一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于磁控溅射镀膜设备领域，具体涉及一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，所述装置包括永磁体、磁轭、微调装置和支撑部件；所述永磁体固定在磁轭上，支撑部件固定在磁控溅射腔室内，支撑部件上开设有孔，微调装置穿过支撑部件上的孔与磁轭接触。本实用新型专利技术所述装置克服了现有磁控溅射阴极靶磁场分布不均匀，不方便调节的问题；且结构简单，易于安装。

A device for improving magnetic field uniformity of rectangular planar magnetron sputtering cathode target

The utility model belongs to the field of magnetron sputtering coating equipment, in particular to a device for improving magnetic field uniformity of rectangular planar magnetron sputtering cathode target, which comprises a permanent magnet, a yoke, a fine-tuning device and a supporting component; the permanent magnet is fixed on the yoke, the supporting component is fixed in the magnetron sputtering chamber, the supporting component is provided with a hole, and the fine-tuning device passes through the supporting component. The hole of the magnet is in contact with the yoke. The device of the utility model overcomes the problems of uneven magnetic field distribution and inconvenient adjustment of the existing magnetron sputtering cathode target, and has simple structure and easy installation.

【技术实现步骤摘要】
一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置
本技术属于磁控溅射镀膜设备领域，具体涉及一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置。
技术介绍
从上世纪八十年代以来，采用磁控溅射物理气象沉积技术制备功能薄膜已经发展为工业镀膜生产中最主要的技术之一。为了提高靶材利用率，膜层沉积速率和放电过程稳定性，必须对溅射系统进行整体的优化设计，其中磁控溅射阴极靶的设计最为关键。增加磁场均匀性能够增加靶面剥蚀的均匀性，提高靶材利用率，从而延长靶的寿命；同时，合理的磁场分布还能够有效提高溅射过程的稳定性。对平面阴极靶来说，磁场由条形永磁体阵列产生，每条永磁体需要保证磁场强度、尺寸参数完全一致。由于目前加工技术的限制，实际应用中常会表现出磁场分布不均匀的问题，影响沉积薄膜的质量。为了改善磁场均匀性，现有的方法是在永磁体下方增加或减少垫片，改变永磁体位置，达到调节磁场均匀的目的。但是这种方法需要将阴极靶整体或局部拆开，操作复杂，效率低，而且通过增加或较少垫片的方式无法实现连续调节，难以调节到最佳位置。因此，设计一种能够简单、连续调节磁场强度的装置具有重要的意义。
技术实现思路
为克服现有矩形平面磁控溅射阴极靶磁场不均匀的缺陷，本技术的目的在于提供一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置。为实现上述目的，本技术的技术方案如下。一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，所述装置包括永磁体、磁轭、微调装置和支撑部件；所述永磁体固定在磁轭上，支撑部件与磁控溅射腔室壁固定，支撑部件上开设有孔，微调装置穿过支撑部件上的孔与磁轭接触。进一步的，所述微调装置为旋转式微调装置。进一步的，所述微调装置包括上固定件、上固定螺丝、下固定螺丝、下固定件和旋转微调部件；上固定件通过上固定螺丝与磁轭固定，下固定件通过下固定螺丝与支撑部件固定，旋转微调部件穿过支撑部件与磁轭接触。进一步的，所述微调装置为多点式连接，均匀分布在磁轭的中心和边沿处。进一步的，所述微调装置平行于磁轭矩形平面方向呈多排分布。当支撑部件固定，调节微调装置时，微调装置带动磁轭以及固定在磁轭上的磁铁移动，实现局部磁场强度的调节；最终实现提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性的目的。有益效果本技术所述装置克服了现有磁控溅射阴极靶磁场分布不均匀，不方便调节的问题；本技术所述装置结构简单，易于安装。附图说明图1是本技术所述装置结构主视图；图2是本技术所述装置结构左视图；图3为本实施实例中微调装置结构示意图。1-永磁体，2-磁轭，3-微调装置，4-支撑部件，31-上板固定件，32-上板固定螺丝，33-下板固定螺丝，34-下板固定件，35-旋转微调部件。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术进行详细说明。一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，如图1、2所示，包括永磁体(1)、磁轭(2)、微调装置(3)和支撑部件(4)；所述永磁体(1)固定在磁轭(2)上，支撑部件(4)固定在磁控溅射腔室壁上(整个磁靶根据需要可放于腔室内也可放于腔室外)，磁轭(2)通过微调装置(3)与支撑部件(4)连接。所述微调装置如图3所示，包括上固定件(31)、上固定螺丝(32)、下固定螺丝(33)、下固定件(34)和旋转微调部件(35)；上固定件(31)通过上固定螺丝(32)与磁轭(2)固定，下固定件(34)通过下固定螺丝(33)与支撑部件(4)固定，旋转微调部件(35)穿过支撑部件(4)与磁轭接触。所述微调装置(3)连接磁轭(2)和支撑部件(4)的方式为多点连接。所述多点连接的微调装置(3)平行于磁轭(2)长度方向呈三排分布，三排微调装置(3)分别位于磁轭(2)中心和边沿，每排中多个微调装置(3)的等距排列。当支撑部件(4)固定，调节微调装置(3)时，微调装置(3)带动磁轭(2)以及固定在磁轭上的永磁体(2)连续移动，实现局部磁场强度的调节；最终实现矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀一致的目的。以上仅以本技术的具体应用范围，对本技术的保护范围不构成任何限制。除上述实施实例外，本技术还可以有其他实施方式。凡采用同等替换或等效变换形成的技术方案，均落在本技术要求保护的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，其特征在于：所述装置包括永磁体(1)、磁轭(2)、微调装置(3)和支撑部件(4)；所述永磁体(1)固定在磁轭(2)上，支撑部件(4)与磁控溅射腔室壁固定，支撑部件(4)上开设有孔，微调装置(3)穿过支撑部件(4)上的孔与磁轭(2)接触。

【技术特征摘要】
1.一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，其特征在于：所述装置包括永磁体(1)、磁轭(2)、微调装置(3)和支撑部件(4)；所述永磁体(1)固定在磁轭(2)上，支撑部件(4)与磁控溅射腔室壁固定，支撑部件(4)上开设有孔，微调装置(3)穿过支撑部件(4)上的孔与磁轭(2)接触。2.如权利要求1所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，其特征在于：所述微调装置(3)为旋转式微调装置。3.如权利要求1所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置，其特征在于：所述微调装置包括上固定件(31)、上固定螺...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪明，陈飞鹏，骆水连，刘强，魏广，秦丽丽，李亚丽，夏成明，
申请(专利权)人：兰州空间技术物理研究所，
类型：新型
国别省市：甘肃,62