【技术实现步骤摘要】
用于低噪声放大器的系统和方法
本专利技术通常涉及电路和放大器,并且在特定实施例中涉及用于低噪声放大器(LNA)的系统和方法。
技术介绍
与无线通信系统(诸如蜂窝电话、GPS接收机、以及具有Wi-Fi功能的笔记本和平板电脑)一起使用的电子器件通常含有信号处理系统,所述信号处理系统具有到模拟领域的接口。这样的接口可以包含有线线路和无线接收机,其接收传输的功率并且将接收的功率转换到可以使用模拟或数字信号处理技术来解调的模拟或数字信号。典型的无线接收机体系结构包含低噪声放大器(LNA),所述低噪声放大器(LNA)放大可以被天线接收的非常小的信号、向这些小的信号提供增益并且将放大的信号传到后来的放大和/或信号处理级。通过在LNA处提供增益,使随后的增益处理级对噪声不敏感,由此实现更低的系统噪声系数。LNA电路通常含有至少一个晶体管和输入匹配网络。输入匹配网络的目的是提供与之前级(诸如天线、滤波器、RF开关、或其它电路)的阻抗匹配和/或噪声匹配,所述输入匹配网络可以由一个或多个无源器件(诸如电感器和电容器)构成。LNA实施方式也可以包含输出匹配网络、偏置网络、以及其它电路结构,诸如共发共基放大器(cascode)晶体管。随着无线RF器件正被用在带有更多变化的规格的更多环境中,从天线系统到处理电路的信号路径是越来越重要的。特别地,在这样变化的和苛求的系统中的LNA的放置和使用呈现变化的挑战。尤其,设计现代无线RF器件的挑战性方面可以包含:减少衰减的效应、减小对噪声的灵敏度、减少成本、减少设计时间和挑战、以及增加系统数据率。这些经常是矛盾的或相互排斥的挑战呈现针对改进的L ...
【技术保护点】
1.一种低噪声放大器LNA,包括:多个分离的输入端子;多个晶体管,其中每个晶体管包括:导电路径,以及控制端子,耦合到所述多个分离的输入端子中的一个;以及输出网络,耦合到第一参考端子、所述多个晶体管中的每个晶体管的导电路径和所述LNA的单个输出,其中所述输出网络包括多个匹配网络,所述多个匹配网络中的每个匹配网络耦合在所述LAN的单个输出与所述多个晶体管中的对应晶体管的导电路径之间,以及所述多个匹配网络中的每个匹配网络包括不同的通带;以及退化元件,具有耦合到第二参考端子的第一端和耦合到所述多个晶体管中的每个晶体管的导电路径的第二端。
【技术特征摘要】
2014.03.27 US 14/2274791.一种低噪声放大器LNA,包括:多个分离的输入端子;多个晶体管,其中每个晶体管包括:导电路径,以及控制端子,耦合到所述多个分离的输入端子中的一个;以及输出网络,耦合到第一参考端子、所述多个晶体管中的每个晶体管的导电路径和所述LNA的单个输出,其中所述输出网络包括多个匹配网络,所述多个匹配网络中的每个匹配网络耦合在所述LAN的单个输出与所述多个晶体管中的对应晶体管的导电路径之间,以及所述多个匹配网络中的每个匹配网络包括不同的通带;以及退化元件,具有耦合到第二参考端子的第一端和耦合到所述多个晶体管中的每个晶体管的导电路径的第二端。2.根据权利要求1所述的LNA,其中所述退化元件包括电感器。3.根据权利要求1所述的LNA,其中所述输出网络包括LC储能电路。4.根据权利要求1所述的LNA,其中所述输出网络包括与耦合到所述LNA的单个输出的阻抗基本上匹配的复阻抗。5.根据权利要求1所述的LNA,其中所述输出网络具有频带内的第一阻抗和频带外的第二阻抗,其中所述第二阻抗大于所述第一阻抗。6.根据权利要求5所述的LNA,其中所述第一阻抗与耦合到所述LNA的单个输出的阻抗基本上匹配。7.根据权利要求1所述的LNA,进一步包括耦合到所述多个晶体管中的每个晶体管的控制端子的偏置网络,其中所述偏置网络被配置成一次激活所述多个晶体管中的一个晶体管。8.根据权利要求1所述的LNA,其中所述多个晶体管中的每个晶体管是双极结型晶体管BJT,并且所述多个晶体管中的每个晶体管的导电路径连接在所述多个晶体管中的每个晶体管的集电极与发射极之间。9.一种操作低噪声放大器LNA的方法,包括:在所述LNA的多个分离的输入端子的第一输入端子处接收第一信号;在所述LNA的多个分离的输入端子的第二输入端子处接收第二信号;在所述LNA的多个晶体管的第一晶体管处放大所述第一信号;在所述LNA的多个晶体管的第二晶体管处放大所述第二信号;在所述LNA的共享输出线处组合所述第一信号和所述第二信号,所述共享输出线耦合到第一和第二晶体管的导电端子;并且在耦合到所述共享输出线的单个耦合线上将所述第一信号和所述第二信号供给到处理电路,其中所述LNA还包括:输出匹配网络,耦合到第一参考端子、所述多个晶体管中的每个晶体管的导电路径和所述共享输出线,其中所述输出匹配网络包括多个匹配网络,所述多个匹配网络中的每个匹配网络耦合在所述共享输出线与所述多个晶体管中的对应晶体管的导电端子之间,以及所述多个匹配网络的每个匹配网络包括不同的通带;以及退化元件,具有耦合到第二参考端子的第一端和耦合到所述多个晶体管中的每个晶体管的导电路径的第二端。10.根据权利要求9所述的方法,其中所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述共享输出线被形成在单个半导体管芯上。11.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:D克雷尔,T莱特纳,P奥利维拉,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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