The invention provides a mask plate, which can restrain as much as possible the protuberance around the penetration hole (11) of the pattern mask part (1) when the mask plate is tightly attached to the lower surface of the substrate through the attraction of the magnet array so that the substrate (Sw) is sandwiched between the contact plate (Tp) and the mask plate (MP), and prevent the mask failure on the formed film. The mask plate (MP) of the present invention has a pattern mask part (1), which is composed of a plurality of perforations (11) opened in a prescribed pattern and penetrated in the thickness direction of the plate, and a shielding part (2), which is located around the pattern mask part. At least in the parallel setting direction of the magnets, the part (21) of the shielding part adjacent to the pattern mask part is formed with the same permeability as the pattern mask part.
【技术实现步骤摘要】
掩膜板及成膜方法
本专利技术涉及一种掩膜板以及使用该掩膜板的成膜方法,所述掩膜板具有:图案掩膜部,其由以规定的图案开设并贯穿板厚度方向的多个透孔构成;以及遮挡部,其位于图案掩膜部的周围;所述掩膜板紧密贴合或靠近基板的一个面配置并限定对基板的处理范围。
技术介绍
例如已知通过作为制造有机EL元件的工序之一的真空蒸镀法形成规定的薄膜。此时,在可形成真空气氛的真空室内,将玻璃或聚酰亚胺等的基板与例如由殷钢制成的掩膜板重叠配置,所述掩膜板具有:图案掩膜部,其由以规定的图案开设并贯穿板厚度方向的多个透孔构成;以及遮挡部,其位于图案掩膜部的周围;所述掩膜板限定对基板的处理范围;从蒸镀源使蒸镀物质升华或气化,隔着掩膜板将该升华或气化了的蒸镀物质附着、堆积在基板的一个面(即成膜面)上,由此在基板的规定范围内以规定的图案形成各种薄膜(例如参照专利文献1)。通常蒸镀源配置在掩膜板下方,以所谓的基板表面朝下方式成膜。此处,当通过真空蒸镀进行成膜时,为了抑制在以规定的图案形成的薄膜上发生所谓的掩膜失效(即隔着掩膜板以规定的基准薄膜厚度形成规定的薄膜,例如观察沿着一个方向的薄膜的薄膜厚度分布时,以基准薄膜厚度成膜的范围比掩膜板的一个方向的开口幅度小,到超过该开口幅度的规定的范围都形成了薄膜)的情况,更优选使基板和掩膜板在其整个面上紧密贴合。由此,通常的方式是:以从掩膜板朝向基板的方向为上,在基板上隔着接触板设置磁铁阵列,所述磁铁阵列由在上下方向上磁化了的多个柱状的磁铁在与磁铁的长度方向正交的方向上并列设置而构成,且彼此相邻的该磁铁的下侧的磁极不同,从而通过磁铁阵列的吸引力使掩膜板紧 ...
【技术保护点】
1.一种掩膜板,其特征在于,具有:图案掩膜部,其由以规定的图案开设并贯通板厚度方向的多个透孔构成;以及遮挡部,其位于图案掩膜部的周围;所述掩膜板与基板的一侧的面紧密贴合或靠近配置,限定对基板的处理范围;以从掩膜板朝向基板的方向为上,在基板上间隔接触板配置磁铁阵列,所述磁铁阵列由在上下方向上磁化的多个磁铁并列设置而构成,且彼此相邻的该磁铁的下侧的磁极不同,由此通过磁铁阵列的吸引力使所述掩膜板紧密贴合在基板的下表面以使基板夹隔在接触板和掩膜板之间;至少在磁铁的并列设置方向上与图案掩膜部相邻的遮挡部的部分形成为与图案掩膜部的磁导率相同。
【技术特征摘要】
2017.09.01 JP 2017-1682111.一种掩膜板,其特征在于,具有:图案掩膜部,其由以规定的图案开设并贯通板厚度方向的多个透孔构成;以及遮挡部,其位于图案掩膜部的周围;所述掩膜板与基板的一侧的面紧密贴合或靠近配置,限定对基板的处理范围;以从掩膜板朝向基板的方向为上,在基板上间隔接触板配置磁铁阵列,所述磁铁阵列由在上下方向上磁化的多个磁铁并列设置而构成,且彼此相邻的该磁铁的下侧的磁极不同,由此通过磁铁阵列的吸引力使所述掩膜板紧密贴合在基板的下表面以使基板夹隔在接触板和掩膜板之间;至少在磁铁的并列设置方向上与图案掩膜部相邻的遮挡部的部分形成为与图案掩膜部的磁导率相同。2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于:在所述遮挡部的部分上以规定的图案形成贯穿板厚度方向的多个贯通孔,向该贯通孔中充填非磁性材料。3.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于:在所述遮挡部的部分上以...
【专利技术属性】
技术研发人员:三上瞬,中尾裕利,田宫慎太郎,朝比奈伸一,
申请(专利权)人:株式会社爱发科,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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