一种带失调校正的灵敏放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种带失调校正的灵敏放大器，其第一信号单元在预充电电路开启的情况下接收第一控制信号，并将第一位线和第二位线充电至第一电压，在预充电电路关闭的情况下接收第二控制信号的高电平信号；失调电压存储单元在接收到第二控制信号的高电平信号时，存储灵敏放大器的失调电压；失调电压极性反转单元在接收到第三控制信号的高电平信号，且失调电压存储单元在接收到第二控制信号的低电平信号时，将失调电压的极性进行反转，以消除失调电压。当失调电压消除后，打开第四控制信号时，就可以读取位线压差，由此可见，该灵敏放大器能够消除失调电压，使得存储单元的面积相应的减小，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子信息
，特别是涉及一种带失调校正的灵敏放大器。
技术介绍
在电子信息
中，SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)是常用的存储单元。灵敏放大器用于读取SRAM或者DRAM上的位线压差，但是由于灵敏放大器具有失调电压，因此如果位线压差过小，则灵敏放大器无法读取。由于SRAM或DRAM中存储电荷的大小等于容值和电压的乘积。当电压一定时，容值越大则存储的电荷越大，而容值与存储单元的面积成正比，因此存储单元的面积越大，则存储电荷越大。由于位线压差由位线电容和存储单元的存储电荷的大小有关，存储电荷越大，则位线压差越大，导致存储面积较大，成本也就越高。现有技术中，为了使得灵敏放大器能够读取位线压差，通过增大SRAM或DRAM的存储面积来克服灵敏放大器的失调电压，由此可见，现有技术中，增大存储面积导致成本增加。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种带失调校正的灵敏放大器，通过消除失调电压以使得存储单元的面积相应的减小，降低了成本。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种带失调校正的灵敏放大器，包括:第一信号单元，用于在预充电电路开启的情况下接收第一控制信号，并将第一位线和第二位线充电至第一电压，在所述预充电电路关闭的情况下接收第二控制信号的高电平信号，其中，所述第一信号单元与所述第一位线和所述第二位线连接；失调电压存储单元，用于在接收到所述第二控制信号的高电平信号时，存储所述灵敏放大器的失调电压；失调电压极性反转单元，用于在接收到第三控制信号的高电平信号，且所述失调电压存储单元在接收到所述第二控制信号的低电平信号时，将所述失调电压的极性进行反转，以消除所述失调电压；第二信号单元，用于通过阈值电压检测电路获得所述第二控制信号；第三信号单元，用于在打开第四控制信号时产生位线压差；其中，所述第二控制信号与所述第三控制信号为一对相反的信号。优选的，所述第一信号单元具体包括:第一 N型-金氧半场效晶体管和第二 N型-金氧半场效晶体管；其中，所述第一 N型-金氧半场效晶体管的栅极与所述第二 N型-金氧半场效晶体管的栅极连接，用于接收所述第一控制信号和所述第二控制信号；所述第一 N型-金氧半场效晶体管的漏极与所述第一位线连接，所述第一 N型-金氧半场效晶体管的源极与所述第二 N型-金氧半场效晶体管的漏极连接，所述第二 N型-金氧半场效晶体管的源极与所述第二位线连接。优选的，所述失调电压存储单元具体包括:第一 P型-金氧半场效晶体管、第二 P型-金氧半场效晶体管、第三P型-金氧半场效晶体管和第四P型-金氧半场效晶体管；其中，所述第一 P型-金氧半场效晶体管的栅极与所述第二 P型-金氧半场效晶体管的栅极均与所述第二控制信号的输出端连接；所述第一 P型-金氧半场效晶体管的漏极与所述第三P型-金氧半场效晶体管的漏极和所述失调电压极性反转单元连接；所述第一P型-金氧半场效晶体管的源极与所述第三P型-金氧半场效晶体管的栅极连接；所述第二 P型-金氧半场效晶体管的源极与所述第四P型-金氧半场效晶体管的栅极连接；所述第二 P型-金氧半场效晶体管的漏极与所述第四P型-金氧半场效晶体管的漏极和所述失调电压极性反转单元连接；所述第三P型-金氧半场效晶体管的源极与所述第四P型-金氧半场效晶体管的源极、所述第二信号单元和所述第三信号单元均连接。优选的，所述失调电压极性反转单元具体包括:第五P型-金氧半场效晶体管、第六P型-金氧半场效晶体管、第三N型-金氧半场效晶体管和第四N型-金氧半场效晶体管；其中，所述第五P型-金氧半场效晶体管的栅极和所述第六P型-金氧半场效晶体管的栅极均与所述第三控制信号的输出端连接；所述第五P型-金氧半场效晶体管的源极与所述第一 P型-金氧半场效晶体管的漏极连接；所述第五P型-金氧半场效晶体管的漏极与所述第三N型-金氧半场效晶体管的漏极连接；所述第六P型-金氧半场效晶体管的源极与所述第二 P型-金氧半场效晶体管的漏极连接；所述第六P型-金氧半场效晶体管的漏极与所述第四N型-金氧半场效晶体管的漏极连接；所述第三N型-金氧半场效晶体管的栅极与所述第一 P型-金氧半场效晶体管的源极和所述第二位线连接；所述第三N型-金氧半场效晶体管的源极与所述第四N型-金氧半场效晶体管的源极均与电源输出端连接；所述第四N型-金氧半场效晶体管的栅极与所述第二 P型-金氧半场效晶体管的源极和所述第一位线连接。优选的，所述第二信号单元为第七P型-金氧半场效晶体管；其中，所述第七P型-金氧半场效晶体管的栅极与所述电压检测电路连接，所述第七P型-金氧半场效晶体管的源极用于输出电压信号；第七P型-金氧半场效晶体管的漏极与所述第三P型-金氧半场效晶体管的源极、所述第三信号单元和所述第四P型-金氧半场效晶体管的源极均连接。优选的，所述第三信号单元为第八P型-金氧半场效晶体管；其中，所述第八P型-金氧半场效晶体管的栅极接收所述第四控制信号，所述第八P型-金氧半场效晶体管的源极接地，所述第八P型-金氧半场效晶体管的漏极与所述第七P型-金氧半场效晶体管的漏极、所述第三P型-金氧半场效晶体管的源极和所述第四P型-金氧半场效晶体管的源极均连接。本专利技术所提供的带失调校正的灵敏放大器，其第一信号单元在预充电电路开启的情况下接收第一控制信号，并将第一位线和第二位线充电至第一电压，在预充电电路关闭的情况下接收第二控制信号的高电平信号；失调电压存储单元在接收到第二控制信号的高电平信号时，存储灵敏放大器的失调电压；失调电压极性反转单元在接收到第三控制信号的高电平信号，且失调电压存储单元在接收到第二控制信号的低电平信号时，将失调电压的极性进行反转，以消除失调电压。当失调电压消除后，打开第四控制信号时，就可以读取位线压差，由此可见，该灵敏放大器能够消除失调电压，使得存储单元的面积相应的减小，降低了成本。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的一种带失调校正的灵敏放大器的电路图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护范围。本专利技术的核心是提供一种带失调校正的灵敏放大器。为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步的详细说明。带失调校正的灵敏放大器，包括:第一信号单元，用于在预充电电路开启的情况下接收第一控制信号，并将第一位线和第二位线充电至第一电压，在所述预充电电路关闭的情况下接收第二控制信号的高电平信号，其中，所述第一信号单元与所述第一位线和所述第二位线连接；失调电压存储单元，用于在接收到所述第二控制信号的高电平信号时，存储所述灵敏放大器的失调电压；失调电压极性反转单元，用于在接收到第三控制信号的高电平信号，且所述失调电压存储单元在接收到所述第二控制信号的低电平信本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带失调校正的灵敏放大器，其特征在于，包括：第一信号单元，用于在预充电电路开启的情况下接收第一控制信号，并将第一位线和第二位线充电至第一电压，在所述预充电电路关闭的情况下接收第二控制信号的高电平信号，其中，所述第一信号单元与所述第一位线和所述第二位线连接；失调电压存储单元，用于在接收到所述第二控制信号的高电平信号时，存储所述灵敏放大器的失调电压；失调电压极性反转单元，用于在接收到第三控制信号的高电平信号，且所述失调电压存储单元在接收到所述第二控制信号的低电平信号时，将所述失调电压的极性进行反转，以消除所述失调电压；第二信号单元，用于通过阈值电压检测电路获得所述第二控制信号；第三信号单元，用于在打开第四控制信号时产生位线压差；其中，所述第二控制信号与所述第三控制信号为一对相反的信号。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈臣，
申请(专利权)人：深圳芯邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44