光子加热器制造技术

本发明专利技术实施例提供一种光子加热器。所述光子加热器包括电流源及传递电路。所述传递电路连接到所述电流源。所述光子加热器进一步包括加热组件。所述加热组件连接到所述传递电路。所述传递电路可运作以调节从所述电流源传递到所述加热组件的电流量。

【技术实现步骤摘要】
光子加热器相关申请的交叉参考本申请主张在2017年8月31日提出申请的序列号为第15/691,909号的美国临时申请的优先权权利。上述专利申请的全文并入本文供参考且构成本说明书的一部分。
技术介绍
硅光子学及硅兼容光子学的进步促进了光子组件与电子组件的高密度集成。实例是在与互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor，CMOS)相同的平台上制造硅光子装置。硅光子装置的诱人之处部分地在于其尺寸优点。举例来说，硅上光子电路可为非常小的。因此，光子电路有可能解决未来服务器及数据中心的不断增长的高带宽需要，其中对硅平台的大量加工及传统光学通信的低成本可重新定义高性能内连线的约束条件。
技术实现思路
本申请的一些实施例提供一种光子加热器。包括：电流源。传递电路，连接到所述电流源。以及加热组件，连接到所述传递电路。所述传递电路可运作以调节从所述电流源传递到所述加热组件的电流量。此外，本申请的其他实施例提供一种光子加热器。包括：电流源。传递电路，连接到所述电流源。所述传递电路可运作以将所述电流源的非时变电流转换成时变电流并将所述时变电流提供到与所述传递电路连接的加热组件。所述传递电路可运作以调节提供到所述加热组件的所述时变电流的量。另外，本申请的其他实施例提供一种对光子电路提供加热的方法。包括确定传递电路的多个开关的工作循环。所述传递电路连接在电流源与加热组件之间，且其中所述传递电路可运作以将非时变电流从所述电流源传递到所述加热组件。基于所述所确定的工作循环来确定所述传递电路的所述多个开关的切换序列，以及起始所述切换序列。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本专利技术实施例的各方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1说明根据一些实施例的示例性光子加热器。图1A说明根据一些实施例的光子加热器的电流源的输出电流的曲线图。图2说明根据一些实施例的光子加热器的电路图。图3A说明根据一些实施例的传递电路的第一开关的示例性切换模式。图3B说明根据一些实施例的传递电路的第二开关的示例性切换模式。图3C说明根据一些实施例的传递电路的两个开关的组合切换模式。图4A说明根据一些实施例的传递电路的开关的工作循环的第一实例。图4B说明根据一些实施例的传递电路的开关的工作循环的第二实例。图5说明根据一些实施例穿过传递电路的开关的电压及电流的曲线图。图6A说明根据一些实施例当第一开关接通时光子加热器的功率消耗计算的实例。图6B说明根据一些实施例当第二开关接通时光子加热器的功率消耗计算的实例。图6C说明根据一些实施例的光子加热器的总功率消耗的实例。图7是说明根据一些实施例用于操作光子加热器的方法的阶段的流程图。图8说明根据一些实施例的光子加热器的示例性布局。图9说明根据一些实施例的光子加热器的另一示例性布局。图10说明根据一些实施例的光子加热器的电荷存储装置的实例。图11说明根据一些实施例的光子加热器的电荷存储装置的实例。图12A说明根据一些实施例的光子加热器的电荷存储装置的示例性侧视图。图12B说明根据一些实施例的光子加热器的电荷存储装置的示例性俯视图。图12C说明根据一些实施例的光子加热器的电荷存储装置的另一示例性俯视图。图12D说明根据一些实施例的光子加热器的电荷存储装置的又一示例性俯视图。图13A说明根据一些实施例的光子加热器的加热组件的示例性表示。图13B说明根据一些实施例对穿过光子加热器的加热组件的两种类型的电流的电流限制的比较。图14A说明根据一些实施例的光子加热器的第一示例性设计特征。图14B说明根据一些实施例的光子加热器的第二示例性设计特征。图14C说明第一表，其列示根据一些实施例的光子加热器的示例性设计尺寸特征。图15A说明根据一些实施例的光子加热器的第三示例性设计特征。图15B说明根据一些实施例的光子加热器的第四示例性设计特征。图15C说明根据一些实施例的光子加热器的第五示例性设计特征。图15D说明第二表，其列示根据一些实施例的光子加热器的设计尺寸特征。[符号的说明]100：光子加热器102：电流源104：传递电路106：加热组件108：导体220：第一开关222：第二开关224：电荷存储装置226：电阻器402：第一示例性工作循环404：第二示例性工作循环510：第一曲线图510a、510b、510c：子曲线图515：第二曲线图515a、515b、515c：子曲线图520：第三曲线图520a、520b、520c：子曲线图525：第四曲线图525a、525b、525c：子曲线图610a、610b、610c：子曲线图620a、620b、620c：子曲线图702、704、706、708、710、712：操作800：布局802：电流输入804：开关控制器806：工作循环控制器808：参考地810：第一开关段812：第二开关段814：电容器段816：加热器段900：布局902：控制器段904：开关段906：电容器段908：加热器段910：电流源1102：第一金属层1104：第二金属层1106：阳极1108：薄绝缘体1202：第一金属板1204：第二金属板1202’：金属板1204’：金属板Idc：电流源C：电荷存储装置C1、C2…Cn：导体i1：第一电流i2：第二电流R：电阻器S1、s1：第一开关S2、s2：第二开关T0、T1、T2、T3、T4：时间t1：第一时间周期t2：第二时间周期t3：第三时间周期t4：第四时间周期t5：第五时间周期t6：第六时间周期t7：第七时间周期t’1：接通时间t’2：关断时间v1：第一电压v2：第二电压w：宽度A：距离B：宽度C：长度D：水平空间E：垂直空间F：面积G：距离具体实施方式以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。下文阐述组件及构造的具体实例以简化本专利技术实施例。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。例如，以下说明中将第一特征形成在第二特征之上或第二特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有额外特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本专利技术实施例可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。在各种实施例中，本专利技术实施例提供一种光子加热器。硅具有高热电系数，这使得硅对温度变化极其敏感。将此种高热敏感度加以利用。举例来说，对折射率进行热光微调是为实现热稳定、补偿制作公差及实施光子操作而在集成式硅光子电路中执行的操作之一。通过提供局部加热来实现对光子电路的热光微调。在示例性实施例中，本专利技术实施例提供一种用于对光子电路进行局部加热的光子加热器。举例来说，本文中所公开的光子加热器可运作以通过局部加热来改变光子组件(即，波导或环形耦合器)的相位及波长，从而控制所述光子组件的电路性能。图1提供根据本专利技术实施例的光子加热器100的示例性说明。如图1中所说明，光子加热器100包括电流源Idc102、传递电路104、及加热组件106。在示例性实施例中，电流源Idc10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光子加热器，其特征在于，包括：电流源；传递电路，连接到所述电流源；以及加热组件，连接到所述传递电路，其中所述传递电路可运作以调节从所述电流源传递到所述加热组件的电流量。

【技术特征摘要】
2017.08.31 US 15/691,9091.一种光子加热器，其特征在于，包括：电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李惠宇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71