【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
公开了一种用于读取非易失性存储器单元的改进的读出放大器。
技术介绍
使用浮栅而在其上存储电荷的非易失性半导体存储器单元及形成于半导体衬底中的此类非易失性存储器单元的存储器阵列在本领域中是熟知的。通常，此类浮栅存储器单元一直是分裂栅类型或叠栅类型的。读操作通常使用读出放大器在浮栅存储器单元上进行。用于该目的的读出放大器在美国专利N0.5，386，158 ( “’158专利”)中有所公开，该专利以引用方式并入本文以用于所有目的。’ 158专利公开了使用汲取已知量的电流的参考单元。’ 158专利依赖于镜射由参考单元汲取的电流的电流镜，以及镜射由所选存储器单元汲取的电流的另一电流镜。然后对每个电流镜中的电流进行比较，并可基于哪一电流更大来确定存储在存储器单元中的值(例如0或1)。另一种读出放大器在美国专利N0.5，910, 914( “’914专利”)中有所公开，该专利以引用方式并入本文以用于所有目的。’914专利公开了用于可存储多于一位数据的多层浮栅存储器单元或MLC的读出电路。其公开了使用多个参考单元，这些参考单元用来确定存储器单元中存储的值(例如00、01...
【技术保护点】
一种用在存储器装置中的读出电路，包括：第一存储器单元阵列，其包括对应于字线和第一位线的所选存储器单元；第二存储器单元阵列，其包括对应于第二位线的多个存储器单元；读出电路，其包括与所述多个存储器单元相关的预充电电路以及具有第一输入和第二输入及输出的比较器，其中由存储在所述所选存储器单元中的值确定所述第一输入，并且由所述第二预充电电路确定所述第二输入，并且所述比较器的所述输出指示存储在所述所选存储器单元中的值。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：XY皮，X钱，K岳，Y周，Y朱，
申请(专利权)人：硅存储技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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