接件在所述第一方向上交替地设置并且彼此连接。3.根据权利要求2所述的堆叠式半导体装置，其特征在于，其中，所述第二绝缘层包括形成在其中的至少一个布线层以及用于连接所述至少一个布线层的多个插塞。4.根据权利要求3所述的堆叠式半导体装置，其特征在于，其中，每个保护层是形成在所述第二绝缘层中的某一个布线层的一部分，并且，其中，每个保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：管斌，金子贵昭，陈世杰，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32