The technical scheme of the invention discloses a resistance memory and its fabrication method. The technical scheme of the invention removes the functional layer located outside the through hole, and the insulating dielectric layer deviates from the surface of one side of the base and does not cover the functional layer, thus avoiding the problem of electric field non-uniformity caused by the functional layer outside the through hole and improving the reliability of the resistance memory.
【技术实现步骤摘要】
阻变存储器及其制作方法
本专利技术涉及存储器
，更具体的说，涉及一种阻变存储器及其制作方法。
技术介绍
存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备，其主要功能是存储各种数据和程序，通常采用具有两种稳定状态(分别表示为“0”和“1”)的物理器件(存储单元)来实现存储功能。以大量存储单元组成的阵列为核心，加上必要的地址译码、读写控制电路，即为存储集成电路；再加上必要的I/O接口和一些额外的电路如存取策略管理，则形成存储芯片。在集成电路产业中，半导体存储器颇为重要，并广泛应用于信息、安全、国防等领域。大数据、云计算、物联网等技术的发展，使得存储分析信息的需求呈爆炸式增长。不断提高存储器的性能成为信息技术发展的关键之一。目前主流的非易失半导体存储器是采用浮栅结构的闪存(Flash)存储器。浮栅闪存的结构在近30年来没有大的变化，其发展主要体现在特征尺寸的缩小。目前闪存器件特征尺寸可缩小至16nm，若继续缩小将出现一些问题，主要有：可能会使存储电荷数量少于100个器件，从而影响器件的可靠性；栅的高度远大于间距时会发生严重的相邻存储单元相互串扰效应；介质击穿等。以电阻...
【技术保护点】
1.一种阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底的表面形成第一电极层，图案化所述第一电极层，形成第一电极；在所述第一电极背离所述基底的一侧表面形成绝缘介质层；在所述绝缘介质层上形成通孔，露出部分所述第一电极；形成功能层，所述功能层填充所述通孔，且覆盖所述绝缘介质层；去除所述通孔外的所述功能层，露出所述绝缘介质层；在所述绝缘介质层表面形成所述第二电极层，图案化所述第二电极层，形成第二电极，所述第二电极至少覆盖填充在所述通孔内的所述功能层。
【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底的表面形成第一电极层，图案化所述第一电极层，形成第一电极；在所述第一电极背离所述基底的一侧表面形成绝缘介质层；在所述绝缘介质层上形成通孔，露出部分所述第一电极；形成功能层，所述功能层填充所述通孔，且覆盖所述绝缘介质层；去除所述通孔外的所述功能层，露出所述绝缘介质层；在所述绝缘介质层表面形成所述第二电极层，图案化所述第二电极层，形成第二电极，所述第二电极至少覆盖填充在所述通孔内的所述功能层。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成功能层包括：形成阻变层，所述阻变层覆盖所述绝缘介质层、所述通孔的侧壁以及所述通孔的底部；形成导电研磨层，所述导电研磨层覆盖所述通孔外的所述阻变层，且填充满所述通孔，以便于基于所述导电研磨层，通过CMP工艺去除所述功能层位于所述通孔外的部分。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述形成功能层还包括：在形成所述导电研磨层之前，形成覆盖所述阻变层的粘结阻挡层；其中，所述粘结阻挡层位于所述导电研磨层与所述阻变层之间，用于增大所述导电研磨层的附着力，并防止所述导电研磨层的金属原子向所述阻变层扩散。4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述图案化所述第二电极层包括：通过刻蚀工艺，刻蚀所述第二电极层，形成设定图形结构的所述第二电极。5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，通过CMP工艺去除所述功能层后，露出所述绝缘介质层，位于所述通孔内的所述功能层与所述绝缘介质层齐平。6.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述阻变层包...
【专利技术属性】
技术研发人员：田敏，李立，王志刚，
申请(专利权)人：珠海创飞芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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