有机发光二极管制造技术

一种有机发光二极管，包括：一支撑体、一阳极电极、一空穴传输层、一有机发光层和一电子传输层，该支撑体、阳极电极、空穴传输层、有机发光层和电子传输层依次层叠设置，所述电子传输层为一碳纳米管复合结构，所述碳纳米管复合结构具有相对的第一表面和第二表面，所述碳纳米管复合结构包括一聚合物和多个碳纳米管，该多个碳纳米管分散在所述聚合物中，该多个碳纳米管的部分表面从所述聚合物的第一表面暴露，并且该多个碳纳米管与所述有机发光层间隔设置。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管
本专利技术涉及一种有机发光二极管。
技术介绍
有机发光二极管(organiclightemittingdiode，OLED)是一种发光层由有机复合物构成的发光二极管，作为一种高效的发光源，其具有重量轻、厚度薄、多色彩、低制造成本等诸多特点，使得有机发光二极管在大面积面光源的照明应用上逐渐显露出取代传统发光二极管的趋势，已经被广泛的运用于各种领域。现有技术中碳纳米管和聚合物形成的复合结构可以作为OLED的电子传输层。所述碳纳米管与聚合物的复合过程一般是：将碳纳米管分散在有机溶剂中形成碳纳米管分散液，将聚合物溶解在有机溶剂中形成聚合物溶液，然后将碳纳米管分散液与聚合物溶液混合，得到碳纳米管和聚合物的复合结构。然而，由于碳纳米管在有机溶剂中容易团聚，分散性差，所制备的复合结构中碳纳米管杂乱无章地排列，分散不均匀。当该复合结构作为OLED中的电子传输层时，该电子传输层传输电子的能力较差。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供一种有机发光二极管，碳纳米管均匀分散在聚合物中，且碳纳米管定向排列，提高了电子传输层传输电子的能力。一种有机发光二极管，包括：一支撑体、一阳极电极、一空穴传输层、一有机发光层和一电子传输层，该支撑体、阳极电极、空穴传输层、有机发光层和电子传输层依次层叠设置，所述电子传输层为一碳纳米管复合结构，所述碳纳米管复合结构具有相对的第一表面和第二表面，所述碳纳米管复合结构包括一聚合物和多个碳纳米管，该多个碳纳米管分散在所述聚合物中，该多个碳纳米管的部分表面从所述聚合物的第一表面暴露，并且该多个碳纳米管与所述有机发光层间隔设置。与现有技术相比，本专利技术采用一碳纳米管复合结构作为有机发光二极管的电子传输层。该碳纳米管复合结构包括聚合物和多个碳纳米管，该多个碳纳米管在聚合物中具有较好的分散性，并且该多个碳纳米管的长度方向沿同一方向延伸，从而增强了电子传输层传输电子的能力。附图说明图1为本专利技术第一实施例提供的碳纳米管复合结构的制备方法的工艺流程图。图2为本专利技术第一实施例使用的碳纳米管拉膜的扫描电镜照片。图3为本专利技术第一实施例使用的碳纳米管絮化膜的扫描电镜照片。图4为本专利技术第一实施例使用的包括多个沿同一方向择优取向排列的碳纳米管的碳纳米管碾压膜的扫描电镜照片。图5为本专利技术第一实施例使用的包括多个沿不同方向择优取向排列的碳纳米管的碳纳米管碾压膜的扫描电镜照片。图6为本专利技术第一实施例提供的CNT/PI复合结构第四表面的SEM照片。图7为本专利技术第一实施例提供的CNT/PI复合结构第四表面涂覆1纳米厚的金膜后的SEM照片。图8为本专利技术第一实施例提供的CNT/PI复合结构第四表面的AFM(原子力显微镜)照片。图9为本专利技术第一实施例提供的CNT/PI复合结构第四表面涂覆3纳米厚的金膜后的AFM照片。图10为本专利技术第二实施例提供的碳纳米管复合结构的制备方法的工艺流程图。图11为本专利技术第三实施例提供的碳纳米管复合结构的制备方法的工艺流程图。图12为本专利技术第四实施例提供的碳纳米管复合结构的制备方法的工艺流程图。图13为本专利技术第五实施例提供的一种有机发光二极管的结构示意图。图14为图13中有机发光二极管的制备方法的工艺流程图。图15为图13中有机发光二极管的另一种制备方法的工艺流程图。图16为图13中有机发光二极管的另一种制备方法的工艺流程图。图17为本专利技术第六实施例提供的一种有机发光二极管的结构示意图。图18为图17中有机发光二极管的制备方法的工艺流程图。图19为图17中有机发光二极管的另一种制备方法的工艺流程图。图20为图17中有机发光二极管的另一种制备方法的工艺流程图。图21为本专利技术第七实施例提供的一种有机发光二极管的结构示意图。图22为本专利技术第七实施例提供的一种有机发光二极管的另一结构示意图。图23为图21中有机发光二极管的制备方法的工艺流程图。图24为图21中有机发光二极管的另一制备方法的工艺流程图。图25为本专利技术第八实施例提供的一种有机发光二极管的结构示意图。图26为图25中有机发光二极管的制备方法的工艺流程图。图27为图25中有机发光二极管的另一制备方法的工艺流程图。图28为本专利技术第九实施例提供的一种有机发光二极管的结构示意图。图29为图28中有机发光二极管的制备方法的工艺流程图。图30为图28中有机发光二极管的另一制备方法的工艺流程图。主要元件符号说明基底100支撑体11第一表面102阳极电极12碳纳米管结构110空穴传输层13第二表面112有机发光层14间隙116阴极电极15碳纳米管118预制结构16接触表面117第一碳纳米管1180第三表面114第二碳纳米管1182单体溶液140第一复合结构175聚合物120第三碳纳米管1184下表面122第三面138碳纳米管复合结构130，160，170，180石墨烯层150模具176，177预制体172，173第四表面132基板174容器182有机发光二极管10，20，30，40如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式下面将结合附图及具体实施例对本专利技术提供的有机发光二极管及其制备方法作进一步的详细说明。本专利技术的改进主要是提供一种新的碳纳米管复合结构并将其应用于有机发光二极管。因此，为了便于理解，本专利技术说明书首先介绍本专利技术采用的碳纳米管复合结构及其制备方法。请参见图1，本专利技术第一实施例提供一种碳纳米管复合结构130的制备方法，包括以下步骤：S1，将一碳纳米管结构110设置在一基底100的第一表面102，该碳纳米管结构110具有相对的第二表面112和第三表面114，该第三表面114与基底100的第一表面102直接接触；S2，提供一单体溶液140，该单体溶液140是将单体分散至有机溶剂中形成，并将该单体溶液140涂覆至所述碳纳米管结构110；S3，使所述单体聚合；S4，去除所述基底100，得到碳纳米管复合结构130。步骤S1中，所述碳纳米管结构110包括多个均匀分布的碳纳米管118，相邻碳纳米管118之间具有间隙116。该多个碳纳米管118平行于碳纳米管结构110的第二表面112和第三表面114，该多个碳纳米管118也平行于基底100的第一表面102，并且碳纳米管118之间通过范德华力紧密结合。所述碳纳米管118包括单壁碳纳米管118、双壁碳纳米管118及多壁碳纳米管118中的一种或多种。所述单壁碳纳米管118的直径为0.5纳米～50纳米，所述双壁碳纳米管118的直径为1.0纳米～50纳米，所述多壁碳纳米管118的直径为1.5纳米～50纳米。所述碳纳米管结构110是由碳纳米管118组成的纯结构。所述碳纳米管118为无序或有序排列。这里的无序排列指碳纳米管118的排列方向无规律，这里的有序排列指至少多数碳纳米管118的排列方向具有一定规律。具体地，当碳纳米管结构110包括无序排列的碳纳米管118时，碳纳米管118相互缠绕或者各向同性排列；当碳纳米管结构110包括有序排列的碳纳米管118时，碳纳米管118沿一个方向或者多个方向择优取向排列。所述碳纳米管结构110可以为碳纳米管拉膜、碳纳米管絮化膜或者碳纳米管碾压膜。请参见图2，所述碳纳米管拉膜包括多个首尾相连且沿同一方向延伸的碳纳米管118。所述碳纳米管118均匀分布，且平行于碳纳米管拉膜表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管，包括：一支撑体、一阳极电极、一空穴传输层、一有机发光层和一电子传输层，该支撑体、阳极电极、空穴传输层、有机发光层和电子传输层依次层叠设置，所述电子传输层为一碳纳米管复合结构，其特征在于，所述碳纳米管复合结构具有相对的第一表面和第二表面，所述碳纳米管复合结构包括一聚合物和多个碳纳米管，该多个碳纳米管分散在所述聚合物中，该多个碳纳米管的部分表面从所述聚合物的第一表面暴露，并且该多个碳纳米管与所述有机发光层间隔设置。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管，包括：一支撑体、一阳极电极、一空穴传输层、一有机发光层和一电子传输层，该支撑体、阳极电极、空穴传输层、有机发光层和电子传输层依次层叠设置，所述电子传输层为一碳纳米管复合结构，其特征在于，所述碳纳米管复合结构具有相对的第一表面和第二表面，所述碳纳米管复合结构包括一聚合物和多个碳纳米管，该多个碳纳米管分散在所述聚合物中，该多个碳纳米管的部分表面从所述聚合物的第一表面暴露，并且该多个碳纳米管与所述有机发光层间隔设置。2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述多个碳纳米管首尾相连且沿同一方向延伸。3.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述多个碳纳米管的长度延伸方向平行于所述有机发光层的表面。4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管复合结构具有一纳米级平整的表面，所述多个碳纳米管的部分表面暴露形成暴露表面，且所述暴露表面至该纳米级平整的表面的距离为大于等于零且小于等于30纳米。5.如权利要求4所述的有机发光二极管，其特征在于，所述暴露表面至该纳米级平整的表面的距...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁文，柳鹏，姜开利，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11